透明导电薄膜、透明导电薄膜的制造方法以及触控面板技术

一种透明导电薄膜、透明导电薄膜的制造方法以及触控面板。透明导电薄膜包含：基板以及导电网格薄膜。基板具有第一表面。导电网格薄膜形成于基板的第一表面上，导电网格薄膜主要是由多条银纳米线组成，其中，导电网格薄膜包含多个网格，网格是由多条走线以及多个空白区组成，导电网格薄膜的面阻值为5Ω/sq

【技术实现步骤摘要】
透明导电薄膜、透明导电薄膜的制造方法以及触控面板


[0001]本专利技术有关于一种透明导电薄膜，尤指用于制备触控面板的一种透明导电薄膜以及透明导电薄膜的制造方法。

技术介绍

[0002]触控面板的应用范围越来越广泛，许多电子产品都提供了触控接口以提供用户直接进行操作或下达指令，使得电子产品更加人性化。目前触控面板的制备过程中，以往的金属网格是利用薄膜金属制成以达到良好的穿透性，然而，利用薄膜金属做成的金属网格的可挠性较差，较容易因为弯折而断裂。再者，一般而言，利用薄膜金属做成的金属网格需要额外的金属导线与周边区的线路连接，会产生较高的阻抗，进而造成信号的损耗以及失真的问题。因此，触控面板的结构及制作步骤都有待进一步的改进。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供了一种新颖的触控面板以及透明导电薄膜的制造方法，以达到简化制程步骤、降低制备成本以及环保的目的。
[0004]本专利技术的透明导电薄膜包含：基板以及导电网格薄膜。基板具有第一表面。导电网格薄膜形成于基板的第一表面上，导电网格薄膜主要是由多条银纳米线组成，其中，导电网格薄膜包含多个网格，网格是由多条走线以及多个空白区组成，导电网格薄膜的面阻值为5Ω/sq-30Ω/sq，每一走线的宽度为1微米-10微米，导电网格薄膜的穿透率大于85％。
[0005]在一实施例中，基板具有显示区及周边区，位于显示区的导电网格薄膜具有网格，位于周边区的导电网格薄膜具有多条导线，导线分别与走线电性连接。
[0006]在一实施例中，导线主要是由银纳米线组成，每一走线以及每一导线的面阻值为0.1Ω/sq-1Ω/sq。
[0007]在一实施例中，每一网格的面积为100平方微米至200平方微米。
[0008]在一实施例中，还包含：涂布层形成于导电网格薄膜上，用以保护导电网格薄膜，涂布层的厚度为40纳米。
[0009]在一实施例中，空白区的面积总和与银纳米线层的面积比率为0.9-0.999。
[0010]本专利技术更提供了一种透明导电薄膜的制造方法，包含：在基板的第一表面上涂布银纳米线层，其中银纳米线层主要是由多条银纳米线组成；图案化银纳米线层以形成导电网格薄膜，其中导电网格薄膜包含多个网格，网格是由多条走线以及多个空白区组成；以及形成透明导电薄膜。其中，导电网格薄膜的面阻值为5Ω/sq-30Ω/sq，每一走线的宽度为2微米-3微米，导电网格薄膜的穿透率大于85％。
[0011]在一实施例中，每一银线的面阻值为0.1ops-1ops。
[0012]在一实施例中，每一网格的面积为100平方微米至200平方微米。
[0013]在一实施例中，基板具有显示区及周边区，位于显示区的导电网格薄膜具有网格，位于周边区的导电网格薄膜具有多条导线，导线分别与走线电性连接。
[0014]在一实施例中，导线主要是由银纳米线组成，每一走线以及每一导线的面阻值为0.1Ω/sq-1Ω/sq。
[0015]在一实施例中，每一空白区的面积为100平方微米至200平方微米。
[0016]在一实施例中，还包含：在导电网格薄膜上涂布涂布层，其中，涂布层的厚度为40纳米。
[0017]在一实施例中，空白区的面积与银纳米线层的面积比率为0.9-0.999。
[0018]本专利技术更提供了一种触控面板，具有显示区以及周边区，触控面板包含：第一基板、第一导电网格薄膜以及第二导电网格薄膜。第一基板具有第一表面以及相反于第一表面的第二表面，第一导电网格薄膜形成于第一基板的第一表面上。第二导电网格薄膜，形成于第一导电网格薄膜上，其中，该第一导电网格薄膜以及该第二导电网格薄膜是由多条银纳米线组成。第一导电网格薄膜以及第二导电网格薄膜包含多个网格，网格是由多条走线以及多个空白区组成，第一导电网格薄膜以及第二导电网格薄膜的面阻值为5Ω/sq-30Ω/sq，每一走线的宽度为1微米-10微米，第一导电网格薄膜以及第二导电网格薄膜的穿透率大于85％。
[0019]在一实施例中，还包含黏着层，黏着层形成于第一导电网格薄膜以及第二导电网格薄膜之间。
[0020]在一实施例中，还包含第二基板以及黏着层，第二基板具有第三表面以及相反于第三表面的第四表面，第二导电网格薄膜是形成于第二基板的第三表面上，黏着层形成于第一导电网格薄膜以及第四表面之间。
[0021]本专利技术更提供了一种触控面板，具有显示区以及周边区，触控面板包含：第一基板、第一导电网格薄膜以及第二导电网格薄膜。第一基板具有第一表面以及相反于第一表面的第二表面，第一导电网格薄膜形成于第一基板的第一表面上。第二导电网格薄膜，形成于第一基板的第二表面上，其中，该第一导电网格薄膜以及该第二导电网格薄膜是由多条银纳米线组成。第一导电网格薄膜以及第二导电网格薄膜包含多个网格，网格是由多条走线以及多个空白区组成，第一导电网格薄膜以及第二导电网格薄膜的面阻值为5Ω/sq-30Ω/sq，每一走线的宽度为1微米-10微米，第一导电网格薄膜以及第二导电网格薄膜的穿透率大于85％。
[0022]本专利技术的透明导电薄膜、透明导电薄膜的制造方法以及触控面板，提出利用银纳米线构成的银纳米网格薄膜，其具有超低面阻值并且可以维持良好的穿透率，并且银纳米网格薄膜也具有良好的耐弯折性。再者，可以利用银纳米线组成的导线代替周边区的金属导线，解决以往连接金属导线与银纳米网格时产生的接触阻抗的问题，可以达到减少信号损耗及失真的功效。
附图说明
[0023]图1是根据本专利技术一些实施例所绘示的透明导电薄膜的俯视图；
[0024]图2是根据本专利技术一些实施例所绘示的透明导电薄膜的剖面图；
[0025]图3是根据本专利技术一些实施例所绘示的一种透明导电薄膜的制造方法的流程图；
[0026]图4是根据本专利技术一些实施例所绘示的透明导电薄膜的剖面示意图；
[0027]图5是根据本专利技术一些实施例所绘示的透明导电薄膜的剖面示意图；
[0028]图6是根据本专利技术一些实施例所绘示的触控面板的剖面示意图；
[0029]图7是根据本专利技术一些实施例所绘示的触控面板的剖面示意图；
[0030]图8是根据本专利技术一些实施例所绘示的触控面板的剖面示意图。
[0031]附图标记说明：
[0032]100：透明导电薄膜
[0033]110、610、710、720、810：基板
[0034]111、112、611、612、711、712、721、722、811、812：表面
[0035]120、620、630、730、740、820、830：导电网格薄膜
[0036]121：网格
[0037]122：空白区
[0038]123、621、631、731、741、821、831：走线
[0039]130、622、632、732、742、831、832：导线
[0040]140：银纳米线层
[0041]150：涂布层
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透明导电薄膜，包含：一基板，具有一第一表面；以及一导电网格薄膜，形成于该基板的该第一表面上，该导电网格薄膜主要是由多条银纳米线组成；其中，该导电网格薄膜包含多个网格，该些网格是由多条走线以及多个空白区组成，该导电网格薄膜的面阻值为5Ω/sq-30Ω/sq，每一该些走线的宽度为1微米-10微米，该导电网格薄膜的穿透率大于85％。2.如权利要求1所述的透明导电薄膜，其中，该基板具有一显示区及一周边区，位于该显示区的该导电网格薄膜具有该些网格，位于该周边区的该导电网格薄膜具有多条导线，该些导线分别与该些走线电性连接。3.如权利要求2所述的透明导电薄膜，其中，该些导线主要是由该些银纳米线组成，每一该些走线以及每一该些导线的面阻值为0.1Ω/sq-1Ω/sq。4.如权利要求1所述的透明导电薄膜，其中，每一该些空白区的面积为100平方微米至200平方微米。5.如权利要求1所述的透明导电薄膜，还包含：一涂布层，形成于该导电网格薄膜上，用以保护该导电网格薄膜，其中，该涂布层的厚度为40纳米。6.如权利要求1所述的透明导电薄膜，其中，该空白区的面积总和与该银纳米线层的面积比率为0.9-0.999。7.一种透明导电薄膜的制造方法，包含：在一基板的一第一表面上涂布一银纳米线层，其中该银纳米线层主要是由多条银纳米线组成；图案化该银纳米线层以形成一导电网格薄膜，其中该导电网格薄膜包含多个网格，该些网格是由多条走线以及多个空白区组成；以及形成一透明导电薄膜；其中，该导电网格薄膜的面阻值为5Ω/sq-30Ω/sq，每一该些走线的宽度为1微米-10微米，该导电网格薄膜的穿透率大于85％。8.如权利要求7所述的透明导电薄膜的制造方法，其中，该基板具有一显示区及一周边区，位于该显示区的该导电网格薄膜具有该些网格，位于该周边区的该导电网格薄膜具有多条导线，该些导线分别与该些走线电性连接。9.如权利要求8所述的透明导电薄膜的制造方法，其中，该些导线主要是由该些银纳米线组成，每一该些走线以及每一该些导线的面阻值为0.1Ω/sq-1Ω/sq。10.如权利要求7所述的透明导电薄膜的制造方法，其中，每一该些...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧仲钦，练修成，邱逸文，蔡家扬，
申请(专利权)人：天材创新材料科技厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：