一种基准电压产生电路制造技术

本实用新型专利技术涉及基准电压源领域，尤指一种基准电压产生电路，本实用新型专利技术提出了一种抗干扰能力强、温度系数低、输出电压可调、生产工艺简单以及价格成本低的薄膜晶体管集成基准电压源。该基准电压源主要由四个薄膜晶体管组成，两个单栅薄膜晶体管作为电流镜使得两支路电流相等，另外两个薄膜晶体管是漏极和栅极短接的双栅薄膜晶体管，对两个双栅薄膜晶体管的栅源电压进行差分以得到输出电压信号，有效地消除两支路间由工艺等因素造成的薄膜晶体管本身的差异；而双栅薄膜晶体管组成的基准电压源则能利用顶栅对底部阈值电压的调控作用来调节输出电压的大小，使得该基准电压电路更具灵活性和实用性。

【技术实现步骤摘要】
一种基准电压产生电路
本技术涉及基准电压源领域，尤指一种基准电压产生电路。
技术介绍
基准电压源作为集成电路芯片的关键模块，能稳定地对外输出，广泛应用于各种高精度电路中，如高精度AD与D/A转换电路、高精度集成运放、高精度电压比较器、高精度便携设备、片上系统(SOC)等。对于高精度电路与系统来说，精度是个非常重要的性能参数。带隙基准电压源具有电路结构简单和优越的温度特性，受到集成电路设计者的青睞，广泛应用于高精度电路与系统中。常见的集成基准电压源有三种：PN结二极管基准电压源、齐纳基准电压源、带隙基准电压源，如图1所示是基于PN结二极管的基准电压源，是简单且经济实惠获取基准电压源的方式，温度系数在2200ppm/℃。如图2所示是基于齐纳稳压管而实现的基准电压源，单个齐纳二极管的温度系数为1500～5000ppm/℃，但齐纳基准电压源抑制噪声能力较弱，较难应用到现代集成电路中。如图3所示是带隙基准电压源，通过两条支路电压的正负温度系数抵消，使得运算放大器输出与温度无关的基准电压。而现技术中集成基准电压源存在以下缺点：<br>1.PN结二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基准电压产生电路，其特征在于：包括恒压源(Vdd)、正极VTG电压源、负极VTG电压源、第一单栅薄膜晶体管(TFT1)、第二单栅薄膜晶体管(TFT2)、第一双栅薄膜晶体管(TFT3)、第二双栅薄膜晶体管(TFT4)；第一双栅薄膜晶体管(TFT3)、第二双栅薄膜晶体管(TFT4)均设置有顶栅极、背栅极；其中恒压源(Vdd)的正极端通过两个支路连接到第一单栅薄膜晶体管(TFT1)以及第二单栅薄膜晶体管(TFT2)的漏极，其中第一单栅薄膜晶体管(TFT1)、第二单栅薄膜晶体管(TFT2)的栅极短接，其中第一单栅薄膜晶体管(TFT1)的源级与第一双栅薄膜晶体管(TFT3)的漏极连接，第二单栅薄...

【技术特征摘要】
1.一种基准电压产生电路，其特征在于：包括恒压源(Vdd)、正极VTG电压源、负极VTG电压源、第一单栅薄膜晶体管(TFT1)、第二单栅薄膜晶体管(TFT2)、第一双栅薄膜晶体管(TFT3)、第二双栅薄膜晶体管(TFT4)；第一双栅薄膜晶体管(TFT3)、第二双栅薄膜晶体管(TFT4)均设置有顶栅极、背栅极；其中恒压源(Vdd)的正极端通过两个支路连接到第一单栅薄膜晶体管(TFT1)以及第二单栅薄膜晶体管(TFT2)的漏极，其中第一单栅薄膜晶体管(TFT1)、第二单栅薄膜晶体管(TFT2)的栅极短接，其中第一单栅薄膜晶体管(TFT1)的源级与第一双栅薄膜晶体管(TFT3)的漏极连接，第二单栅薄膜晶体管(TFT2)的源级与第二双栅薄膜晶体管(TFT4)的漏极连接；第一双栅薄膜晶体管(TFT3)的背栅极分别与自身的漏极短接，第二双栅薄膜晶体管(TFT4)的背栅极分别与自身的漏极短接；第一双栅薄膜晶体管(TFT3)和第二双栅薄膜晶体管(TFT4)的源极连接到恒压源(Vdd)的负极端；正极VTG电压源输出正极顶栅电压(VTG3)到第一双栅薄膜晶体管(TFT3)的顶栅极，负极VTG电压源输出负极顶栅电压(VTG4)到第二双栅薄膜晶体管(TFT4)的顶栅极；第一双栅薄膜晶体管(TFT3)的栅源电压(VGS3)与第二双栅薄膜晶体管(TFT4)的栅源电压(VGS4)的差值则输出为基准电压(Vout)；通过调节恒压源...

【专利技术属性】
技术研发人员：周忠义，刘兴慧，
申请(专利权)人：深圳知微创新技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44