显示装置制造方法及图纸

技术编号:2716249 阅读:171 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种显示装置,其特征在于,包括:形成在基板的上表面侧的信号线;除了其端子部以外覆盖上述信号线地形成的绝缘膜;以及横穿上述端子部地沿着上述信号线的延伸方向延伸的导电层;在上述导电层的与延伸方向平行的各边和上述绝缘膜之间具有间隙,并在与该间隙相当的部分的上述信号线上形成有沿着其延伸方向的孔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示装置,尤其是其信号线的端子结构。
技术介绍
例如,有源阵列型显示装置的结构为在其基板上的各像素中具有开关元件,由提供给栅极信号线的扫描信号使成排并列设置的各像素的开关元件导通,从而将提供给各漏极信号线的图像信号通过这些各开关元件提供给各像素。为此,在由上述像素的集合体构成的显示部的周边,分别并列设置和形成着用于将扫描信号提供给各栅极信号线的端子、及用于将图像信号提供给各漏极信号线的端子。而且,上述各端子,其构成为,在由绝缘膜覆盖的上述信号线的端子部,通过在绝缘膜上开孔而使该信号线的一部分露出,并形成导电层来覆盖该露出的部分及开孔后的绝缘膜的周边。另外,在按这种方式构成的显示装置中,在其制造时通常是作为上述基板,使用稍大一些的基板,而对于上述各端子,使信号线沿着与像素侧相反一侧的方向延伸形成,并由另一布线层使这些各信号线共通地连接,在制造结束前,将形成着上述布线层的部分连基板一起切掉。之所以由上述布线层将各信号线共通地连接,是由于例如,当有静电侵入了一个端子时可以将静电通过上述布线层分散到各信号线,从而能防止上述静电对上述开关元件的破坏。
技术实现思路
但是,上述的显示装置被指出有这样的问题当有静电侵入了从绝缘膜露出的,例如一个端子时,该端子本身因该静电产生的焦耳热而被破坏,因此使与该端子连接的信号线与上述布线层的连接断开,从而不能取得分散静电的效果,并使与该端子连接的信号线所连接着的开关元件被破坏。本专利技术是根据上述情况而做出的,其优点在于提供一种具有可以消除静电所造成的损害的端子的显示装置。以下,简单地说明本申请书中所公开的专利技术中代表性的专利技术的概要。(1)本专利技术的显示装置,其特征在于,例如,包括形成在基板的上表面侧的信号线;避开上述信号线的端子部形成区域,并使以该端子部形成区域为间隔的一侧的上述信号线与另一侧的上述信号线电连接而形成的布线层;以及在上述端子部形成区域开有孔,并覆盖上述信号线及布线层地形成的绝缘膜。(2)本专利技术的显示装置,其特征在于例如,包括形成在基板的上表面侧的信号线;除了其端子部以外覆盖上述信号线地形成的绝缘膜;以及横穿上述端子部地沿着上述信号线的延伸方向延伸的导电层;在上述导电层的与延伸方向平行的各边和上述绝缘膜之间具有间隙,并在与该间隙相当的部分的上述信号线上形成有沿着其延伸方向的孔。(3)本专利技术的显示装置,其特征在于例如,以(2)的结构为前提,并在显示区域内具有栅极信号线和漏极信号线,上述信号线的材料与该栅极信号线的材料相同,上述导电层的材料与该漏极信号线的材料相同。(4)本专利技术的显示装置,其特征在于例如,以(2)的结构为前提,并在显示区域内具有栅极信号线、漏极信号线及在该各信号线之间形成的层间绝缘膜,上述绝缘膜的材料,与该层间绝缘膜的材料相同。(5)本专利技术的显示装置,其特征在于,例如,包括形成在基板的上表面侧的信号线;在该信号线的端子部,隔着第1绝缘膜形成在该信号线的下层,并横穿该信号线的半导体层;也覆盖上述信号线地形成在上述基板上,并在上述半导体层的形成区域形成了开孔的第2绝缘膜;上述信号线的延伸方向的各边与配置在该信号线的两侧的上述各半导体层连接的导电层;上述半导体层,通过以上述信号线为掩膜导入杂质而实现低电阻化。(6)本专利技术的显示装置,其特征在于例如,以(5)的结构为前提,并在显示区域内具有栅极信号线和漏极信号线,上述信号线的材料与该栅极信号线的材料相同,上述导电层的材料与该漏极信号线的材料相同。(7)本专利技术的显示装置,其特征在于例如,以(5)的结构为前提,并在显示区域内具有薄膜晶体管,上述半导体层的材料,与该薄膜晶体管的半导体层的材料相同。(8)本专利技术的显示装置,其特征在于例如,以(5)的结构为前提,并在显示区域内具有薄膜晶体管,上述第1绝缘膜的材料,与该薄膜晶体管的栅极绝缘膜的材料相同。(9)本专利技术的显示装置,其特征在于例如,以(5)的结构为前提,并在显示区域内具有栅极信号线、漏极信号线及在该各信号线之间形成的层间绝缘膜,上述第2绝缘膜的材料,与该层间绝缘膜的材料相同。另外,本专利技术,并不限定于以上的结构,在不脱离本专利技术的技术思想的范围内可以进行各种变更。附图说明图1A~图1D是表示本专利技术显示装置的端子部结构的一实施例的结构图。图2A~图2B是表示本专利技术显示装置的一实施例的简略结构图。图3A~图3D是表示本专利技术显示装置的制造工序中的端子部及其附近的结构的一实施例的结构图。图4A~图4H是表示本专利技术显示装置的端子部制造方法的一实施例的工序图。图5A~图5H是表示本专利技术显示装置的端子部制造方法的另一实施例的工序图。图6A~图6D是表示本专利技术显示装置的端子部结构的另一实施例的结构图。图7A~图7D是表示本专利技术显示装置的制造工序中的端子部及其附近的结构的另一实施例的结构图。图8A~图8L是表示本专利技术显示装置的端子部制造方法的另一实施例的工序图。图9是表示本专利技术显示装置的端子部结构的另一实施例的剖面图。图10是表示本专利技术显示装置的端子部结构的另一实施例的剖面图。具体实施例方式以下,用附图说明本专利技术显示装置的实施例。实施例1图2A是表示本专利技术的显示装置,例如液晶显示装置的总体的平面图。在图2A中,有一对隔着液晶彼此相对配置的透明基板SUB1、SUB2,该液晶,由密封材料SL封入,该密封材料SL兼带着一个透明基板SUB2对另一个透明基板SUB1进行固定的作用。在由密封材料SL围成的区域之中,在除了其很小的周边以外的中央区域上,按矩阵状配置了多个像素,这些像素的集合体,构成液晶显示部AR。该液晶显示部AR,如图2B所示,将由沿着其x方向延伸并在y方向上并列设置的栅极信号线GL和沿着y方向延伸并在x方向上并列设置的漏极信号线DL围出的区域作为像素区域,在该像素区域内,具有由来自一侧的栅极信号线GL的扫描信号导通的薄膜晶体管TFT、通过该薄膜晶体管TFT被提供来自一侧的漏极信号线DL的图像信号的像素电极PX。在透明基板SUB2的液晶侧的表面上,该像素电极PX与各像素区域内共通地形成的对置电极CT之间产生电场,并控制该像素的液晶的光透射率。另外,在各像素区域内,在与驱动该像素的薄膜晶体管TFT的栅极信号线GL、夹着该像素而配置的另一条栅极信号线GL和上述像素电极PX之间形成有电容元件Cadd,使提供给像素电极PX的图像信号能存储较长的时间。上述各条栅极信号线GL的各端,与靠近上述密封材料SL的内侧形成的扫描信号驱动电路V1、V2连接,并由该扫描信号驱动电路V1、V2将扫描信号依次地分别提供给各栅极信号线GL。另外,上述各条漏极信号线DL的例如图中的下端,与靠近上述密封材料SL的内侧形成的图像信号分区驱动电路Hd连接,并由该图像信号分区驱动电路Hd将图像信号分别提供给各漏极信号线DL。此外,还是在形成了上述图像信号分区驱动电路Hd的一侧的透明基板SUB1的端边,在上述密封材料SL的外侧,连接着向该图像信号分区驱动电路Hd提供信号的图像信号驱动电路H的输出端子。该图像信号驱动电路H,例如由以膜载方式形成的多个半导体装置TCP构成。这里,膜载方式的半导体装置TCP的结构是将半导体芯片安装在挠性基板的表面上,并将其输入凸起及输出凸起分别通过在该挠性基板上形成的布线层引出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置,其特征在于,包括形成在基板的上表面侧的信号线;避开上述信号线的端子部形成区域,并使以该端子部形成区域为间隔的一侧的上述信号线与另一侧的上述信号线电连接而形成的布线层;以及在上述端子部形成区域开有孔,并覆 盖上述信号线和布线层地形成的绝缘膜。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:落合孝洋小野记久雄桶隆太郎
申请(专利权)人:株式会社日立显示器
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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