一种封装结构以及功率放大器制造技术

本申请实施例公开了一种封装结构以及功率放大器，其中，该功率放大器包含本申请所公开的封装结构。本申请实施例公开的一种封装结构包括：第一元器件、第二元器件、印制电路板以及金属板；金属板具有蚀刻图案；印制电路板设置于金属板上，印制电路板中具有开槽；第一元器件设置于开槽中，第一元器件设置于金属板上；第一元器件与印制电路板连接；第二元器件设置于印制电路板上，第二元器件与印制电路板连接。在保证散热性能的前提下，提升封装结构的集成化程度。

【技术实现步骤摘要】
一种封装结构以及功率放大器
本申请涉及集成电路
，尤其涉及一种封装结构以及功率放大器。
技术介绍
无线电基站被广泛应用于各种移动通信领域，为了增大基站的覆盖范围，因此需要具有高输出功率的无线电基站。而高的输出功率将导致功率放大器(PA)产生较高的温度，因此，功率放大器具有良好的散热性能是至关重要的。此外，市场化的大规模生产也对制造成本和制造工艺的简化提出了要求。在一种功率放大器中，采用方形扁平无引脚封装(quadflatno-leadpackage，QFN)或/双向扁平无引脚封装(DFN)，具体结构为半导体芯片(die)的底部与金属板连接，金属板用于散热，半导体芯片通过邦定线(bondwire)连接到焊盘(pad)，半导体芯片通过焊盘输入或输出信号。在上述封装方式中，元器件必须使用半导体芯片粘接工艺才能连接至金属板，而功率放大器中的一些特殊的元器件例如采用表面贴装技术(surfacemountingtechnology，SMT)的表面贴装器件(surfacemountingdevices，SMD)，并不能连接至金属板。因此，这些元器件需要独立部署，造成整个功率放大器的集成化程度较低。因此，需要一种封装结构，在保证散热性能的前提下，提升封装结构整体的集成化程度。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种封装结构以及功率放大器，该功率放大器具有该封装结构。高功耗的第一元器件设置于金属板上利于散热，第二元器件设置于印制电路板上，有效避免了导体损耗。在保证第一元器件的散热以及第二元器件的功率效率的前提下，提升整体封装结构的集成化程度。本申请第一方面提供了一种封装结构，包括：第一元器件、第二元器件、印制电路板以及金属板；该金属板具有蚀刻图案，金属板为铜或铝等高导热金属材料；该印制电路板设置于该金属板上，该印制电路板中具有开槽，该印制电路板可以为一层或多层叠压的印制电路板(printedcircuitboard，PCB)，印制电路板为硅或玻璃或有机基板；该第一元器件设置于该开槽中，该第一元器件设置于该金属板上，第一元器件可以为一个或多个晶体管，第一元器件还可以为陶瓷电容；该第一元器件与该印制电路板连接；该第二元器件设置于该印制电路板上，该第二元器件与该印制电路板连接，第二元器件可以为一个或多个表面贴装器件(surfacemountingdevices，SMD)。本申请实施例中，高功耗的第一元器件设置于金属板上利于散热，第二元器件设置于印制电路板上，有效避免了导体损耗。在保证第一元器件的散热以及第二元器件的功率效率的前提下，提升整体封装结构的集成化程度。结合上述第一方面，在第一种可能的实现方式中，该金属板的厚度为0.07毫米-0.5毫米。本申请实施例中，该金属板的厚度为0.07毫米-0.5毫米。以便于对金属板进行蚀刻加工，使得金属板具有蚀刻图案。结合上述第一方面，与第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，该第一元器件通过邦定线或金带与该印制电路板连接。邦定线可以为邦定线(bondwire)或金带(ribbon)，邦定线用于连接第一元器件与印制电路板。具体的，第一元器件的输入端口或输出端口，通过邦定线与印制电路板中的微带连接。结合上述第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中该金属板具有该蚀刻图案，包括：该金属板具有焊盘(pad)；该印制电路板与该金属板上的该焊盘连接。本申请实施例中，金属板上的蚀刻图案为焊盘时，设置于金属板上的第一元器件；设置于印制电路板上的第二元器件，可以通过该焊盘输入或输出信号。结合上述第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中该金属板具有该蚀刻图案，包括：当该蚀刻图案包括第一微带电路时，该封装结构还包括第三元器件，该第三元器件设置于该第一微带电路上；该第二元器件与该第三元器件耦合。本申请实施例中，金属板上的蚀刻图案还可以为第一微带电路。当金属板上的蚀刻图案为第一微带电路时，该封装结构还可以包括第三元器件，该第三元器件可以为SMD，该第三元器件设置于第一微带电路上，该第三元器件可以与第二元器件耦合。结合上述第一方面的第四种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中该印制电路板中包括微带电路；该第一元器件通过该印制电路板中的该微带电路，与该金属板上的该焊盘连接；该第一元器件通过该印制电路板中的该微带电路，与设置于该印制电路板上的该第二元器件连接。结合上述第一方面的第五种可能的实现方式，在第一方面的第六种可能的实现方式中，该封装结构还包括盖子或塑封；该盖子或该塑封设置于该印制电路板上；该盖子或该塑封，与该印制电路板之间，包括该第一元器件、该第二元器件以及该邦定线或该金带，该盖子或该塑封用于保护该封装结构。本申请实施例中，通过在印刷电路板上设置盖子或塑封，可以有效保护金属板和印制电路板，以及保护布置于金属板和印制电路板上的各个元器件，例如第一元器件、第二元器件以及邦定线。本申请第二方面提供了一种功率放大器，该功率放大器包括如前述第一方面以及第一方面任意一种可能的实现方式的封装结构。结合上述本申请第二方面，在本申请第二方面的第一种可能的实现方式中，该功率放大器中，包括第一电感；该第一电感为邦定线或金带。该第一电感的电感值由该邦定线与印制电路板之间的距离确定，或该金带与印制电路板之间的距离确定。本申请实施例中，功率放大器使用邦定线作为电感，由于邦定线具有高Q值，即邦定线用作电感时损耗较低，因此提升该功率放大器的效率。Q值为电感的品质因数，是衡量电感器件的主要参数。是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高。从以上技术方案可以看出，本申请实施例具有以下优点：高功耗的第一元器件设置于金属板上利于散热，第二元器件设置于印制电路板上，有效避免了导体损耗。在保证第一元器件的散热以及第二元器件的功率效率的前提下，提升整体封装结构的集成化程度。附图说明图1为本申请实施例中一种封装结构的结构示意图；图2为本申请实施例提出的另一种封装结构的结构示意图；图3为本申请实施例提出的另一种封装结构的结构示意图；图4为本申请实施例提出的另一种封装结构的结构示意图；图5为本申请实施例提出的另一种封装结构的结构示意图；图6为本申请实施例提出的另一种封装结构的结构示意图；图7为本申请实施例中提出的一种电路示意图；图8为本申请实施例中提出的另一种电路示意图；图9为本申请实施例中提供的一种功率放大器的结构示意图。具体实施方式本申请实施例提供了一种封装结构，在保证散热性能的前提下，提升封装结构的集成化程度。下面结合附图介绍本申请实施例。请参阅图1。图1为本申请实施例中一种封装结构的结构示意图。本申请提出的一种封装结构包括：第一元器件101、第二元器件102、印本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：第一元器件、第二元器件、印制电路板以及金属板；/n所述金属板具有蚀刻图案；/n所述印制电路板设置于所述金属板上，所述印制电路板中具有开槽；/n所述第一元器件设置于所述开槽中，所述第一元器件设置于所述金属板上；/n所述第一元器件与所述印制电路板连接；/n所述第二元器件设置于所述印制电路板上，所述第二元器件与所述印制电路板连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：第一元器件、第二元器件、印制电路板以及金属板；
所述金属板具有蚀刻图案；
所述印制电路板设置于所述金属板上，所述印制电路板中具有开槽；
所述第一元器件设置于所述开槽中，所述第一元器件设置于所述金属板上；
所述第一元器件与所述印制电路板连接；
所述第二元器件设置于所述印制电路板上，所述第二元器件与所述印制电路板连接。


2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属板的厚度为0.07毫米-0.5毫米。


3.根据权利要求1-2中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第一元器件通过邦定线或金带与所述印制电路板连接。


4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述金属板具有所述蚀刻图案，包括：
所述金属板具有焊盘；
所述印制电路板与所述金属板上的所述焊盘连接。


5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述金属板具有所述蚀刻图案，包括：
当所述蚀刻图案包括第一微带电路时，所述封装结构还包括第三元器件，所述第三元器件设置于所述第一微带电路上；
所述第三元器件与所述第一微带电路连接。


6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述印制电路板中包括第二微带电路；
所述第一元器件通过所述印制电路板中的所述第二微带电路，与所述金属板上的所述焊盘连接；
所述第一元器件通过所述印制电路板中的所述第二微带电路，与设置于所述印制电路板上的所述第二元器件连接。


7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述第三元器件通过所述金属板上的所述第一微带电路，与连接至所述印制电路板中所述第二微带电路的所述第二元器件耦合。


8.根据权利要求7...

【专利技术属性】
技术研发人员：张小敏，黄明利，蒋然，
申请(专利权)人：上海华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31