发光二极管外延片及其制备方法技术

本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在p型GaN层与p型接触层之间增加插入层，插入层包括依次层叠在p型GaN层上的Mg量子点层与第一GaN层。Mg量子点层包括多个分布在p型GaN层上的多个Mg量子点，多个Mg量子点与p型GaN层及第一GaN层之间的界面会较为粗糙，可以增加光线在p型GaN层的界面处的漫反射，而减小光线在p型GaN层的界面处可能出现的全反射，从而提高光线的出射率。第一GaN层可以覆盖Mg量子点层较为粗糙的表面，保证在第一GaN层上生长的p型接触层的质量。最终得到的发光二极管外延片的出光率可以得到提高。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片及其制备方法
本公开涉及发光二极管
，特别涉及一种发光二极管外延片及其制备方法。
技术介绍
发光二极管是一种应用非常广泛的发光器件，常用于通信号灯、汽车内外灯、城市照明和景观照明等，发光二极管外延片则是用于制备发光二极管的基础结构。发光二极管外延片至少包括衬底及依次层叠在衬底上的n型GaN层、有源层、p型GaN层及p型接触层。相关技术中，发光二极管外延片中的p型GaN层是用于提供空穴的半导体材料，p型GaN层通常会设置为较厚来保证p型GaN层有较好的晶体质量，并能够提供充足的空穴。但有源层出射的光在经过厚度较大的p型GaN层时，会被p型GaN层吸收并反射部分，导致发光二极管的光线出射率仍不够高。
技术实现思路
本公开实施例提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，可以提高发光二极管的光线出射率。所述技术方案如下：本公开实施例提供了一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型GaN层、有源层、p型GaN层、插入层及p型接触层，所述插入层包括依次层叠在所述p型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型GaN层、有源层、p型GaN层、插入层及p型接触层，/n所述插入层包括依次层叠在所述p型GaN层上的Mg量子点层与第一GaN层，所述Mg量子点层包括多个分布在所述p型GaN层上的多个Mg量子点，所述第一GaN层为不掺杂的GaN层。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型GaN层、有源层、p型GaN层、插入层及p型接触层，
所述插入层包括依次层叠在所述p型GaN层上的Mg量子点层与第一GaN层，所述Mg量子点层包括多个分布在所述p型GaN层上的多个Mg量子点，所述第一GaN层为不掺杂的GaN层。


2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一GaN层的厚度为20～60nm。


3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述插入层还包括层叠在所述第一GaN层上的第二GaN层，所述第二GaN层中掺有p型杂质。


4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二GaN层的厚度为50～100nm。


5.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二GaN层中p型杂质的掺杂浓度为所述p型GaN层中p型杂质的掺杂浓度的0.3～0.8倍。


6.根据权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二GaN层中p型杂质的掺杂浓度为8E19-5E19/cm...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚振，从颖，董彬忠，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32