图案化工艺与接触窗制造技术

一种图案化工艺，首先提供基板，此基板上已形成有介电层，且介电层上已形成有光刻胶材料层。接着，提供光刻掩膜，此光刻掩膜具有透光的光刻掩膜图案与位于透光的光刻掩膜图案周围的局部曝光图案。接下来，透过上述光刻掩膜对光刻胶材料层进行曝光。继之，对光刻胶材料层进行显影，以在光刻胶材料层中形成开口图案，且光刻胶材料层的开口图案的侧壁具有小于９０度的倾斜度。接下来，利用此光刻胶材料层对介电层进行蚀刻，以于介电层中形成接触窗开口。之后，移除光刻胶材料层。通过上述的局部曝光图案，可改变光刻掩膜图案边缘的曝光量，进而能够蚀刻出具有小于９０度的倾斜度的侧壁的图案，以改善后续沉积的薄膜的膜厚均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种图案化工艺与接触窗结构，且特别涉及一种应用于液晶显示器中的图案化工艺与接触窗结构。
技术介绍
显示器为人与信息的沟通界面，在诸多种类的显示器中，尤以液晶显示器的应用最为广泛。然而，随着液晶显示器技术的发展与快速前进，液晶显示器的工艺也不断地朝着高合格率以及工艺简化等方向发展。图1A～1E所示为公知的应用在液晶显示器中的一种图案化工艺的流程剖面示意图。请先参照图1A，首先，提供基板110，此基板110上已形成有材料层120与光刻胶材料层130。之后，在光刻胶材料层130上方设置光刻掩膜140，光刻掩膜140具有不透光的光刻掩膜图案142。接着，利用此光刻掩膜140对光刻胶材料层130进行曝光工艺150。请继续参照图1B，接着对曝光后的光刻胶材料层130进行显影，以形成图案化光刻胶层132。而一般为了使后续所形成的图案具有较平缓的侧壁，因此会对此图案化光刻胶层132进行加热工艺160，以使图案化光刻胶层132的边缘发生回流(re-flow)，进而形成如图1C所示的具有较平缓的侧壁134a的图案化光刻胶层134。请参照图1C，利用此具有较平缓的侧壁134a的图案化光刻胶层134作为蚀刻掩膜，对材料层120进行蚀刻工艺170，以形成如图1D所示的图案化材料层122，其具有较平缓的侧壁122a。之后，如图1E所示，再将图案化光刻胶层134去除。如上所述，在上述公知工艺中是以加热方式使得图案化光刻胶层134产生回流，而让其边缘产生形变成平缓的侧壁134a。因此当继续以此具有平缓的侧壁134a的图案化光刻胶层134为蚀刻掩膜，以进行蚀刻工艺170时，即可以使得图案化材料层122也能具有较平缓的侧壁122a。然而，由于公知技术是采用加热的方式，因此必须多一道加热步骤，所以此种方式会使得工艺时间增加，且还需要额外的加热装置。另外，在制造应用于液晶显示器中的接触窗时，由于填入接触窗开口的导电材料大多是使用金属氧化物(如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO))，所以此接触窗本身的接触阻抗与金属接触窗相比来说会较高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的就是在提供一种图案化工艺，适于制造具有平缓侧壁的图案化膜层，且此种方法不会增加工艺时间。本专利技术的再一目的是提供一种接触窗，其具有较大的接触面积因而能降低其接触阻抗。本专利技术提出一种图案化工艺，首先提供基板，此基板上已形成有介电层，且介电层上已形成有光刻胶材料层。接着，提供光刻掩膜，此光刻掩膜具有透光的光刻掩膜图案与位于透光的光刻掩膜图案周围的局部曝光图案。接下来，透过上述光刻掩膜对光刻胶材料层进行曝光。继之，对光刻胶材料层进行显影，以在光刻胶材料层中形成开口图案，且光刻胶材料层开口图案的侧壁具有小于90度的倾斜度。接下来，利用此光刻胶材料层对介电层进行蚀刻，以于介电层中形成接触窗开口。之后，移除光刻胶材料层。在本专利技术之一较佳实施例中，上述的局部曝光图案例如是由多个条状遮光图案所构成，且条状遮光图案例如是间隔地沿着透光的光刻掩膜图案的内部而设置。在本专利技术之一较佳实施例中，上述的局部曝光图案是由至少一个环状遮光图案所构成，且环状遮光图案设置于透光的光刻掩膜图案的内部。在本专利技术之一较佳实施例中，上述的接触窗开口的侧壁具有小于90度的倾斜度。在本专利技术之一较佳实施例中，上述的介电层的材质例如为氧化硅或氮化硅。本专利技术又提出一种接触窗，包括介电层与导电层。此介电层中具有接触窗开口，且接触窗开口上端的轮廓为不规则状，而导电层覆盖于接触窗开口内。在本专利技术之一较佳实施例中，上述的不规则状接触窗开口的侧壁具有小于90度的倾斜度。在本专利技术之一较佳实施例中，上述的介电层的材质例如为氧化硅或氮化硅。在本专利技术之一较佳实施例中，上述的导电层的材质例如为金属或金属氧化物。本专利技术因采用具有局部曝光图案的光刻掩膜，使得在曝光工艺中直接可形成具有倾斜度侧壁的图案化光刻胶层，并以此图案化光刻胶层为蚀刻罩幕，而可进一步蚀刻形成具有倾斜度侧壁的图案化膜层。如此一来，将可提升后续沉积的薄膜的膜厚均匀性，并提升产品制造的合格率。而本专利技术的接触窗，其开口上端的轮廓为不规则状，因此可提升接触窗的面积，进而降低接触阻抗。为让本专利技术之上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。附图说明图1A～1E为公知的应用在液晶显示器中的一种图案化工艺的流程剖面示意图。图2A～2E为本专利技术之一较佳实施例的一种图案化工艺的流程剖面示意图。图3A～3B为本专利技术一较佳实施例中两种具有遮光图案的光刻掩膜的俯视示意图。图4A～4E为本专利技术另一较佳实施例中的一种图案化工艺的步骤流程剖面示意图。图5A～5B为本专利技术一较佳实施例中制造接触窗开口图案的光刻掩膜的俯视示意图。图6A是依照本专利技术一较佳实施例的接触窗结构的俯视图。图6B为图6A中沿I-I’剖面线的剖面示意图。主要元件标记说明110基板120材料层122图案化材料层122a侧壁130光刻胶材料层132、134图案化光刻胶层134a侧壁140光刻掩膜142不透光之光刻掩膜图案150曝光工艺160加热工艺170蚀刻工艺 210、310基板220材料层222图案化材料层222a侧壁230光刻胶材料层232图案化光刻胶层232a侧壁240光刻掩膜242不透光之光刻掩膜图案244局部曝光图案246a条状遮光图案246b块状遮光图案250、350曝光工艺260、360蚀刻工艺320介电层330光刻胶材料层332接触窗开口图案340光刻掩膜342透光之光刻掩膜图案344局部曝光图案346a条状遮光图案346b环状遮光图案400接触窗410介电层 420导电层430接触窗开口I-I’剖面线具体实施方式图2A～2E为本专利技术之一较佳实施例的一种图案化工艺的流程剖面示意图。请先参照图2A，首先，提供基板210，此基板210上已形成有材料层220与光刻胶材料层230。在一较佳实施例中，基板210例如为玻璃基板，且材料层220的材质例如为金属、金属氧化物或半导体材料。倘若本专利技术的图案化工艺是应用于液晶显示器的工艺中，材料层220例如是预定形成栅极的膜层，或是预定形成源极/漏极的膜层，或是预定形成通道层的膜层，或是预定形成像素电极的膜层。请参照图2B，接着，提供光刻掩膜240，此光刻掩膜240具有不透光的光刻掩膜图案242与位于此不透光的光刻掩膜图案242周围的局部曝光图案244。透过光刻掩膜240对光刻胶材料层230进行曝光工艺250。请参照图2C，继续再对曝光后的光刻胶材料层230进行显影，以形成图案化光刻胶层232，其中图案化光刻胶层232的侧壁232a具有小于90度的倾斜度。之后，再利用此图案化光刻胶层232为蚀刻掩膜，对材料层220进行蚀刻工艺260，进而形成如图2D所示的图案化材料层222。继之，请参照图2E，移除图案化光刻胶层232。值得注意的是，上述图案化光刻胶层232是在曝光工艺250的时候，通过局部曝光图案244以改变不透光的光刻掩膜图案242周围的曝光量，因而使得光刻胶材料层232产生局部曝光，而产生具有侧壁232a的图案化光刻胶层232。在本专利技术之一较佳实施例中，上述的局部曝光图案244例如是由至少一个条状遮光图案所构成。图3A～3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图案化工艺，其特征在于包括：　　　　提供基板，该基板上已形成有介电层，且该介电层上已形成有光刻胶材料层；　　　　提供光刻掩膜，该光刻掩膜具有透光的光刻掩膜图案与位于该透光的光刻掩膜图案周围的局部曝光图案；　　　　透过该光刻掩膜对该光刻胶材料层进行曝光；　　　　对该光刻胶材料层进行显影，以在该光刻胶材料层中形成开口图案，且该光刻胶材料层的该开口图案的侧壁具有小于９０度的倾斜度；　　　　利用该光刻胶材料层对该介电层进行蚀刻，以于该介电层中形成接触窗开口；以及　　　　移除该光刻胶材料层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志鸿，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]