本发明专利技术公开一种远程等离子体输送管以及远程等离子体处理设备，涉及等离子体处理技术领域，以解决远程等离子体容易与等离子体输送管发生反应，产生副产物，从而导致最终的硅片成品率降低的技术问题。该远程等离子体输送管用于向工艺腔输送远程等离子体，远程等离子体输送管包括金属管，以及形成在所述金属管内壁的陶瓷结构，所述陶瓷结构用于隔离所述金属管与远程等离子体。远程等离子体处理设备包括上述技术方案所提供的远程等离子体输送管。述技术方案所提供的远程等离子体输送管。述技术方案所提供的远程等离子体输送管。
【技术实现步骤摘要】
一种远程等离子体输送管以及远程等离子体处理设备
[0001]本专利技术涉及远程等离子体处理
，尤其涉及一种远程等离子体输送管以及远程等离子体处理设备。
技术介绍
[0002]目前，通常使用等离子体处理设备对表面形成了氧化物的硅片进行处理。等离子体处理设备包括产生等离子体的等离子体发生器，放置硅片和对硅片进行等离子体处理的工艺腔，以及位于等离子体发生器与工艺腔之间的等离子体输送管。等离子体输送管用于将等离子体发生器产生的远程等离子体输送到工艺腔体内。
[0003]通常该远程等离子体中加入了具有刻蚀作用的气体，而等离子体输送管为金属管。远程等离子体容易与等离子体输送管发生反应，产生副产物，该副产物可能会随着等离子体进入工艺腔内。当该副产物进入到工艺腔内，掉落到待处理的硅片上时，会导致该硅片不符合成品要求，从而导致硅片成品率降低。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种远程等离子体输送管以及远程等离子体处理设备，以解决远程等离子体容易与等离子体输送管发生反应，产生副产物，从而导致最终的硅片成品率降低的技术问题。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种远程等离子体输送管，用于向工艺腔输送远程等离子体。远程等离子体输送管包括金属管，以及形成在金属管内壁的陶瓷结构，陶瓷结构用于隔离金属管与远程等离子体。
[0006]可选地，所述陶瓷结构为陶瓷涂层。
[0007]可选地，所述陶瓷结构为陶瓷管。
[0008]可选地，所述陶瓷管包括可拼接在一起的多个子陶瓷管。
[0009]可选地，所述陶瓷结构的厚度为10μm～500μm。
[0010]可选地，所述陶瓷管的横截面为圆形、椭圆形或者多边形中的一种。
[0011]可选地，所述陶瓷结构为氮化铝结构、氮化钛结构、氮化硅结构或者氮化钙结构中的一种。
[0012]可选地，所述金属管的横截面为圆形、椭圆形或者多边形中的一种。
[0013]可选地，所述金属管为铝管、铝合金管中的一种。
[0014]第二方面，本专利技术还提供了一种远程等离子体处理设备，包括远程等离子体输送管。
[0015]与现有技术相比，本专利技术提供的远程等离子体输送管中，金属管的内壁形成有陶瓷结构。由于陶瓷结构形成在金属管的内壁，当远程等离子体输送管中有流通的远程等离子体时，由于该陶瓷结构的存在，金属管不会直接与远程等离子体直接接触，避免了远程等离子体与金属管发生反应。而陶瓷结构由于其本身的耐腐蚀特性，不会产生其它副产物。故
本专利技术提供的远程等离子体输送管避免了由于远程等离子体与远程等离子体输送管发生反应产生副产物导致的硅片的成品率降低的问题。
附图说明
[0016]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0017]图1为现有技术中的一种远程等离子体处理设备；
[0018]图2为现有技术中的一种远程等离子体输送管的截面示意图；
[0019]图3为本专利技术提供的一种远程等离子体输送管的截面示意图；
[0020]图4为本专利技术提供的一种金属管与相应的陶瓷管的结构示意图；
[0021]图5为本专利技术提供的一种陶瓷管的结构示意图；
[0022]图6为本专利技术提供的一种远程等离子体输送管的结构示意图。
具体实施方式
[0023]以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
[0024]在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
[0025]在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。为了使本专利技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0026]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
[0027]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0028]当硅片表面产生氧化物后，氧化物会对后续制作的半导体器件的性能产生影响。故需要对硅片表面产生的氧化物进行去除。此时，可以采用远程等离子体处理设备对硅片
表面氧化物进行去除。图1示出了一种远程等离子体处理设备，参照图1，远程等离子体处理设备包括产生远程等离子体的远程等离子体发生器20，放置硅片和对硅片进行处理的工艺腔30，以及位于远程等离子体发生器20与工艺腔30之间的远程等离子体输送管10。远程等离子体输送管10用于将远程等离子体发生器20产生的远程等离子体输送到工艺腔体30内。
[0029]图2示出了现有技术中的一种远程等离子体输送管的截面示意图。参照图2，由于通常采用含氟的远程等离子体对硅片表面的氧化物进行处理，而远程等离子体输送管为金属管101。含氟的远程等离子体容易与金属管101
[0030](铝管)发生反应，产生副产物(氟化铝)，该副产物可能会随着远程等离子体进入工艺腔内。当该副产物进入到工艺腔内，掉落到待处理的硅片上时，会导致该硅片不符合成品要求，从而导致硅片成品率降低。
[0031]基于此，图3示出了本专利技术实施例提供的一种远程等离子体输送管的截面示意图。远程等离子体输送管道应用于远程等离子体处理设备中，远程等离子体处理设备包括远程等离子体发生器和工艺腔，远程等离子体输送管用于将远程等离子体发生器产生的远程等离子体输送至工艺腔内。参照图3，远程等离子体输送管包括金属管101，以及形本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种远程等离子体输送管，其特征在于，用于向工艺腔输送远程等离子体，所述远程等离子体输送管包括金属管，以及形成在所述金属管内壁的陶瓷结构，所述陶瓷结构用于隔离所述金属管与所述远程等离子体。2.根据权利要求1所述的远程等离子体输送管，其特征在于，所述陶瓷结构为陶瓷涂层。3.根据权利要求1所述的远程等离子体输送管，其特征在于，所述陶瓷结构为陶瓷管。4.根据权利要求3所述的远程等离子体输送管，其特征在于，所述陶瓷管包括可拼接在一起的多个子陶瓷管。5.根据权利要求3所述的远程等离子体输送管，其特征在于，所述陶瓷管的横截面为圆形、椭圆形或者多边形中的一种。6....
【专利技术属性】
技术研发人员：金暻台，白国斌，高建峰，王桂磊，崔恒玮，丁云凌，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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