用于电感等离子体源的改进的静电屏蔽件制造技术

本公开提供了用于电感等离子体源的静电屏蔽件。在一种实施方式中，等离子体处理装置可以包括等离子体室、形成等离子体室的至少一部分的电介质壁和位于电介质壁附近的电感耦合元件。在用射频(RF)能量激励该电感耦合元件时，该电感耦合元件可以在该等离子体室中产生等离子体。该等离子处理装置可以进一步包括位于该电感耦合元件与该电介质壁之间的静电屏蔽件。该静电屏蔽件可以包括多个屏蔽板、狭缝和/或层。和/或层。和/或层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电感等离子体源的改进的静电屏蔽件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求2019年1月11日提交的名称为“用于电感等离子体源的改进的静电屏蔽件(Improved Electrostatic Shield for Inductive Plasma Sources)”的美国专利申请第16/245,973号的优先权，该美国专利申请的全部内容通过援引并入本文。


[0003]本公开总体涉及用于等离子体处理装置和系统的静电屏蔽件。

技术介绍

[0004]等离子体处理工具可用于制造诸如集成电路、微机械设备、平板显示器等设备和其他设备。在现代等离子体蚀刻和/或剥离应用中使用的等离子体处理工具，需要提供高度的等离子体均匀性和多项等离子体控制，包括独立等离子体剖面控制、等离子体密度控制和离子能量控制。在一些情况下，等离子体处理工具可能需要在各种工艺气体中和各种不同条件(例如气流、气压等)下保持稳定的等离子体。

技术实现思路

[0005]本专利技术的各方面和优点将在下面的描述中部分地阐述，或者可以从描述中明显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子体处理装置，包括：等离子体室；电介质壁，所述电介质壁形成所述等离子体室的至少一部分；电感耦合元件，所述电感耦合元件位于所述电介质壁的附近，配置为在被射频(RF)能量激励时，在所述等离子体室中产生等离子体；和静电屏蔽件，所述静电屏蔽件位于所述电感耦合元件与所述电介质壁之间，所述静电屏蔽件包括多个屏蔽板，其中，每个屏蔽板靠近所述电介质壁的表面具有靠近所述电介质壁的至少一个边缘，所述边缘以大于或等于约1毫米的半径被圆形化。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，位于所述静电屏蔽件的两个相邻屏蔽板之间的间隙在约2毫米至约30毫米的范围内。3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述静电屏蔽件与所述电介质壁的外表面之间的间隙在约0.5毫米至约15毫米的范围内。4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述多个屏蔽板中的每个屏蔽板的厚度在约2毫米至约15毫米的范围内。5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述至少一个边缘的曲率半径在约1毫米至约15毫米的范围内。6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述静电屏蔽件通过可变阻抗被电接地。7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述静电屏蔽件包括第一层和第二层，所述第一层包括多个第一屏蔽板，所述第二层包括多个第二屏蔽板，其中，所述多个第一屏蔽板和所述多个第二屏蔽板各自具有椭圆形截面或圆形截面。8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其中所述多个第一屏蔽板和所述多个第二屏蔽板被布置成使得所述多个第一屏蔽板的两个相邻屏蔽板之间的每个间隙与所述多个第二屏蔽板的屏蔽板重叠，以阻挡从所述电感耦合元件到所述电介质壁的视线。9.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其中，所述多个第一屏蔽板和所述多个第二屏蔽板独立地电接地。10.一种等离子体处理装置，包括：等离子体室；电介质壁，所述电介质壁形成所述等离子体室的至少一部分；电感耦合元件，所述电感耦合元件位于所述电介质壁的附近，配置为在被射频(RF)能量激励时，在所述等离子体室中产生等离子体；和静电屏蔽件，所述静电屏蔽件位于所述电感耦合元件与所述电介质壁之间，所述静电屏蔽件包括多个狭缝，其中，所述多个狭缝中的每个狭缝相对于与所述电介质壁垂直的方向成角度，以产生从所述电感耦合元件到所述电介质壁的倾斜视线角度。11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，所述多个狭缝中的每个狭缝相对于与所述电介质壁垂直的方向成约45
°±
15
°
的角度。12.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，所述多个狭缝中的每...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：北京屹唐半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：