【技术实现步骤摘要】
布线结构
[0001]本公开涉及一种布线结构，且更特定来说，涉及一种包含通过中间层附接或接合在一起的至少两个导电结构的布线结构。
技术介绍
[0002]随着电子工业的快速发展和半导体处理技术的进展，半导体芯片集成数量增加的电子组件，以实现更好的电性能和更多功能。相应地，半导体芯片具备更多的输入/输出(I/O)连接。为了制造包含具有数量增加的I/O连接的半导体芯片的半导体封装，用于承载半导体芯片的半导体衬底的电路层可能相应地增加。因此，半导体衬底的厚度可能相应地增加，并且半导体衬底的良率可能降低。
技术实现思路
[0003]在一些实施例中，一种布线结构包含上部导电结构、下部导电结构和中间层。所述上部导电结构包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层。所述下部导电结构包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层。所述中间层安置于所述上部导电结构与所述下部导电结构之间并将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起。所述上部导电结构电连接到所述下部导电结构。所述中间层包含多个子层。所述子层中的每一...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种布线结构，其包括：上部导电结构，其包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层；下部导电结构，其包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层；和中间层，其安置于所述上部导电结构与所述下部导电结构之间，且将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起，其中所述上部导电结构电连接到所述下部导电结构，所述中间层包含多个子层，所述子层中的每一个由聚合材料形成，且在两个相邻子层之间形成边界。2.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构的所述电路层的线距大于所述上部导电结构的所述电路层的线距。3.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述下部导电结构更包含核心部分，所述下部导电结构的所述至少一个介电层和所述至少一个电路层与所述核心部分的表面相邻。4.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述中间层在所述边界上不包含水平延伸的电路层。5.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述聚合材料中的每一个的材料不同于所述上部导电结构的所述介电层的材料和所述下部导电结构的所述介电层的材料。6.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述聚合材料中的每一个具有粘度，且两个相邻子层的所述聚合材料的所述粘度彼此不同。7.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述中间层包含由第一聚合材料形成的第一子层和由第二聚合材料形成的第二子层，所述第一聚合材料的粘度大于所述第二聚合材料的粘度。8.根据权利要求7所述的布线结构，其中所述第一子层与所述下部导电结构接触并且覆盖所述下部导电结构的最顶部电路层，且所述第二子层与所述上部导电结构接触。9.根据权利要求8所述的布线结构，其中所述第一子层的顶面具有具最高点和最低点，且所述最高点和所述最低点之间的高度差大于3μm。10.根据权利要求8所述的布线结构，其中所述第一子层的顶面具有具最高点和最低点，且所述最高点和所述最低点之间的高度差大于所述下部导电结构的所述最顶部电路层的厚度的三分之一。11.根据权利要求7所述的布线结构，其中所述第一聚合材料的材料包含聚酰亚胺，且所述第二聚合材料的材料包含味之素堆积膜。12.根据权利要求7所述的布线结构，其中所述第一子层与所述上部导电结构接触，且所述第二子层与所述下部导电结构接触并覆盖所述下部导电结构的最顶部电路层。13.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述中间层包含由第一聚合材料形成的第一子层、由第二聚合材料形成的第二子层和由第三聚合材料形成的第三子层，其中所述第二子层位于所述第一子层和所述第三子层之间，所述第一聚合材料的粘度大于所述第二聚合材料的粘度，且所述第三聚合材料的粘度大于所述第二聚合材料的所述粘度。14.根据权利要求13所述的布线结构，其中所述第一子层与所述下部导电结构接触并覆盖所述下部导电结构的最顶部电路层，且所述第三子层与所述上部导电结构接触。15.根据权利要求1所述的布线结构，其中所述中间层包含由第一聚合材料形成的第一子层、由第二聚合材料形成的第二子层和由第四聚合材料形成的第四子层，其中所述第一
子层位于所述第二子层和所述第四子层之间，所述第二聚合材料的粘度小于所述第一聚合材料的粘...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。