模拟光耦的信号发送电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种模拟光耦的信号发送电路，所述信号发送电路包括依次连接的反压保护模块、电压钳位模块及隔离传输模块，所述反压保护模块与电源正极相连通以将电流信号传送至电压钳位模块；所述电压钳位模块包括相互串联的正温度系数支路和负温度系数支路，所述电压钳位模块的输出电压为正温度系数支路两端的正温度系数电压与负温度系数支路两端的负温度系数电压之和。先设置反压保护模块防止电源负极的电压高于电源正极，这相当于模拟了光耦的反偏截止特性。并且，通过调整正温度系数支路和负温度系数支路中的参数，可以使得电压钳位模块的输出电压接近于零温度系数，从而提高了输出电压的精度和延时。

【技术实现步骤摘要】
模拟光耦的信号发送电路
本技术涉及隔离驱动芯片领域，特别是一种模拟光耦的信号发送电路。
技术介绍
现有技术中，在信号传输时，可以采用光耦进行信号传输，例如电流从阳极流入阴极流出时，可以使得光耦的LED灯发光，从而使得光耦另一侧的光敏三极管接收到光信号，以实现将左侧的信号隔离传输给右侧。但是，光耦在信号传输过程中存在光衰，电流转换比会随时间温度变化，从而影响输出信号的延时和精度。另外，光耦传输比较慢，不适合于高速系统。并且，光耦的共模抑制比差，容易产生有误的脉冲。因此，必须设计一种模拟光耦且效率更高的信号发送电路。
技术实现思路
为解决上述问题之一，本技术提供了一种模拟光耦的信号发送电路，所述信号发送电路包括依次连接的反压保护模块、电压钳位模块及隔离传输模块，所述反压保护模块与电源正极相连通以将电流信号传送至电压钳位模块；所述电压钳位模块包括相互串联的正温度系数支路和负温度系数支路，所述电压钳位模块的输出电压为正温度系数支路两端的正温度系数电压与负温度系数支路两端的负温度系数电压之和。作为本技术的进一步改进，所述负温度系数支路包括第一三极管和第二三极管，所述第一三极管和第二三极管的基极互连、发射极均接电源负极，所述第一三极管的基极和集电极相互连接。作为本技术的进一步改进，所述第二三极管的面积是第一三极管的N倍，其中N＞1。作为本技术的进一步改进，所述正温度系数支路包括第一电阻，所述第一电阻一端接所述反压保护模块的输出端，另一端与所述负温度系数支路相串联；所述负温度系数支路还包括第二电阻，所述第二三极管的发射极通过第二电阻接入电源负极。作为本技术的进一步改进，所述负温度系数支路还包括第一mos管和第二mos管，所述第一mos管和第二mos管的栅极互相连接且与第一三极管的基极互联；所述第一电阻均与第一mos管和第二mos管的输入端相连接，第一mos管和第二mos管的输出端分别接入第一三极管和第二三极管的集电极。作为本技术的进一步改进，所述第一mos管和第二mos管均为PMOS管，且阈值电压相同。作为本技术的进一步改进，所述电压钳位模块的输出电压Vclamp为：其中，△Vbe为第二三极管和第一三极管的Vbe电压差，R1为第一电阻，R2为第二电阻，V1be为第一三极管的基极和发射极之间的电压差，Vth为第一mos管的阈值电压。作为本技术的进一步改进，所述电压钳位模块还包括环路增益支路，所述环路增益支路包括第三电阻、第三三极管；所述第三三极管的基极连接至第二三极管的集电极，发射极接电源负极，集电极通过第三电阻连接至电源正极。作为本技术的进一步改进，所述环路增益支路还包括第三mos管，所述第三mos管为PMOS，所述第三mos管的栅极接入第三电阻和第三三极管的集电极之间，所述第三mos管的源极接电源正极、漏极接电源负极。作为本技术的进一步改进，所述反压保护模块包括第四mos管，所述第四MOS管为PMOS管，所述第四mos管的栅极接入电源负极，源极接电源正极，漏极与所述电压钳位模块相连接。与现有技术相比，本技术中，先设置反压保护模块防止电源负极的电压高于电源正极，这相当于模拟了光耦的反偏截止特性。并且，所述电压钳位模块可根据传送过来的电流信号开始工作，并可将输出电压钳位在一个合适的大小，以进行后续的传输。并且，所述电压钳位模块包括正温度系数支路和负温度系数支路，正温度系数支路产生正温度系数电压，负温度系数产生负温度系数电压，因而通过调整正温度系数支路和负温度系数支路中的参数，可以使得电压钳位模块的输出电压接近于零温度系数，从而提高了输出电压的精度和延时。最后，该输出电压通过隔离传输模块进行传输到后级接收电路。附图说明图1为本技术模拟光耦的信号发送电路的结构示意图；图2为本技术模拟光耦的信号发送电路的电路图。具体实施例为了使本
的人员更好地理解本技术中的技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。如图1至图2所示提供了一种模拟光耦的信号发送电路，所述信号发送电路包括依次连接的反压保护模块1、电压钳位模块2及隔离传输模块3，所述反压保护模块1与电源正极相连通以将电流信号传送至电压钳位模块2；所述电压钳位模块2包括相互串联的正温度系数支路和负温度系数支路，所述电压钳位模块2的输出电压Vclamp为正温度系数支路两端的正温度系数电压与负温度系数支路两端的负温度系数电压之和。本技术中，在信号发送电路中，先设置反压保护模块1防止电源负极的电压高于电源正极，这相当于模拟了光耦的反偏截止特性。并且，所述电压钳位模块2可根据传送过来的电流信号开始工作，并可将输出电压Vclamp钳位在一个合适的大小，以进行后续的传输。并且，所述电压钳位模块2包括正温度系数支路和负温度系数支路，正温度系数支路产生正温度系数电压，负温度系数产生负温度系数电压，因而通过调整正温度系数支路和负温度系数支路中的参数，可以使得电压钳位模块2的输出电压Vclamp接近于零温度系数，从而提高了输出电压Vclamp的精度和延时。最后，该输出电压Vclamp通过隔离传输模块3进行传输。如图2所示，所述负温度系数支路包括第一三极管Q1和第二三极管Q2，所述第一三极管Q1和第二三极管Q2的基极互连、发射极均接电源负极，所述第一三极管Q1和基极和集电极相互连接。已知，三极管的基极和发射极之间的电压Vbe具有温度系数，且随着温度的升高而降低，即为负温度系数。从而，本技术的该实施方式中，所述第一三极管Q1的基极和发射极之间的电压V1be为负温度系数，第二三极管Q2的基极和发射极之间的电压V2be也为负温度系数。并且，由于两者的基极互联，从而第一三极管Q1和第二三极管Q2的基极电压相等。进一步的，所述第二三极管Q2的面积是第一三极管Q1的N倍，其中N＞1。而两个基极互联的三极管的Vbe的差值即△Vbe也具有温度系数，并且随着温度的升高而升高，即为正温度系数。由于，只有第二三极管Q2的面积是第一三极管Q1的N倍且N＞1的情况下，△Vbe＝VT*ln(N)，其中VT是正温度系数，从而△Vbe与温度正相关。因此，通过以上特性，从而可以设计正温度系数支路。具体的，所述正温度系数支路包括第一电阻R1，所述第一电阻R1一端接所述反压保护模块1的输出端，另一端与所述负温度系数支路相串联；所述负温度系数支路还包括第二电阻R2，所述第二三极管Q2的发射极通过第二电阻R2接入电源负极。因此，由于第二三极管Q2的发射极通过第二电阻R2接入电源负极，从而所述正温度系数支路的正温度系数电压Vtep+为：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种模拟光耦的信号发送电路，其特征在于，所述信号发送电路包括依次连接的反压保护模块、电压钳位模块及隔离传输模块，所述反压保护模块与电源正极相连通以将电流信号传送至电压钳位模块；所述电压钳位模块包括相互串联的正温度系数支路和负温度系数支路，所述电压钳位模块的输出电压为正温度系数支路两端的正温度系数电压与负温度系数支路两端的负温度系数电压之和。/n

【技术特征摘要】
1.一种模拟光耦的信号发送电路，其特征在于，所述信号发送电路包括依次连接的反压保护模块、电压钳位模块及隔离传输模块，所述反压保护模块与电源正极相连通以将电流信号传送至电压钳位模块；所述电压钳位模块包括相互串联的正温度系数支路和负温度系数支路，所述电压钳位模块的输出电压为正温度系数支路两端的正温度系数电压与负温度系数支路两端的负温度系数电压之和。


2.根据权利要求1所述的信号发送电路，其特征在于，所述负温度系数支路包括第一三极管和第二三极管，所述第一三极管和第二三极管的基极互连、发射极均接电源负极，所述第一三极管的基极和集电极相互连接。


3.根据权利要求2所述的信号发送电路，其特征在于，所述第二三极管的面积是第一三极管的N倍，其中N＞1。


4.根据权利要求2所述的信号发送电路，其特征在于，所述正温度系数支路包括第一电阻，所述第一电阻一端接所述反压保护模块的输出端，另一端与所述负温度系数支路相串联；所述负温度系数支路还包括第二电阻，所述第二三极管的发射极通过第二电阻接入电源负极。


5.根据权利要求4所述的信号发送电路，其特征在于，所述负温度系数支路还包括第一mos管和第二mos管，所述第一mos管和第二mos管的栅极互相连接且与第一三极管的基极互联；所述第一电阻均与第一mos管和第二mos管的输入端相连接，第一mos管和第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚晓寒，盛云，
申请(专利权)人：苏州纳芯微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32