透明导电薄膜及包含其的触控面板制造技术

一种透明导电薄膜及包含其的触控面板，包括一基板；以及一导电网格薄膜，形成于该基板上；其中，该导电网格薄膜由多个纳米银线搭接而成，且该透明导电薄膜经弯折250,000次后，该导电网格薄膜的电阻值变化率小于1％。导电网格薄膜的电阻值变化率小于1％。导电网格薄膜的电阻值变化率小于1％。

【技术实现步骤摘要】
透明导电薄膜及包含其的触控面板


[0001]本技术涉及一种透明导电薄膜及包含其的触控面板，尤其涉及用于可挠性触控面板的一种透明导电薄膜及包含其的可挠性触控面板。

技术介绍

[0002]近年来，触控面板的应用范围越来越广泛，更多电子产品增加了触控面板以提供使用者直接进行操作或下达指令的功能，而其中，可挠性触控面板的需求日渐增加，为了符合该需求，近年来出现了许多替代氧化铟锡(ITO)的导电材料，以提供良好的可挠性质以及优异的导电性。
[0003]其中，网格化的铜金属薄膜经常替代氧化铟锡薄膜做为触控面板中导电薄膜，然而，铜金属网格一直存在黄化指数(b*值)过高以及反光的光学问题，且规则的网格图案的铜反光容易产生建设性干涉，形成所谓摩尔纹(moire effect)的问题，故为了避免铜金属网格产生的光学问题影响导电薄膜的光穿透度，通常会在铜金属网格上进行黑化处理以降低其可视性，或是进一步缩小铜金属网格的线宽。然而，不论是黑化处理或缩小网格的线宽，都会增加导电薄膜的制备步骤并降低产品良率，另外，生产成本也会增加。
[0004]而纳米银线具有高导电性以及绝佳的柔韧度，但若利用纳米银线形成导电层，由于纳米银会产生表面电浆共振效应，使其在波长为320nm至420nm的范围会吸收紫外光，故由纳米银线所制备的导电膜会呈现黄色，进而影响显示面板输出图像的颜色。
[0005]因此，目前亟需一种新颖的透明导电薄膜及包含其的触控面板，以改善利用铜金属网格或纳米银线层制备的可挠性透明导电薄膜的光学缺陷以及提升产品的良率，同时提供优异的导电特性。

技术实现思路

[0006]有鉴于此，本技术提供了一种新颖的透明导电薄膜，包括：一基板；以及一导电网格薄膜，形成于该基板上；其中，该导电网格薄膜由多个纳米银线搭接而成，且该透明导电薄膜经弯折250,000次后，该导电网格薄膜的电阻值变化率小于1％。
[0007]在一实施例中，该透明导电薄膜的光穿透率大于90％。
[0008]在一实施例中，该导电网格薄膜包括多个纳米银线区以及多个空白区，所述纳米银线形成于所述纳米银线区，其中，每一所述纳米银线区的宽度为1至10μm，每一所述空白区的面积为100至200μm2。
[0009]在一实施例中，所述空白区的总面积与该导电网格薄膜的面积的比率为0.9至0.999。
[0010]在一实施例中，该导电网格薄膜还包括一硬涂层，覆盖或包覆所述纳米银线。
[0011]在一实施例中，该基板包括一显示区以及一非显示区，该导电网格薄膜形成于该显示区中。
[0012]在一实施例中，该透明导电薄膜还包括多个导线，形成于该基板的该非显示区中，
并与该导电网格薄膜导通，其中，所述导线由多个纳米银线搭接而成。
[0013]本技术还提供一种触控面板，该触控面板包括：一第一基板，具有一第一表面以及相反于该第一表面的一第二表面；一第一导电网格薄膜，形成于该第一基板的该第一表面上；以及一第二导电网格薄膜，设置于该第一基板的该第一表面的上方或设置于该第一基板的该第二表面上；其中，该第一导电网格薄膜及第二导电网格薄膜由多个纳米银线搭接而成，且该触控面板经弯折250，000次后，该第一导电网格薄膜及第二导电网格薄膜的电阻值变化率小于1％。
[0014]在一实施例中，该触控面板还包括一第二基板以及一粘着层，该第二基板具有一上表面以及相反于该上表面的一下表面，该第二导电网格薄膜形成于该第二基板上，该粘着层形成于该第二基板与该第一导电网格薄膜之间。
[0015]在一实施例中，该第二导电网格薄膜形成于该第一基板的该第二表面上。
[0016]在一实施例中，该触控面板还包括一绝缘层，形成于该第一导电网格薄膜上，其中，该第二导电网格薄膜形成于该绝缘层上。
[0017]在一实施例中，该第一导电网格薄膜及该第二导电网格薄膜各自包括多个纳米银线区以及多个空白区，所述纳米银线形成于所述纳米银线区，其中，每一所述纳米银线区的宽度为1至10μm，每一所述空白区的面积为100至200μm2。
[0018]在一实施例中，该第一导电网格薄膜的所述空白区的总面积与该第一导电网格薄膜的面积的比率为0.9至0.999；该第二导电网格薄膜的所述空白区的总面积与该第二导电网格薄膜的面积的比率为0.9至0.999。
[0019]在一实施例中，该第一导电网格薄膜及该第二导电网格薄膜各自还包括一硬涂层，覆盖或包覆所述纳米银线。
[0020]在一实施例中，该第一基板具有一显示区以及一非显示区，其中，该第一导电网格薄膜形成于该显示区中，该第二导电网格薄膜对应该显示区而形成。
[0021]在一实施例中，该触控面板还包括多个第一导线以及多个第二导线，其中，该第一导线形成于该第一基板的该非显示区中，并与该第一导电网格薄膜导通；该第二导线对应该非显示区而形成，并与该第二导电网格薄膜导通，其中，该第一导线以及该第二导线由多个纳米银线搭接而成。
[0022]本技术所提供的透明导电薄膜以及其制备方法中，在图案化纳米银线层时，利用形成于其上的保护层作为光阻，在利用蚀刻方法将该纳米银线层图案化，随后，不须进一步移除作为光阻的该保护层，且该保护层对于该纳米银线层有保护作用，借此改善图案化纳米银线层的良率。
[0023]另外，在本技术中所记载的“上”或“上方”仅是用来表示相对的位置关系，例如，一导电网格薄膜形成于一基板“上”可包含该导电网格薄膜与该基板直接接触的情况，或者，亦可包含该导电网格薄膜与该基板之间有其他额外的元件，使得该导电网格薄膜与该基板之间并无直接的接触。
[0024]此外，本技术中所记载的“第一”、“第二”仅是方便说明，与数量或排列顺序无关，例如，该“第一导电网格薄膜”、及“第二导电网格薄膜”均可被理解为导电网格薄膜。
附图说明
[0025]图1是本技术第一实施例的透明导电薄膜的剖面图；
[0026]图2是本技术第一实施例的透明导电薄膜的俯视图；
[0027]图3是本技术第二实施例的触控面板的剖面图；
[0028]图4是本技术第二实施例的基板以及纳米银线层的剖面图；
[0029]图5是本技术第二实施例中在图4的结构上图案化纳米银线层的剖面图；
[0030]图6是本技术第二实施例中将第一透明导电薄膜与第二透明导电薄膜贴合的剖面图；
[0031]图7是本技术第三实施例的触控面板的剖面图；
[0032]图8是本技术第三实施例的基板以及纳米银线层的剖面图；
[0033]图9是本技术第三实施例中在图8的结构上图案化纳米银线层的剖面图；
[0034]图10是本技术第四实施例的触控面板的剖面图；
[0035]图11是本技术第四实施例的显示面板以及纳米银线层的剖面图；
[0036]图12是本技术第四实施例中在图11的结构上图案化该纳米银线层的剖面图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透明导电薄膜，其特征在于，包括：一基板；以及一导电网格薄膜，形成于该基板上；其中，该导电网格薄膜由多个纳米银线搭接而成，且该透明导电薄膜经弯折250,000次后，该导电网格薄膜的电阻值变化率小于1％。2.如权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，该透明导电薄膜的光穿透率大于90％。3.如权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，该导电网格薄膜包括多个纳米银线区以及多个空白区，所述纳米银线形成于所述纳米银线区，其中，每一所述纳米银线区的宽度为1至10μm，每一所述空白区的面积为100至200μm2。4.如权利要求3所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述空白区的总面积与该导电网格薄膜的面积的比率为0.9至0.999。5.如权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，该导电网格薄膜还包括一硬涂层，覆盖或包覆所述纳米银线。6.如权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于，该基板包括一显示区以及一非显示区，该导电网格薄膜形成于该显示区中。7.如权利要求6所述的透明导电薄膜，其特征在于，还包括多个导线，形成于该基板的该非显示区中，并与该导电网格薄膜导通，其中，所述导线由多个纳米银线搭接而成。8.一种触控面板，其特征在于，包括：一第一基板，具有一第一表面以及相反于该第一表面的一第二表面；一第一导电网格薄膜，形成于该第一基板的该第一表面上；以及一第二导电网格薄膜，设置于该第一基板的该第一表面的上方或设置于该第一基板的该第二表面上；其中，该第一导电网格薄膜及第二导电网格薄膜由多个纳米银线搭接而成，且该触控面板经弯折250,000次后，该第一导电网格薄膜及第二导电网格薄膜的电阻值变化率小于1％。9.如权利要求8所述的触控面板，其特征在于，还包括一第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧仲钦，练修成，蔡家扬，邱逸文，
申请(专利权)人：天材创新材料科技厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：