电光装置和电子设备制造方法及图纸

一种电光装置，其特征在于，具备被夹置在一对第１和第２基板间的电光学物质； 在所述第１基板上，具备： 像素电极； 对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管； 将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；以及 将扫描信号供给所述薄膜晶体管的同时与所述数据线交叉的扫描线； 在所述第２基板上，具备从上侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域的第１遮光膜； 其中，所述第１遮光膜在平面地看所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各像素的开口区域中规定切角； 所述沟道区域被配置在所述交叉区域内。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有源矩阵驱动方式的电光装置和电子设备的
，特别涉及在基板上的层积结构中具备像素开关用的薄膜晶体管(以下简称TFT(Thin Film Transistor))的形式的电光装置和具备这样的电光装置的投影器等电子设备的
因此，以往在设置于对置基板的各像素中，构成为通过对有助于显示的光透过或反射的开口区域进行规定的遮光膜，或者通过TFT之上并且由Al(铝)等金属膜构成的数据线，来对这样的沟道区域和其相邻区域进行遮光。而且，在TFT阵列基板上像素开关用TFT的下侧，例如有时还设置高熔点金属构成的遮光膜。这样，如果在TFT的下侧也设置遮光膜，则可预先防止来自TFT阵列基板一侧的里面反射光、在通过组合棱镜等将多个电光装置组合构成一个光学系统的情况下从其他电光装置穿过棱镜等过来的投射光等的返回光入射到该电光装置的TFT。但是，根据上述的各种遮光技术，有以下的问题。即，首先，根据在对置基板上、TFT阵列基板上等形成遮光膜的技术，在遮光膜和沟道区域之间，三维地观察，例如中间介有液晶层、电极、层间绝缘膜等形成相当大的间隙，对于向两者间倾斜入射的光的遮光不充分。特别是在用作投影机的光阀的小型电光装置中，入射光是将来自光源的光用透镜集中的光束，含有不能忽略的倾斜入射的分量。例如，包含10％左右从垂直于基板的方向倾斜10度到15度左右的分量，所以对这样的倾斜入射光的遮光不充分成为实际的问题。此外，从没有遮光膜的区域侵入到电光装置内的光，由基板或基板上形成的遮光膜的上面、数据线等反射后，存在这样的反射光或使其再次由基板或遮光膜、数据线等反射的多重反射光最终到达TFT的沟道区域的情况。特别是为了满足近年来显示图像的高质量化的一般需要，与实现电光装置的高清晰化或像素间距的微细化相关联，与为了显示更明亮的图像而提高入射光的光强度相关联，根据上述现有的各种遮光技术，施加充分的遮光更加困难，存在因TFT晶体管特性的变化而产生闪烁等，显示图像的质量下降的问题。再有，为了提高这样的耐光性，也可考虑简单地扩大遮光膜的形成区域，但在这种方案中，提高各像素的开口率十分困难，存在显示图像变暗的问题。为了解决上述课题，本专利技术的电光装置其特征在于，具备被夹置在一对第1和第2基板间的电光学物质；在所述第1基板上(above)，具备像素电极；对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；将图像信号供给该薄膜晶体管的数据线；以及将扫描信号供给所述薄膜晶体管的同时与所述数据线交叉的扫描线；在所述第2基板上，具备从上侧覆盖构成所述薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域的第1遮光膜；其中，所述第1遮光膜在平面地看所述数据线和所述扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出来的伸出部，从而在对应于所述像素电极的各像素的开口区域中规定切角；所述沟道区域被配置在所述交叉区域内。根据本专利技术的电光装置，在其工作时，例如在薄膜晶体管的源极上，通过数据线来供给图像信号，在薄膜晶体管的栅极上通过扫描线来供给扫描信号。于是，例如通过对连接到薄膜晶体管的漏极的像素电极由薄膜晶体管进行开关控制，可进行有源矩阵驱动方式的驱动。再有，在第2基板上，例如设置与像素电极相对配置的对置电极，在该对置电极和像素电极之间进行电压施加。或者，在横向电场驱动方式的情况下，不需要这样的对置电极，可在相邻的像素电极间进行电压施加。而且，因为构成薄膜晶体管的半导体层的至少沟道区域和其相邻区域被第2基板上形成的第1遮光膜从其上侧覆盖，所以基本上可以阻止相对于基板面来自上方的入射光入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。这里，特别是第1遮光膜，在数据线和扫描线相交叉的交叉区域中具有伸出的伸出部，从而在各像素的开口区域中规定切角。例如，如果以四角形的开口区域为基准，则成为一至四个切角，可规定五角形至八角形的开口区域。然后，将沟道区域配置在有这样的切角的交叉区域内。因此，与不存在这样的伸出部的情况相比，通过具有伸出部的第1遮光膜，可以有效地阻止相对于基板面从上方垂直或倾斜行进的强的入射光、以及基于该入射光的内面反射光和多重反射光入射到薄膜晶体管的沟道区域和其相邻区域。这些结果，可提高各像素的开口率，同时可有效地降低薄膜晶体管中的光漏泄电流的产生、偏差等引起的显示不匀或闪烁等，最终可显示明亮的高质量的图像。在本专利技术的电光装置的另一方式中，所述沟道区域被配置在所述交叉区域的中央。在该方式中，沟道区域被配置在交叉区域的中央，特别是从光通过的各像素的开口区域分离仅在存在切角的程度。因此，可高效率提高对于沟道区域的遮光性。再有，‘配置在交叉区域的中央’指除了沟道区域的中心点与交叉区域的重心等的中心点一致的情况以外，还包含沟道区域位于在交叉区域内从其边缘至少多少处于偏向其中心点一侧的情况。在本专利技术的电光装置的另一方式中，在所述第2基板上(above)，还具备与所述像素电极相对配置的微透镜，将所述第1遮光膜形成在相对于所述交叉区域的区域中。根据该方式，入射光通过微透镜被导入到各像素的开口区域的中央附近。这里，特别是入射到阵列状地排列的微透镜的靠边界的四角的入射光，因透镜的性质而难以适当聚光或不能适当聚光。但是，因为通过伸出部，可以将由这样的微透镜不能适当聚光的光分量进行遮光，所以可维持亮度，同时实现提高图像质量。在本专利技术的电光装置的另一方式中，将所述第1遮光膜在所述交叉区域中分别形成为岛状。根据该方式，通过在交叉区域形成岛状并且具有伸出部的第1遮光膜，可以集中遮光沟道区域和其相邻区域。特别是如果形成这样的岛状结构，则因为可以减小第2基板上形成的遮光膜的总面积，所以可以有效地阻止制造过程中的贴合第1及第2基板时的组装偏移造成的各像素开口区域变窄。此外，通过形成岛状，还可以降低在第2基板中第1遮光膜产生的应力。或者在本专利技术的电光装置另一方式中，将所述第1遮光膜形成在包含所述交叉区域的沿所述扫描线或所述数据线延伸的条状的区域中。根据该方式，通过在包含交叉区域的条状的区域中形成并且具有伸出部的第1遮光膜，可局部地提高对于沟道区域和其相邻区域的遮光性能。而且，还可以对沿扫描线或数据线的条状的整个区域进行遮光，通过第1遮光膜，还可规定在各像素的格子状的非开口区域中沿扫描线或数据线的区域。在本专利技术的电光装置另一方式中，所述第1遮光膜，被形成在沿包含所述交叉区域的所述扫描线和所述数据线延长的格子状的区域中。根据该方式，通过在包含交叉区域的格子状的区域中形成并具有伸出部的第1遮光膜，可局部地提高对于沟道区域和其相邻区域的遮光性能。而且，可对沿扫描线和数据线的格子状的所有区域进行遮光，通过第1遮光膜，还可完全规定各像素的非开口区域。在本专利技术的电光装置另一方式中，在所述第1基板上(above)，还包括至少从上侧覆盖所述沟道区域的上侧遮光膜。根据该方式，至少可以通过第1遮光膜和上侧遮光膜进一步可靠地阻止相对于基板面来自上方的入射光及由其引起的内面反射光或多重反射光入射到薄膜晶体管的沟道区域。而且，还可以单独通过这样的第1遮光膜或通过第1遮光膜和上侧遮光膜来规定各像素的非开口区域。再有，这样的上侧遮光膜也可以同时兼作构成连接到像素电极的存储电容的固定电位侧电容电极或包含该固定电位侧电容电极的电容线。或者，也可以兼作存储电容的像素电位侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：村出正夫，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：