本发明专利技术公开了一种叠构结构，包含：一基材；一纳米银线层，其设置于该基材之上；以及一金属层，其设置于该纳米银线层之上，其中，该纳米银线层包含：多个纳米银线；以及铟锡氧化物，其覆盖该多个纳米银线，其中，该纳米银线层的区间厚度：铟锡氧化物的厚度的比例介于2.35～24之间。本发明专利技术还公开了一种包含上述叠构结构的触控感应器。触控感应器。触控感应器。
【技术实现步骤摘要】
叠构结构及触控感应器
[0001]本专利技术关于一种叠构结构，尤指一种包含纳米银线层的叠构结构。本专利技术也关于一种触控感应器，尤指一种包含上述叠构结构的触控感应器。
技术介绍
[0002]包含纳米银线及金属层的叠构结构可应用于触控感测器中。传统上的叠构结构中，纳米银线的表面会有保护层覆盖着，其材质为不具导电性的树酯，主要提供防刮伤、防止纳米银线剥落及提高纳米银线与基材的附着性等功能，且此保护层会永久留在纳米银线表面与基板上，故为了满足触控感测器在可视区中光学特性的需求，保护层须具备高穿透、低雾度、低b*的光学特性。
[0003]一般保护层因永久留在纳米银线表面上，其保护层厚度对于蚀刻工艺中的纳米银线蚀刻效率扮演重要的关键因素，且对于蚀刻液的选择性要求较高，不具导电性的保护层材质易使得接触阻抗提高，以及对于静电放电(Electrostatic discharge,ESD)抑制能力不佳。
技术实现思路
[0004]为改善先前技术的叠构结构中，使用不具导电性的树酯所造成的接触阻抗提高，以及对于ESD抑制能力不佳的问题，本专利技术提供新颖的叠构结构及触控感应器。
[0005]为达上述目的及其他目的，本专利技术提供一种叠构结构，包含：
[0006]一基材；
[0007]一纳米银线层，其设置于该基材之上；以及
[0008]一金属层，其设置于该纳米银线层之上，
[0009]其中，该纳米银线层包含：
[0010]多个纳米银线；以及
[0011]铟锡氧化物，其覆盖该多个纳米银线，
[0012]其中，该纳米银线层的区间厚度：铟锡氧化物的厚度的比例介于2.35～24之间。
[0013]上述的叠构结构，其中，该纳米银线层的区间厚度可介于40～120nm之间。
[0014]上述的叠构结构，其中，该纳米银线层中所包含铟锡氧化物的厚度可介于5～17nm之间。
[0015]上述的叠构结构，其中，该纳米银线层的表面电阻可为5～100ops。
[0016]上述的叠构结构，其中，可进一步包含：
[0017]一第二纳米银线层，其设置于该基材之下；以及
[0018]一第二金属层，其设置于该第二纳米银线层之下，
[0019]其中，该第二纳米银线层包含：
[0020]多个纳米银线；以及
[0021]铟锡氧化物，其覆盖该多个纳米银线，
[0022]其中，该第二纳米银线层的区间厚度：铟锡氧化物的厚度的比例介于2.35～24之间。
[0023]为达上述目的及其他目的，本专利技术也提供一种触控感测器，包含：
[0024]上述的叠构结构。
[0025]上述的触控感测器，其中，该触控感测器中所包含的叠构结构中的该纳米银线层及该金属层可被图案化。
[0026]上述的触控感测器，其中，该触控感测器可包含2层上述的叠构结构，且其中该纳米银线层及该金属层可被图案化。
[0027]上述的触控感测器，其中，该触控感测器中所包含的叠构结构中的该纳米银线层、该第二纳米银线层、该金属层及该第二金属层可被图案化。
[0028]本专利技术的叠构结构及触控感应器，可在不影响光学情况下能降低接触阻抗、抑制ESD影响及提升可靠度分析(Reliability Analysis,RA)下的耐受性。
附图说明
[0029]图1为本专利技术实施例1的叠构结构的示意图。
[0030]图2为本专利技术实施例2的叠构结构的示意图。
[0031]图3为本专利技术实施例3的触控感测器及其制备流程的示意图。
[0032]图4为本专利技术实施例4的触控感测器及其制备流程的示意图。
[0033]图5为本专利技术实施例5的触控感测器及其制备流程的示意图。
[0034]其中，附图标记：
[0035]10 叠构结构
[0036]10
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叠构结构
[0037]11 基材
[0038]11
’ꢀ
基材
[0039]12 纳米银线层
[0040]12
’ꢀ
纳米银线层
[0041]13 金属层
[0042]13
’ꢀ
金属层
[0043]20 叠构结构
[0044]22 第二纳米银线层
[0045]23 第二金属层
[0046]30 触控感测器
[0047]31 光阻
[0048]32 操作区域
[0049]33 走线区域
[0050]34 第二光阻
[0051]40 触控感测器
[0052]41 光阻
[0053]42 操作区域
[0054]43 走线区域
[0055]44 第二光阻
[0056]45 第三光阻
[0057]46 操作区域
[0058]47 走线区域
[0059]48 第四光阻
[0060]49 第一覆盖层
[0061]49
’ꢀ
第二覆盖层
[0062]50 触控感测器
[0063]51 光阻
[0064]52 操作区域
[0065]53 走线区域
[0066]54 第二光阻
[0067]Rx 感应电极
[0068]Tx 驱动电极
具体实施方式
[0069]以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术也可通过其他不同的具体实施例加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本专利技术的精神下进行各种修饰与变更。
[0070]除非文中另有说明，否则说明书及所附权利要求书中所使用的单数形式“一”及“该”包括复数含义。
[0071]除非文中另有说明，否则说明书及所附权利要求书中所使用的术语“或”包括“及/或”的含义。
[0072]实施例1
[0073]图1为本专利技术实施例1的叠构结构10的示意图。如图1所示，实施例1的叠构结构10包含：一基材11；一纳米银线层12，其设置于该基材11之上；以及一金属层13，其设置于该纳米银线层12之上，其中，该纳米银线层12包含：多个纳米银线部分；以及铟锡氧化物，其覆盖该多个纳米银线。
[0074]实施例1的叠构结构中，纳米银线层的区间厚度：铟锡氧化物的厚度的比例为8(40nm:5nm)，但本专利技术并不限于此，该比例只要介于2.35～24之间即可。本文中，纳米银线层的区间厚度是指纳米银线层的总体厚度，其包含多个纳米银线部分及铟锡氧化物。
[0075]实施例1的叠构结构中，基材的材料选用PET，但本专利技术并不限于此，其他合适的材料包含但不限于：COP、CPI及UTG。
[0076]实施例1的叠构结构中，纳米银线层的区间厚度为40nm，但本专利技术并不限于此，较佳地，纳米银线层的区间厚度介于40～1本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种叠构结构，其特征在于，该叠构结构包含：一基材；一纳米银线层，其设置于该基材之上；以及一金属层，其设置于该纳米银线层之上，其中，该纳米银线层包含：多个纳米银线；以及铟锡氧化物，其覆盖该多个纳米银线，其中，该纳米银线层的区间厚度：铟锡氧化物的厚度的比例介于2.35～24之间。2.如权利要求1所述的叠构结构，其特征在于，该纳米银线层的区间厚度介于40～120nm之间。3.如权利要求1所述的叠构结构，其特征在于，该纳米银线层中所包含铟锡氧化物的厚度介于5～17nm之间。4.如权利要求1至3任一项所述的叠构结构，其特征在于，该纳米银线层的表面电阻为5～100ops。5.如权利要求1至3任一项所述的叠构结构，其特征在于，进一步包含：一第二纳米银线层，其设置于该基材之下；以及一第二金属层，其设置于该第二纳米银线层之...
【专利技术属性】
技术研发人员：萧仲钦，练修成，邱逸文，萧启帆，
申请(专利权)人：天材创新材料科技厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：
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