本实用新型专利技术公开了一种应用于6寸三结GaAs电池片的石英舟，包括第一层石英舟和第二层石英舟，所述第一层石英舟上表面四角处设置有限位柱，所述第二层石英舟下表面四角处开设有凹槽，所述限位柱上层与凹槽相适配，第一层石英舟与第二层石英舟上均镂空设置有两个圆形台阶，所述圆形台阶包括大圆凹槽和小圆通孔，大圆凹槽与6寸晶片的尺寸相适配，所述第一层石英舟与第二层石英舟上表面均开设有两组矩形凹槽，所述矩形凹槽的中轴线与圆形台阶的轴心线垂直相交，本实用新型专利技术通过在石英舟上开设圆形台阶，将6寸晶片放置在大圆凹槽中，实现了6寸晶片水平放置，避免6寸晶片因受热不均匀而破片。破片。破片。
【技术实现步骤摘要】
一种应用于6寸三结GaAs电池片的石英舟
[0001]本技术涉及电池片产加工
，具体涉及一种应用于6寸三结GaAs电池片的石英舟。
技术介绍
[0002]GaAs太阳能电池片是卫星/宇宙飞船/空间站等航天器的电源组成部分，这种太阳电池片通常采用半导体制程工艺制备，其中退火是必不可少的工序，常规的六寸片退火，采用晶片竖直放置，然而由于6寸片尺寸较大，而且GaAs太阳电池片厚度只有0.2mm，容易造成破片和退火不均匀，因此我们提出一种应用于6寸三结GaAs电池片的石英舟，采用晶片水平放置的模式。
技术实现思路
[0003]本技术的目的是针对
技术介绍
中提出的缺点和问题加以改进和创新，提供一种应用于6寸三结GaAs电池片的石英舟。
[0004]一种应用于6寸三结GaAs电池片的石英舟，包括第一层石英舟和第二层石英舟，所述第一层石英舟上表面四角处设置有限位柱，所述限位柱分为两层，下层直径大于上层直径，所述第二层石英舟下表面四角处开设有凹槽，所述限位柱上层与凹槽相适配，第一层石英舟与第二层石英舟上均镂空设置有两个圆形台阶，所述圆形台阶包括大圆凹槽和小圆通孔，所述大圆凹槽和小圆通孔同轴心，所述第一层石英舟与第二层石英舟上表面均开设有两组矩形凹槽所述矩形凹槽的中轴线与圆形台阶的轴心线垂直相交。
[0005]在本实施例中：所述圆形台阶内安装有连接板，所述连接板的上表面与矩形凹槽的下表面处于同一水平线。
[0006]在本实施例中：所述矩形凹槽的深度高于大圆凹槽的深度。
[0007]在本实施例中：所述第一层石英舟与第二层石英舟两端均设置有把手，所述把手中部镂空，第一层石英舟的把手下端并排设置有两根圆管，第二层石英舟的把手上端也并排设置有两根圆管，所述圆管内部中空。
[0008]在本实施例中：所述第一层石英舟下表面左右两侧安装有支撑支架。
[0009]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0010](1)通过在石英舟上开设圆形台阶，将6寸晶片放置在大圆凹槽中，实现了6寸晶片水平放置，热空气通过小圆通孔对6寸晶片加热，使得6寸晶片退火均匀，热能利用率高，避免了6寸晶片因受热不均匀而破片；
[0011](2)通过在第一层石英舟的上表面四角处设置限位柱，在第二层石英舟的下表面四角处设置凹槽，限位柱的上层与凹槽相配合，可以将第二层石英舟稳固的放置在第一层石英舟上，同时又方便拆卸；
[0012](3)通过在第一层石英舟与第二层石英舟两端设置镂空把手，镂空把手上设置空心圆管，镂空把手便于常温环境下拿取石英舟，空心圆管用于退火后，工具插入空心圆管提
取石英舟，避免高温烫伤；
[0013](4)所述矩形凹槽的中轴线与圆形台阶的轴心线垂直相交，且矩形凹槽深度高于大圆凹槽的深度，晶片放置在大圆凹槽内，与矩形凹槽底部之间有距离，即方便了取片，同时大幅度减轻整体重量。
附图说明
[0014]图1是本技术第一层石英舟正面结构示意图；
[0015]图2是本技术第一层石英舟背面结构示意图；
[0016]图3是本技术第二层石英舟正面结构示意图；
[0017]图4是本技术第二层石英舟背面结构示意图；
[0018]图5是本技术第一层石英舟与第二层石英舟配合结构示意图；
[0019]附图标记：第一层石英舟1、第二层石英舟2、限位柱3、凹槽4、大圆凹槽51、小圆通孔52、圆形台阶5、矩形凹槽6、连接板7、把手8、圆管9、支撑支架10。
具体实施方式
[0020]以下结合附图1～5对本技术作进一步详细说明。
[0021]一种应用于6寸三结GaAs电池片的石英舟，包括第一层石英舟1和第二层石英舟2，所述第一层石英舟1上表面四角处设置有限位柱3，所述限位柱3分为两层，下层直径大于上层直径，所述第二层石英舟2下表面四角处开设有凹槽4，所述限位柱3上层与凹槽4相适配，可以将第二层石英舟2稳固的放置在第一层石英舟1上而不滑动，同时又方便拆卸，第一层石英舟1与第二层石英舟2上均镂空设置有两个圆形台阶5，所述圆形台阶5包括大圆凹槽51和小圆通孔52，所述大圆凹槽51和小圆通孔52同轴心，大圆凹槽51与6寸晶片的尺寸相适配，大圆凹槽51用于承载6寸晶片，热空气通过小圆通孔52对6寸晶片加热，使得6寸晶片退火均匀，热能利用率高，避免了6寸晶片因受热不均匀而破片，所述第一层石英舟1与第二层石英舟2上表面均开设有两组矩形凹槽6，所述矩形凹槽6的中轴线与圆形台阶5的轴心线垂直相交。
[0022]在本实施例中：所述圆形台阶5内安装有连接板7，所述连接板7的上表面与矩形凹槽6的下表面处于同一水平线，所述连接板7一方面提高了整体石英舟的机械强度，另一方面提高了承载晶圆的牢固性。
[0023]在本实施例中：所述矩形凹槽6的深度高于大圆凹槽51的深度，晶片放置在大圆凹槽51内，与矩形凹槽6底部之间有距离，方便了取片，同时大幅度减轻整体重量。
[0024]在本实施例中：所述第一层石英舟1与第二层石英舟2两端均设置有把手8，所述把手8中部镂空，采用镂空设计，既减轻了重量，又便于拿取，第一层石英舟1的把手8下端并排设置有两根圆管9，第二层石英舟2的把手8上端也并排设置有两根圆管9，所述圆管9内部中空，圆管9分别设置在把手8上端与下端，避免磕碰，镂空把手8便于常温环境下拿取石英舟，空心圆管9用于退火后，工具插入空心圆管9提取石英舟，避免高温烫伤。
[0025]在本实施例中：所述第一层石英舟1下表面左右两侧安装有支撑支架10，支撑支架10用于放置于退火机构上，如氧化炉、退火炉等。
[0026]以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，凡在本实用
新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种应用于6寸三结GaAs电池片的石英舟，包括第一层石英舟(1)和第二层石英舟(2)，其特征在于：所述第一层石英舟(1)上表面四角处设置有限位柱(3)，所述限位柱(3)分为两层，下层直径大于上层直径，所述第二层石英舟(2)下表面四角处开设有凹槽(4)，所述限位柱(3)上层与凹槽(4)相适配，第一层石英舟(1)与第二层石英舟(2)上均镂空设置有两个圆形台阶(5)，所述圆形台阶(5)包括大圆凹槽(51)和小圆通孔(52)，所述大圆凹槽(51)和小圆通孔(52)同轴心，大圆凹槽(51)与6寸晶片的尺寸相适配，所述第一层石英舟(1)与第二层石英舟(2)上表面均开设有两组矩形凹槽(6)，所述矩形凹槽(6)的中轴线与圆形台阶(5)的轴心线垂直相交。2.根据权利要求1所述的一种应用于6寸三结GaAs电池片的石英舟...
【专利技术属性】
技术研发人员：李俊承，张银桥，王向武，
申请(专利权)人：南昌凯捷半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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