半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的技术问题在于提供一种即便使用于DBG或LDBG，也能够抑制芯片龟裂的半导体加工用粘着胶带。作为解决手段的所述半导体加工用粘着胶带为具有基材、设置在该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置在该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，所述半导体加工用粘着胶带中，所述缓冲层在23℃下的杨氏模量为10～400MPa、断裂能为1～9MJ/m3，所述基材在23℃下的杨氏模量大于所述缓冲层的杨氏模量。的杨氏模量大于所述缓冲层的杨氏模量。的杨氏模量大于所述缓冲层的杨氏模量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体加工用粘着胶带，更详细而言，涉及一种当使用在晶圆的表面设置沟槽或用激光在晶圆内部设置改质区域，并利用晶圆背面研磨时的应力等而进行晶圆的单颗化(singulation)的方法来制造半导体装置时，优选用于暂时保持半导体晶圆或芯片的粘着胶带，以及使用该粘着胶带的半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]随着各种电子设备的小型化、多功能化的进展，也同样要求其中所搭载的半导体芯片的小型化、薄型化。为了芯片的薄型化，通常研磨半导体晶圆的背面而进行厚度调节。此外，为了得到经薄型化的芯片，有时也会利用被称为预切割法(DBG：Dicing Before Grinding；研磨前切割)的技术，该技术中，使用切割刀片从晶圆的表面侧形成一定深度的沟槽，然后从晶圆背面侧进行研磨，通过研磨将晶圆单颗化而得到芯片。对于DBG，由于能够同时进行晶圆的背面研磨与晶圆的单颗化，因此能够效率良好地制造薄型芯片。
[0003]以往，在进行半导体晶圆的背面研磨时或通过DBG制造芯片时，为了保护晶圆表面的电路且保持半导体晶圆及半导体芯片，通常在晶圆表面贴附被称为背磨片的粘着胶带。
[0004]作为在DBG中使用的背磨片，使用具备基材与设置于基材的一个面的粘着剂层的粘着胶带。作为这样的粘着胶带的一个例子，专利文献1(日本特开2015-183008号公报)中提出了一种具有刚性基材、设置在刚性基材的一面侧的缓冲层、及设置在刚性基材的另一面侧的粘着剂层的粘着片。专利文献1中公开了刚性基材的杨氏模量为1000MPa以上，将尖端曲率半径为100nm且棱间角为115
°
的三角锥形压头的尖端以10μm/分钟的速度压入缓冲层时，压缩载荷达到2mN所需的压入深度为2.5μm以上。此外，专利文献2(日本专利第5068793号)中提出了一种在由能量射线固化型组合物固化而成的片的至少一面具有粘着剂层的粘着片。专利文献2中公开了粘着片的断裂伸长率为50％以上，且拉伸弹性模量为10～1000MPa。
[0005]近年来，作为预切割法的变形例，提出了用激光在晶圆内部设置改质区域，利用晶圆背面研磨时的应力等而进行晶圆的单颗化的方法。以下，有时将该方法记载为LDBG(Laser Dicing Before Grinding；研磨前激光切割)。对于LDBG，由于晶圆以改质区域为起点而在晶体方向上被切断，因此相较于使用切割刀片的预切割法，能够减少碎屑(chipping)的产生。其结果，能够得到抗折强度优异的芯片，并有助于芯片的进一步薄型化。此外，相较于使用切割刀片在晶圆表面形成规定深度的沟槽的DBG，由于不存在使用切割刀片削掉晶圆的区域，即由于切口宽度(kerf width)极小，因此芯片的产率优异。
[0006]对于DBG和LDBG，使用研磨机等对晶圆进行背面研磨而使厚度极薄时，若晶圆的外周有多余的粘着胶带，则研磨机有时会咬入多余的粘着胶带。因此，在背面研磨前沿着晶圆的外周切断粘着胶带。但是，若使用专利文献1、2中记载的粘着胶带，将芯片的精加工厚度薄化至30μm以下时，有时会产生芯片的缺损或破损(以下，有时记载为“芯片龟裂”)。现有技术文献
专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2015-183008号公报专利文献2：日本专利第5068793号

技术实现思路

本专利技术要解决的技术问题
[0008]为了解决上述技术问题，本申请的专利技术人进行了认真研究，结果发现，将粘着胶带贴附在半导体晶圆上，用切刀沿着晶圆的外周切断该粘着胶带时所产生的胶带屑导致在芯片上产生龟裂。将粘着胶带贴附在晶圆上，沿着外周切断粘着胶带后，经由粘着胶带而将晶圆设置在卡盘工作台(chuck table)上，使用研磨机等进行背面研磨。此时，若胶带屑位于粘着胶带与卡盘工作台之间，则粘着胶带及晶圆会因胶带屑而挠曲，且会在晶圆的研磨面产生少许的应变。对这种具有应变的晶圆进行研磨时，研磨机会被应变部分卡住且无法均匀地研磨，其结果容易在芯片上产生龟裂。
[0009]胶带屑在用切刀切断粘着胶带时产生，具体而言，因切断时粘着胶带的部分结构剥落或破碎而产生。此外，有时也因粘着胶带的部分结构附着在切刀的刀刃上而更容易产生胶带屑。
[0010]本专利技术是鉴于上述现有技术而完成的，其目的在于提供一种即便用于DBG或LDBG，也能够抑制芯片龟裂的半导体加工用粘着胶带。解决技术问题的技术手段
[0011]以解决上述技术问题为目的的本专利技术的要点如下。(1)一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材、设置在该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置在该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，所述半导体加工用粘着胶带中，所述缓冲层在23℃下的杨氏模量为10～400MPa、断裂能为1～9MJ/m3，所述基材在23℃下的杨氏模量大于所述缓冲层的杨氏模量。
[0012](2)根据(1)所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述基材在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上。
[0013](3)根据(1)或(2)所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述缓冲层为含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物的固化物。
[0014](4)根据(1)～(3)中任一项所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述粘着剂层的厚度小于100μm。
[0015](5)一种半导体装置的制造方法，其具备下述工序：将所述(1)～(4)中任一项所述的半导体加工用粘着胶带贴附在半导体晶圆的表面，沿着该半导体晶圆的外周切断该粘着胶带的工序；从所述半导体晶圆的表面侧形成沟槽，或者从所述半导体晶圆的表面或背面在半导体晶圆内部形成改质区域的工序；对于表面贴附有所述粘着胶带、且形成有所述沟槽或所述改质区域的半导体晶圆，从背面侧进行研磨，将所述沟槽或所述改质区域作为起点而将所述半导体晶圆单颗化为多个芯片的工序；及将所述粘着胶带从所述多个芯片上剥离的工序。
专利技术效果
[0016]本专利技术的半导体加工用粘着胶带能够抑制用切刀沿着晶圆的外周切断粘着胶带时产生胶带屑。其结果，能够减少半导体芯片中的龟裂的产生。
附图说明
[0017]图1为本专利技术的实施方式的粘着片的示意图。
具体实施方式
[0018]以下，对本专利技术的半导体加工用粘着胶带进行具体说明。首先，对本说明书中所使用的主要用语进行说明。在本说明书中，例如“(甲基)丙烯酸酯”是用于表示“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者的用语，其他类似用语也同样。
[0019]“半导体加工用”是指能够使用在半导体晶圆的搬运、背面研磨、切割、半导体芯片的拾取等各工序中。半导体晶圆的“表面”是指形成有电路的面，“背面”是指未形成电路的面。半导体晶圆的单颗化是指将半导体晶圆分割为各个电路而得到半导体芯片。
[0020]DBG是指在晶圆的表面侧形成规定深度的沟槽之后，从晶圆背面侧进行研磨，通过研磨而将晶圆单颗化的方法。形成在晶圆的表面侧的沟槽能够通过刀片切割、激光切割、等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材、设置在该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置在该基材的另一面侧的粘着剂层的粘着胶带，所述半导体加工用粘着胶带中，所述缓冲层在23℃下的杨氏模量为10～400MPa、断裂能为1～9MJ/m3，所述基材在23℃下的杨氏模量大于所述缓冲层的杨氏模量。2.根据权利要求1所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述基材在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上。3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用粘着胶带，其中，所述缓冲层为含有能量射线聚合性化合物的缓冲层形成用组合物的固化物。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：爱泽和人，前田淳，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：