量子点微LED显示器件及其制备方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种量子点微LED显示器件及其制备方法，涉及光电显示技术领域，该量子点微LED显示器件及其制备方法，通过在光转换层和单色LED阵列板之间设置透明状的热缓冲层，从而阻碍了单色LED阵列板产生的热量传递至光转换层，避免了对光转换层内的量子点造成影响，其稳定性会得到显著提高，从而保证了器件的显示性能与显示效果。相较于现有技术，本发明专利技术实施例提供的量子点微LED显示器件及其制备方法，稳定性高，显示性能与显示效果好。好。好。

【技术实现步骤摘要】
量子点微LED显示器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光电显示
，具体而言，涉及一种量子点微LED显示器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]传统的Mini/Micro-LED目前为单色蓝光器件，在彩色显示中，一条非常有效的路径为以蓝光LED子像素激发光转换材料，通过光转换的方式形成绿光和红光，从而组成红绿蓝三子像素。量子点作为高效的光转换材料，由于较窄的半峰宽，较高的荧光量子效率，以及色域接近或者达到BT.2020标准，具有很大的应用前景，但是，量子点具有热不稳定性，温度升高时，其光转换效率和稳定性都会受到很大的影响，因此LED发光过程形成的热会对量子点的稳定性造成很大的影响，影响显示性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种量子点微LED显示器件及其制备方法，其能够有效减缓LED发光过程形成的热对量子点稳定性造成的影响，保证器件的显示性能。
[0004]本专利技术的实施例可以这样实现：
[0005]第一方面，本专利技术提供一种量子点微LED显示器件，包括：
[0006]单色LED阵列板，所述单色LED阵列板上排布有多个子像素点；
[0007]对应设置在所述单色LED阵列板之上的遮光层，所述遮光层上设置有多个贯穿于所述遮光层两侧的像素开口，多个所述像素开口与多个所述子像素点一一对应；
[0008]以及设置在部分所述像素开口内的光转换层；
[0009]其中，所述光转换层与所述单色LED阵列板之间设置有透明状的热缓冲层，以阻碍所述单色LED阵列板产生的热量传递至所述光转换层。
[0010]在可选的实施方式中，所述遮光层形成于所述单色LED阵列板的表面，所述热缓冲层沉积在位于所述像素开口内的所述单色LED阵列板的表面。
[0011]在可选的实施方式中，所述热缓冲层沉积在所述单色LED阵列板的表面，所述遮光层形成于所述热缓冲层的表面。
[0012]在可选的实施方式中，所述热缓冲层采用光刻胶、光透聚合物、氧化硅或氮化物制成。
[0013]在可选的实施方式中，所述热缓冲层的厚度小于或等于5μm。
[0014]在可选的实施方式中，所述光转换层由核壳结构的量子点、钙钛矿量子点以及碳量子点中的至少一种制成。
[0015]在可选的实施方式中，所述子像素点为蓝光子像素，所述光转换层包括红光转换层和绿光转换层。
[0016]在可选的实施方式中，所述热缓冲层的透光率大于或等于70％。
[0017]第二方面，本专利技术提供一种量子点微LED显示器件的制备方法，用于制备如前述实
施方式所述的量子点微LED显示器件，包括：
[0018]制备具有多个子像素点的单色LED阵列板；
[0019]在所述单色LED阵列板的表面制备形成遮光层，所述遮光层两侧形成多个贯穿于所述遮光层两侧的像素开口，多个所述像素开口与多个所述子像素点一一对应；
[0020]在所述像素开口内的对应的所述单色LED阵列板的表面沉积形成热缓冲层；
[0021]在所述像素开口内的所述热缓冲层的表面沉积形成光转换层。
[0022]第三方面，本专利技术提供根据前述实施方式所述的量子点微LED显示器件的制备方法，用于制备如前述实施方式所述的量子点微LED显示器件，包括：
[0023]制备具有多个子像素点的单色LED阵列板；
[0024]在所述单色LED阵列板上沉积形成热缓冲层；
[0025]在所述热缓冲层的表面制备形成遮光层，所述遮光层两侧形成多个贯穿于所述遮光层两侧的像素开口，多个所述像素开口与多个所述子像素点一一对应；
[0026]在所述像素开口内的所述热缓冲层的表面沉积形成光转换层。
[0027]本专利技术实施例的有益效果包括，例如：
[0028]本专利技术实施例提供的量子点微LED显示器件及其制备方法，通过在光转换层和单色LED阵列板之间设置透明状的热缓冲层，从而阻碍了单色LED阵列板产生的热量传递至光转换层，避免了对光转换层内的量子点造成影响，其稳定性会得到显著提高，从而保证了器件的显示性能与显示效果。相较于现有技术，本专利技术实施例提供的量子点微LED显示器件及其制备方法，稳定性高，显示性能与显示效果好。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0030]图1为本专利技术第一实施例提供的量子点微LED显示器件的结构示意图；
[0031]图2为本专利技术第一实施例提供的量子点微LED显示器件的制备方法的步骤框图；
[0032]图3为本专利技术第二实施例提供的量子点微LED显示器件的结构示意图；
[0033]图4为本专利技术第二实施例提供的量子点微LED显示器件的制备方法的步骤框图。
[0034]图标：100-量子点微LED显示器件；110-单色LED阵列板；111-子像素点；130-遮光层；131-像素开口；150-光转换层；170-热缓冲层。
具体实施方式
[0035]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0036]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通
技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0037]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0038]在本专利技术的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0039]此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0040]LED技术已经发展了多年，自从90年代TFT-LCD(薄膜晶体管显示器)蓬勃发展时将LED作为TFT-LCD的背光模组开始，LED开始逐步接入到光电显示技术中，在进入21世纪后，LED作为背光模组开始蓬勃发展，开始成为TFT-LCD的主流背光模组。然而随着光电显示技术的进一步发展，TFT-本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点微LED显示器件，其特征在于，包括：单色LED阵列板，所述单色LED阵列板上排布有多个子像素点；对应设置在所述单色LED阵列板之上的遮光层，所述遮光层上设置有多个贯穿于所述遮光层两侧的像素开口，多个所述像素开口与多个所述子像素点一一对应；以及设置在部分所述像素开口内的光转换层；其中，所述光转换层与所述单色LED阵列板之间设置有透明状的热缓冲层，以阻碍所述单色LED阵列板产生的热量传递至所述光转换层。2.根据权利要求1所述的量子点微LED显示器件，其特征在于，所述遮光层形成于所述单色LED阵列板的表面，所述热缓冲层沉积在位于所述像素开口内的所述单色LED阵列板的表面。3.根据权利要求1所述的量子点微LED显示器件，其特征在于，所述热缓冲层沉积在所述单色LED阵列板的表面，所述遮光层形成于所述热缓冲层的表面。4.根据权利要求1所述的量子点微LED显示器件，其特征在于，所述热缓冲层采用光刻胶、光透聚合物、氧化硅或氮化物制成。5.根据权利要求1所述的量子点微LED显示器件，其特征在于，所述热缓冲层的厚度小于或等于5μm。6.根据权利要求1所述的量子点微LED显示器件，其特征在于，所述光转换层由核壳结构的量子点、钙钛矿量子点以及碳量子点中的至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建太，龚政，陈志涛，郭婵，庞超，潘章旭，胡诗犇，龚岩芬，刘久澄，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：