MOS器件的制作方法及其版图技术

本申请公开了一种MOS器件的制作方法和版图，该方法包括：提供一衬底，衬底上形成有栅氧，栅氧上形成有栅极；在衬底上的目标区域覆盖光阻，衬底上暴露的区域是需要离子注入的区域；进行LDD注入，在栅极两侧的衬底中形成LDD区；其中，光阻与栅极的距离满足当MOS器件需要口袋注入时，口袋注入的离子不会注入至MOS器件的沟道区域。本申请通过在MOS器件的制作过程中，将光阻与栅极的距离设置为满足当MOS器件需要口袋注入时，口袋注入的离子不会注入至MOS器件的沟道区域，从而使得该MOS器件的版图可同时应用于需要口袋注入的工序和不需要口袋注入的工序，由于不需要设计和使用不同的版图，降低了制造成本。降低了制造成本。降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】
MOS器件的制作方法及其版图


[0001]本申请涉及半导体制作
，具体涉及一种金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor，MOS)器件的制作方法及其版图。

技术介绍

[0002]在半导体制作工艺中，MOS器件在低掺杂漏(lightly doped drain，LDD)注入中会有一次称作口袋(pocket)注入的大斜角注入(其与阱注入的离子类型相同)，形成口袋注入区，来抑制MOS器件的短沟道效应(short-channel effects)。
[0003]然而，口袋注入区的存在会在源漏结的周边引入一个突变势垒，且这个势垒不会随器件沟道长度变化，其存在会导致器件沟道长度缩小时，器件的失配特性较差；当口袋注入区的掺杂浓度降低和去掉时，由于突变势垒高度降低和消失，器件的失配特性会得到改善，但会影响短沟道器件的漏电特性。
[0004]鉴于此，相关技术中，对于MOS器件的制作工艺，需要根据其应用设计不同的版图和工序，制作需要口袋注入的MOS器件或不需要口袋注入的MOS器件，制作成本较高。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种MOS器件的制作方法及其版图，可以解决相关技术中需要针对需要口袋注入的MOS器件和不需要口袋注入的MOS器件设计不同的版图和工序所导致的制作成本较高的问题。
[0006]一方面，本申请实施例提供了一种MOS器件的制作方法，包括：
[0007]提供一衬底，所述衬底上形成有栅氧，所述栅氧上形成有栅极；
[0008]通过光刻工艺在所述衬底上的目标区域覆盖光阻，所述衬底上暴露的区域是需要离子注入的区域；
[0009]进行LDD注入，在所述栅极两侧的衬底中形成LDD区；
[0010]其中，所述光阻与所述栅极的距离满足当所述MOS器件需要口袋注入时，所述口袋注入的离子不会注入至所述MOS器件的沟道区域。
[0011]可选的，当所述MOS器件需要进行口袋注入时，所述口袋注入的方向与所述MOS器件的沟道的垂直方向的夹角为q；
[0012]所述口袋注入的方向与所述衬底所在平面的垂直方向的夹角为t；
[0013]所述光阻与所述栅极的距离为S，所述光阻的厚度为T；
[0014]所述q、所述t、所述S和所述T满足以下公式：
[0015]S＜T
·
tan(t)
·
sin(q)
[0016]可选的，所述进行LDD注入之前，还包括：
[0017]进行口袋注入，所述口袋注入的离子类型和所述LDD注入的离子类型不同；
[0018]当所述LDD注入的离子的类型为P(positive)型时，所述口袋注入的离子的类型为N(negative)型，当所述LDD注入的离子的类型为N型时，所述口袋注入的离子的类型为P型。
[0019]可选的，所述MOS器件应用于模拟电路。
[0020]可选的，所述MOS器件应用于数字逻辑电路。
[0021]另一方面，本申请实施例提供了一种MOS器件的版图，包括：
[0022]栅极图形；
[0023]光阻图形，所述光阻图形位于所述栅极图形的周侧，所述光阻图形与所述栅极图形的距离满足在通过所述版图对所述MOS器件进行制作的过程中，当所述MOS器件需要口袋注入时，所述口袋注入的离子不会注入至所述MOS器件的沟道区域。
[0024]可选的，当所述MOS器件的制作过程中不需要口袋注入时，所述MOS器件应用于模拟电路。
[0025]可选的，当所述MOS器件的制作过程中需要口袋注入时，所述MOS器件应用于数字逻辑电路。
[0026]本申请技术方案，至少包括如下优点：
[0027]通过在MOS器件的制作过程中，将光阻与栅极的距离设置为满足当MOS器件需要口袋注入时，口袋注入的离子不会注入至MOS器件的沟道区域，从而使得该MOS器件的版图可同时应用于需要口袋注入的工序和不需要口袋注入的工序，由于不需要设计和使用不同的版图，降低了制造成本。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1是本申请一个示例性实施例提供的MOS器件的制作方法的流程图；
[0030]图2是本申请一个示例性实施例提供的MOS器件的制作方法中，进行口袋注入的剖面示意图；
[0031]图3是本申请一个示例性实施例提供的MOS器件的制作方法中，进行口袋注入的立体示意图；
[0032]图4是本申请一个示例性实施例提供的MOS器件的制作方法中，进行LDD注入的剖面示意图；
[0033]图5是本申请一个示例性实施例提供的MOS器件的制作方法的流程图。
具体实施方式
[0034]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0035]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0036]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0037]此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0038]参考图1，其示出了本申请一个示例性实施例提供的MOS器件的制作方法的流程图，该方法包括：
[0039]步骤101，提供一衬底，衬底上形成有栅氧，栅氧上形成有栅极。
[0040]步骤102，通过光刻工艺在衬底上的目标区域覆盖光阻，衬底上暴露的区域是需要离子注入的区域。
[0041]步骤103，进行口袋注入。
[0042]参考图2，其示出了进行口袋注入的剖面示意图。如图2所示，衬底210上形成有栅氧220，栅氧220上形成有栅极230，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅氧，所述栅氧上形成有栅极；通过光刻工艺在所述衬底上的目标区域覆盖光阻，所述衬底上暴露的区域是需要离子注入的区域；进行LDD注入，在所述栅极两侧的衬底中形成LDD区；其中，所述光阻与所述栅极的距离满足当所述MOS器件需要口袋注入时，所述口袋注入的离子不会注入至所述MOS器件的沟道区域。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述MOS器件需要进行口袋注入时，所述口袋注入的方向与所述MOS器件的沟道的垂直方向的夹角为q；所述口袋注入的方向与所述衬底所在平面的垂直方向的夹角为t；所述光阻与所述栅极的距离为S，所述光阻的厚度为T；所述q、所述t、所述S和所述T满足以下公式：S＜T
·
tan(t)
·
sin(q)。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述进行LDD注入之前，还包括：进行口袋注入，所述口袋注入的离...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑜，陈华伦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：