【技术实现步骤摘要】
具有承载件、层压体和位于两者间的构件的包封的封装体
[0001]本专利技术涉及一种制造封装体的方法以及一种封装体。
技术介绍
[0002]封装体可包括安装在诸如引线框架的承载件上的诸如半导体芯片的电子构件。封装体可以实施为安装在承载件上的被包封的电子构件,电子构件具有从包封剂伸出并与电子外围设备耦合的电连接。在封装体中,电子构件可以通过条带(clip)或键合线连接到承载件。
[0003]然而,封装体制造仍然是涉及高度工作量的过程。
技术实现思路
[0004]需要以较小的工作量来制造封装体。
[0005]根据一示例性实施例,提供了一种制造封装体的方法,其中,所述方法包括:将至少一个电子构件安装在承载件上;将层压体附接到所述至少一个电子构件;和利用包封剂填充层压体与承载件之间的空间的至少一部分,其中,所述至少一个电子构件安装在层压体与承载件之间。
[0006]根据另一示例性实施例,提供了一种封装体,其包括:承载件;至少一个安装在承载件上的电子构件;附接到所述至少一个电子构件的层压体;和填充层压体与承载件之间的空间的至少一部分的包封剂,其中,所述至少一个电子构件安装在层压体与承载件之间。
[0007]根据一个示例性实施例,提供了一种封装体,该封装体是层压结构和基于承载件的结构之间的混合体。例如,层压体可以包括可以与一个或多个金属层(例如铜箔)互连以形成层压体的有机材料(例如预浸料)。承载件例如可以是由铜制成的引线框架。夹在层压体和承载件之间的可以是电子构件、例如半导体芯片。可 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种封装体(100),其包括:
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承载件(102);
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安装在承载件(102)上的至少一个电子构件(104);
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附接至所述至少一个电子构件(104)的层压体(106);和
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包封剂(108),其填充层压体(106)与承载件(102)之间的空间(110)的至少一部分,其中,所述至少一个电子构件(104)安装在层压体(106)与承载件(102)之间。2.根据权利要求1所述的封装体(100),其特征在于,所述承载件(102)是结构化的板状承载件(102),尤其包括引线框架或图案化的印刷电路板。3.根据权利要求1或2所述的封装体(100),其特征在于,所述层压体(106)包括片,所述片包括介电材料,所述层压体(106)尤其包括预浸料层(120)和涂有树脂的铜(RCC)片中的至少一种或由预浸料层(120)和涂有树脂的铜(RCC)片中的至少一种组成。4.根据权利要求1至3中任一项所述的封装体(100),其特征在于,所述封装体(100)包括以下特征之一:
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所述至少一个电子构件(104)仅在面对承载件(102)的主表面上包括至少一个垫(112);
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所述至少一个电子构件(104)仅在面对层压体(106)的主表面上包括至少一个垫(112);
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所述至少一个电子构件(104)在面对承载件(102)的主表面上包括至少一个垫(112),并且在面对层压体(106)的另一主表面上包括至少一个另外的垫(112);
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所述至少一个电子构件(104)包括面朝上布置的至少一个垫(112);
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所述至少一个电子构件(104)包括面朝下布置的至少一个垫(112)。5.根据权利要求1至4中任一项所述的封装体(100),其特征在于,所述封装体(100)包括以下特征之一:
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包封剂(108)垂直延伸超过、尤其是完全覆盖承载件(102)的一主表面,该主表面与承载件(102)的其上安装有所述至少一个电子构件(104)的另一主表面相反设置,
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承载件(102)的一主表面的至少一部分相对于包封剂(108)暴露,该主表面与承载件(102)的其上安装有所述至少一个电子构件(104)的另一主表面相反设置。6.根据权利要求1至5中任一项所述的封装体(100),其特征在于,所述层压体(106)包括包含介电材料的片并且包括位于所述片上的金属层,其中,所述片布置在金属层与所述至少一个电子构件(104)之间。7.根据权利要求1至6中任一项所述的封装体(100),其特征在于,所述封装体(100)包括形成在所述层压体(106)上和/或中的再分布层(114),尤其是多个再分布层(114)。8.根据权利要求1至7中任一项所述的封装体(100),其特征在于,所述封装体(100)包括至少一个垂直电连接元件(116),每个垂直电连接元件(116)延伸穿过所述包封剂(108)的至少一部分并穿过所述层压体(106)的至少一部分,所述垂直电连接元件尤其将层压体(106)与承载件(102)电耦合。9.根据权利要求1至8中任一项所述的封装体(100),其特征在于,所述封装体(100)包括以下特征中的至少一个:
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承载件(102)的厚度(D)是20μm至3mm,尤其是100μm至500μm;
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层压体(106)的厚度(d)是10μm至150μm,尤其是20μm至40μm;
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所述至少一个电子构件(104)的厚度(L)是15μm至1mm,尤其是50μm至200μm;
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承载件(102)的厚度(D)大于层压体(106)的厚度(d)并且大于所述至少一个电子构件(104)的厚度(L),其中,尤其,承载件(102)的厚度(D)大于...
【专利技术属性】
技术研发人员:A,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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