一种太阳能硅晶片抗光衰处理上料装置及方法和抗光衰处理设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及太阳能硅晶片生产技术领域，尤其涉及一种太阳能硅晶片抗光衰处理上料装置及方法和太阳能硅晶片抗光衰设备。该装置包括上料输送带、硅晶片限位机构和硅晶片搬移机构；上料输送带和硅晶片限位机构都固定在工作台上，上料输送带输出端与太阳能硅晶片下表面相接触；硅晶片限位机构输出端与太阳能硅晶片两端面相接触；硅晶片搬移机构输出端与太阳能硅晶片上表面相接触，并且硅晶片搬移机构输出端分别与上料输送带和硅晶片输送装置输入端相衔接；该装置通过设置硅晶片限位机构提高整个设备的适用性，保证太阳能硅晶片的精确限位。位。位。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能硅晶片抗光衰处理上料装置及方法和抗光衰处理设备


[0001]本专利技术涉及太阳能硅晶片生产领域，尤其涉及一种太阳能硅晶片抗光衰处理上料装置及方法和太阳能硅晶片抗光衰设备。

技术介绍

[0002]目前，掺硼P型晶体硅太阳电池是占据光伏市场70％以上的产品，然而，该种太阳电池在使用的时候会出现效率下降的现象，该现象被称之为光致衰减。光衰研究就是将硅晶片置于光源下进行照射，测试其照射前后的电学性能并得到相对应的光衰减幅度。研究硅晶片的光衰减情况一般是将硅晶片放置于模拟太阳光发生器的光衰箱里进行光照，然后测试硅晶片的电学性能。而在研究硅晶片的光衰减情况时需要对太阳能硅晶片自动进行上下料以及光照处理，因此，处理过程用到的太阳能硅晶片抗光衰设备就显得尤为重要。
[0003]中国专利技术专利申请（公开号CN107046081A，公开日：20170815）公开了一种抗光衰炉，包括炉支架和多个恒流源，炉支架上设有循环输送硅片的输送装置，炉支架沿所述输送装置入料端至出料端依次设有预热区、光照区和冷却区，光照区的正上方设有若干组并排设置的LED灯光照模组，每组LED灯光照模组由多个具有水冷作用的LED灯条组成，每个LED灯条均由一个恒流源独立控制。一个恒流源独立控制一个LED灯条，使LED灯条具有超高光照强度的同时，又可以控制其发热的温度，使LED灯条在一个恒定的温度下工作。硅片进入本抗光衰炉的过程中，经过多组LED灯光照模组的强光照射，硅片氢钝化效果明显。
[0004]现有技术存在以下不足：1、对太阳能硅晶片上料时，采用两个气缸分别带动限位头运动到与太阳能硅晶片两侧面相接触的位置对输送带上的太阳能硅晶片进行限位；而采用气缸驱动时其运动的行程以及与气缸相连的限位头长度都是固定的，即一组气缸及限位头对应一种尺寸规格的太阳能硅晶片；当对不同规格的太阳能硅晶片进行上料限位时，需要更换限位气缸或者限位头的长度，降低了整个设备的适用性；同时，由于气缸制造精度一般较低，导致气缸驱动限位头时限位头的位置精度较低；容易造成限位头偏离限位位置与太阳能硅晶片过度接触损坏太阳能硅晶片或者与太阳能硅晶片接触不足不能限位的情况，从而不利于太阳能硅晶片的精确限位。2、对多余的定位治具进行缓存时，先用搬移装置将多余的定位治具搬移至缓存工位，需要使用时再用搬移装置将缓存工位上的定位治具搬移至治具输出工位；而此种缓存方式定位治具输入输出时都需要搬移装置搬运，还需要搬移装置完成下移抓取、平移输送和治具下落三个步骤才能完成定位治具的缓存，从而增加了设备的复杂度以及定位治具的缓存步骤；同时，太阳能硅晶片为硬脆材料，在搬运抓取上移和下落过程中产生的冲击力容易造成定位治具中堆叠的太阳能硅晶片相互挤压碰撞；从而引起太阳能硅晶片发生破裂，降低缓存过程中太阳能硅晶片质量。

技术实现思路

[0005]针对上述问题，本专利技术的一个目的是：提出通过设置硅晶片限位机构提高整个设
备的适用性，保证太阳能硅晶片的精确限位的一种太阳能硅晶片抗光衰处理上料装置及方法。本专利技术的另一个目的是：提出通过设置硅晶片抗光衰处理上料装置提高整个设备的适用性，保证太阳能硅晶片的精确限位；通过设置治具缓存机构减少定位治具的缓存步骤，提高缓存过程中太阳能硅晶片质量的一种太阳能硅晶片抗光衰设备。
[0006]为了实现上述的目的，本专利技术采用了以下的技术方案：一种太阳能硅晶片抗光衰处理上料装置，该装置包括上料输送带、硅晶片限位机构和硅晶片搬移机构；上料输送带和硅晶片限位机构都固定在工作台上，上料输送带输出端与太阳能硅晶片下表面相接触；硅晶片限位机构输出端与太阳能硅晶片两端面相接触；硅晶片搬移机构输出端与太阳能硅晶片上表面相接触，并且硅晶片搬移机构输出端分别与上料输送带和硅晶片输送装置输入端相衔接；上料输送带用于传输太阳能硅晶片；硅晶片限位机构用于对不同宽度的太阳能硅晶片进行输送定位；硅晶片搬移机构用于将太阳能硅晶片搬移至硅晶片输送装置中；硅晶片限位机构包括限位机架、限位电机、限位滚轴、第一限位头和第二限位头；限位电机输出端与限位滚轴相连接，并且限位滚轴与限位机架转动配合；第一限位头和第二限位头都包括限位连杆、限位导轨滑块和限位夹块；限位连杆一端与限位滚轴偏心铰接，限位连杆另一端与限位夹块相铰接；限位导轨滑块中的导轨固定在限位机架上，限位导轨滑块中的滑块与限位夹块相连接，并且限位夹块输出端与太阳能硅晶片侧端面相接触；限位电机用于驱动限位滚轴转动；限位滚轴用于带动第一限位头和第二限位头直线运动；限位夹块用于对不同宽度的太阳能硅晶片进行传输限位。
[0007]作为优选，限位滚轴包括限位芯轴、上限位滚轮和下限位滚轮；限位芯轴与限位机架转动配合，上限位滚轮和下限位滚轮分别固定在限位芯轴上下方；上限位滚轮与第二限位头中的限位连杆相偏心铰接，下限位滚轮与第一限位头中的限位连杆相偏心铰接。下限位滚轮为带轮，并且下限位滚轮与限位电机通过皮带相连接。
[0008]作为优选，限位夹块包括夹块底座和夹块头；夹块底座固定在限位导轨滑块中的滑块上；夹块底座下端与限位连杆铰接，夹块底座上端与夹块头相连接，并且夹块头输出端与太阳能硅晶片侧面相接触。夹块头包括夹块头固定座和夹块轴承；多个夹块轴承固定在夹块头固定座上，并且夹块轴承外表面与太阳能硅晶片侧面相接触。夹块轴承外表面材料为橡胶。
[0009]作为优选，硅晶片搬移机构包括搬移驱动电机和搬移吸盘；搬移驱动电机输出端与搬移吸盘相连接，搬移吸盘输出端与太阳能硅晶片上表面相接触，并且搬移吸盘输出端分别与上料输送带和硅晶片输送装置相衔接。搬移吸盘输出端为硅胶吸盘。
[0010]另外，本专利技术还公开了一种太阳能硅晶片上料方法，该方法采用所述一种太阳能硅晶片抗光衰处理上料装置，该方法包括以下的步骤：1）将太阳能硅晶片上料至上料输送带；2）限位电机动作带动限位芯轴转动，限位芯轴转动带动与之相连的限位连杆运动；限位连杆运动带动夹块底座沿着限位导轨滑块中的导轨运动，多个夹块轴承运动至与太阳能硅晶片侧面相接触位置对太阳能硅晶片进行限位；3）搬移驱动电机动作带动搬移吸盘运动将太阳能硅晶片吸取后搬移至硅晶片输送装置进料工位完成太阳能硅晶片上料过程。
[0011]另外，本专利技术还公开了一种太阳能硅晶片抗光衰设备，该设备包括工作台和固定
在工作台上的硅晶片抗光衰处理上料装置、硅晶片输送装置、光衰炉和下料装置；硅晶片抗光衰处理上料装置采用所述一种太阳能硅晶片抗光衰处理上料装置；硅晶片输送装置包括治具上料机构和治具缓存机构。
[0012]本专利技术采用上述技术方案的一种太阳能硅晶片抗光衰处理上料装置及方法的优点是：通过设置硅晶片限位机构；太阳能硅晶片上料至上料输送带后，限位电机动作带动限位芯轴转动，限位芯轴转动带动与之相连的限位连杆运动；限位连杆运动带动夹块底座沿着限位导轨滑块中的导轨运动，多个夹块轴承运动至与太阳能硅晶片侧面相接触位置对太阳能硅晶片进行限位；搬移驱动电机动作带动搬移吸盘运动将太阳能硅晶片吸取后搬移至硅晶片输送装置进料工位完成太阳能硅晶片上料过程。而限位电机能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能硅晶片抗光衰处理上料装置，其特征在于，该装置包括上料输送带（11）、硅晶片限位机构（12）和硅晶片搬移机构（13）；上料输送带（11）和硅晶片限位机构（12）都固定在工作台上，上料输送带（11）输出端与太阳能硅晶片下表面相接触；硅晶片限位机构（12）输出端与太阳能硅晶片两端面相接触；硅晶片搬移机构（13）输出端与太阳能硅晶片上表面相接触，并且硅晶片搬移机构（13）输出端分别与上料输送带（11）和硅晶片输送装置输入端相衔接；上料输送带（11）用于传输太阳能硅晶片；硅晶片限位机构（12）用于对不同宽度的太阳能硅晶片进行输送定位；硅晶片搬移机构（13）用于将太阳能硅晶片搬移至硅晶片输送装置中；硅晶片限位机构（12）包括限位机架（14）、限位电机（15）、限位滚轴（16）、第一限位头（17）和第二限位头（18）；限位电机（15）输出端与限位滚轴（16）相连接，并且限位滚轴（16）与限位机架（14）转动配合；第一限位头（17）和第二限位头（18）都包括限位连杆（171）、限位导轨滑块（172）和限位夹块（173）；限位连杆（171）一端与限位滚轴（16）偏心铰接，限位连杆（171）另一端与限位夹块（173）相铰接；限位导轨滑块（172）中的导轨固定在限位机架（14）上，限位导轨滑块（172）中的滑块与限位夹块（173）相连接，并且限位夹块（173）输出端与太阳能硅晶片侧端面相接触；限位电机（15）用于驱动限位滚轴（16）转动；限位滚轴（16）用于带动第一限位头（17）和第二限位头（18）直线运动；限位夹块（173）用于对不同宽度的太阳能硅晶片进行传输限位。2.根据权利要求1所述一种太阳能硅晶片抗光衰处理上料装置，其特征在于，限位滚轴（16）包括限位芯轴（161）、上限位滚轮（162）和下限位滚轮（163）；限位芯轴（161）与限位机架（14）转动配合，上限位滚轮（162）和下限位滚轮（163）分别固定在限位芯轴（161）上下方；上限位滚轮（162）与第二限位头（18）中的限位连杆（171）相偏心铰接，下限位滚轮（163）与第一限位头（17）中的限位连杆（171）相偏心铰接。3.根据权利要求1所述一种太阳能硅晶片抗光衰处理上料装置，其特征在于，下限位滚轮（163）为带轮，并且下限位滚轮（163）与限位电机（15）通过皮带相连接。4.根据权利要求1所述一种太阳能硅晶片抗...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐建方，王凤连，王莉霞，
申请(专利权)人：宁波初创产品设计有限公司，
类型：发明
国别省市：