控制晶体内的晶格间距制造技术

通过使用电场形成和控制单分散粒子或单分散粒子混合物的粒子间距的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及晶体领域，特别是晶体中粒子之间的晶格间距的控制。
技术介绍
在现有技术中已知光子晶体在光电子学、激光、平面透镜、传感器、滤波器和显示装置中具有各式各样的应用。制造光子晶体的常用方法是使用胶体自组装为胶体晶体。该自组装工艺可以通过一系列不同的方法例如沉积、离心、过滤、切变调整(shear alignment)或蒸发沉积而实现。电场可用于组装胶体的密堆积阵列也是已知的。例如参见(Electrophoretic assembly of colloidal crystals with opticallytunable micropatterns R.C.Hayward，D.A.Saville & I.A.Aksay，Nature，404卷，56页，2000年)及其引用的参考文献。在″ElectricField-Reversible Three-Dimensional Colloidal Crystals″TieyingGong，David T.Wu，和David W.M.Marr，Langmuir，19卷，5967页，2003年和″Two-Dimensiona本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用电场控制基本上单分散的粒子或单分散粒子混合物的规则晶格的粒子间距的方法。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：D斯诺斯维尔，B文森特，C鲍尔，
申请(专利权)人：伊斯曼柯达公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]