本发明专利技术提供了一种具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置，包括基板主体、位于所述基板主体上的源电极和漏电极、以及由源电极和漏电极所形成的沟道，所述源电极包括第一源线和第二源线，所述第二源线为带有开口的环形源线，所述第一源线连接在所述第二源线的中部；所述漏电极为带有开口的环形漏线；所述第二源线的一端位于所述环形漏线之内，所述环形漏线的一端位于所述第二源线之内。本发明专利技术通过将ＴＦＴ器件设置成螺旋交互形状，既提高了沟道宽长比，又减小了对开口率的影响，从而提高了ＴＦＴ器件的电子特性，进一步提高了ＴＦＴ－ＬＣＤ的显示性能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示装置，特别涉及一种基板主体上的薄膜晶体管器件(Thin Film Transistor,以下简称TFT )呈螺旋交互源漏电极结构的 液晶显示装置。
技术介绍
在显示器发展的今天，人们对显示品质的要求越来越高，提高显示性能 也就成了获得利润的关键。在影响TFT-LCD的显示特性的参数中，沟道宽长 比(Width/Length,以下简称W/L )和开口率是很重要的参数，W/L是指沟 道宽度与长度的比值，W/L越大越好，但W受开口率的限制，L受光刻胶精度 的限制；开口率是指薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,以下简称TFT-LCD )屏光透过部分和不透过部分面积之 比，透光部分是TFT像素电极像元的占有面积，其余部分是不透光部分；这 两种参数取决于TFT器件工艺水平级的结构设计，在设计TFT器件时，要综 合考虑各种因素和工艺能力及成本，选定合理的器件参数。现有的液晶显示 装置中TFT器件结构主要有以下两种图4为第一种现有的液晶显示装置中TFT器件结构示意图，其中源电极 41与漏电极42之间形成沟道43，这种结构在工艺上比较容易实现，但是其 缺点是W/L比值太小；图5为第二种现有的液晶显示装置中TFT器件结构示 意图，其中源电极51和漏电极52呈交叉型结构，形成沟道53，该结构的W/L 比值比较大，但是TFT像素电极像元占用面积很大，影响了开口率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种液晶显示装置，既可以提高沟道宽长比，又可以减小对开口率的影响，提高TFT器件的电子特性，进一步提高TFT-LCD的 显示性能。本专利技术通过一些实施例提供了 一种具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显 示装置，包括基板主体、位于所述基板主体上的源电极和漏电极、以及由源 电极和漏电极所形成的沟道，所述源电极包括第一源线和第二源线，所述第 二源线为带有开口的环形源线，所述第 一源线连接在所述第二源线的中部； 所述漏电极为带有开口的环形漏线；所述第二源线的一端位于所述环形漏线 之内，所述环形漏线的一端位于所述第二源线之内。本专利技术的实施例提供的具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置，通 过将TFT器件设置成螺旋交互形状，既提高了沟道宽长比，又减小了对开口 率的影响，从而提高了 TFT器件的电子特性，进一步提高了 TFT-LCD的显示 性能。下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。 附图说明图1为本专利技术具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置具体实施例一 的示意图2为图1中A-A方向的截面图3为本专利技术具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置具体实施例二 的示意图4为现有技术第一种液晶显示装置的示意图； 图5为现有技术第二种液晶显示装置的示意图。具体实施例方式实施例一参见图1，为本专利技术具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置具体实施例一的示意图。图中示意出位于基板主体上的TFT器件，包括源电极ll、 漏电极12、数据线13、栅线14、以及由源电极31和漏电极32形成的沟道 15;源电极包括第一源线111以及由第二 A源线112、第二B源线113以及 第二C源线114组成的第二源线，第二A源线112、第二B源线113以及第 二C源线114依次连接，形成带有开口的环形源线，第一源线lll连接在第 二源线的中部，即连接在第二 A源线112和第二 B源线113的连接处；漏电 极12包括依次连接的第一漏线121、第二漏线122、第三漏线123以及第四 漏线124，该四个漏线形成带有开口的环形漏线；第二 B源线113设置在环 形漏线的开口处使第二C源线114位于环形漏线内，第三漏线123设置在环 形源线的开口内使第四漏线124位于环形源线内。本实施例中，源电极ll和 漏电极12之间形成方形螺旋交互源漏电极结构，源电才及11与漏电极12之间 的垂直距离称之为沟道长度，该S型沟道15的总长度称之为沟道宽度。参见图2，为图1中A-A方向的截面图。图中示意出基板主体上各层结 构以及沟道部位结构，各层包括栅线层21、绝缘层22、半导体层23;源 漏电极及沟道部位依次为包括第二A源线112、第四漏线124、第二C源线 114、及第二漏线122,源线和漏线之间为沟道15。本实施例既适用于四层掩膜板工艺，也适用于五层掩膜板工艺；根据工 艺条件，本实施例中沟道长度还可以进行相应的调整。与现有技术相比，本实施例中沟道宽度明显增大，经过实际验证，本实 施例的W/L值是42/5,而现有技术第一种结构的W/L值为27. 5/5，通过对 TFT器件进行螺旋交互源漏电极结构改善后，W/L值是现有技术的1. 5倍，提 高了W/L值，并且该结构与现有技术第二种结构相比，减小了对开口率的影 响，从而提高了 TFT器件的电子特性，进一步提高了 TFT-LCD的显示性能。参见图3，为本专利技术具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置具体实施例二的示意图。图中示意出位于基板主体上的TFT器件，包括源电极31、 漏电极32、数据线33、栅线34、以及由源电极31和漏电极32形成的沟道 35;源电极31包括第一源线311和第二源线312,第二源线312为带有开口 的环形源线，该环形源线的形状为平滑的圆环形，第一源线311连接在第二 源线312的中部；漏电极32为带有开口的环形漏线，该环形漏线的形状为平 滑的圆环形；第二源线312的一端位于环形漏线之内，漏电极32的一端位于 第二源线312之内。本实施例中，源电极31和漏电极32之间形成圓形螺旋 交互源漏电极结构，源电极31与漏电极32之间的垂直距离称之为沟道长度， 该沟道的总长度称之为沟道宽度。本实施例既适用于四层掩膜板工艺，也适用于五层掩膜板工艺；根据工 艺条件，本实施例中沟道长度还可以进行相应的调整。与现有技术相比，本实施例中沟道35的宽度明显增大，通过对TFT器件 进行螺旋交互源漏电极结构改善后，提高了W/L值，并且该结构与现有技术 第二种结构相比，减小了对开口率的影响，从而提高了 TFT器件的电子特性， 进一步提高了 TFT-LCD的显示性能。最后应说明的是以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案，而非对其 限制；尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，本领域的普通技术 人员应当理解其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或 者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本专利技术各实施例技术方案的精神和范围。权利要求1、一种具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置，包括基板主体、位于所述基板主体上的源电极和漏电极、以及由源电极和漏电极所形成的沟道；其特征在于所述源电极包括第一源线和第二源线，所述第二源线为带有开口的环形源线，所述第一源线连接在所述第二源线的中部；所述漏电极为带有开口的环形漏线；所述第二源线的一端位于所述环形漏线之内，所述环形漏线的一端位于所述第二源线之内。2、 根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于所述第二源线 包括依次连接的第二A源线、第二B源线、第二C源线，所述环形漏线包括 依次连接的第一漏线、第二漏线、第三漏线和第四漏线，所述第二B源线设 置在所述环形漏线的开口内使所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有螺旋交互源漏电极结构的液晶显示装置，包括：基板主体、位于所述基板主体上的源电极和漏电极、以及由源电极和漏电极所形成的沟道；其特征在于：所述源电极包括第一源线和第二源线，所述第二源线为带有开口的环形源线，所述第一源线连接在所述第二源线的中部；所述漏电极为带有开口的环形漏线；所述第二源线的一端位于所述环形漏线之内，所述环形漏线的一端位于所述第二源线之内。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郝昭慧，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。