量子点发光装置以及显示装置制造方法及图纸

技术编号:24943166 阅读:41 留言:0更新日期:2020-07-17 22:07
本申请公开了一种量子点发光装置以及显示装置,其中量子点发光装置包括:具有芯片安装区域的凹形框架;设置在芯片安装区域的发光二极管芯片,发光二极管芯片适于发射第一光线;设置在发光二极管芯片出光方向上的量子点层;设置在发光二极管芯片与量子点层之间的功能层,功能层为第一功能层或第二功能层;第一功能层对入射角小于等于i的第一光线的反射率大于等于R,第一功能层对入射角大于i的第一光线的反射率小于R,其中R≤90%,i>0°;第二功能层为反射型偏光膜层,第二功能层反射第一光线中的第一偏振态的光,且透射第一光线中的第二偏振态的光,第一偏振态的光和第二偏振态的光正交。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光装置以及显示装置
本申请涉及量子点发光器件,尤其涉及量子点发光装置以及显示装置。
技术介绍
量子点作为一种特殊的纳米晶材料,其可以在蓝光或紫外光的激发下发射出特定波长的光。目前,量子点材料在液晶显示器中的应用形式主要有图1A、1B、1C所示的三种:第一种为图1A所示的on-surface形式,也即量子点层3a设置在导光层1a上,光源2a的光经过导光层1a后达到量子点层3a,从而激发量子点层3a中的量子点材料发光,在导光层1a远离量子点层3a的一侧设置有反射层4a,用于提高光能的利用率;第二种为图1B所示的on-edge形式,也即量子点层3b设置在导光层1b的进光侧,光源2b的光先经过量子点层3b,然后激发产生的光进入导光层1b,在导光层1b远离出光方向的一侧设置有反射层4b;第三种为图1C所示的on-chip形式,量子点层3c直接设置在光源2c上形成整体的封装体。目前第一种和第二种形式都已有商业化的产品在售,而第三种形式由于量子点材料最接近热源和辐射,对量子点稳定性以及封装技术要求极高,目前还没有商业产品。但是,on-chip形式能在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光装置,包括具有芯片安装区域的凹形框架,其特征在于,还包括:/n设置在所述芯片安装区域的发光二极管芯片,所述发光二极管芯片适于发射第一光线;/n设置在所述发光二极管芯片出光方向上的量子点层;/n设置在所述发光二极管芯片与所述量子点层之间的功能层,所述功能层为第一功能层或第二功能层;所述第一功能层对入射角小于等于i的所述第一光线的反射率大于等于R,所述第一功能层对入射角大于i的所述第一光线的反射率小于R,其中R≤90%,i>0°;所述第二功能层为反射型偏光膜层,所述第二功能层反射所述第一光线中的第一偏振态的光,且透射所述第一光线中的第二偏振态的光,所述第一偏振态的光和所述第二偏振...

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光装置,包括具有芯片安装区域的凹形框架,其特征在于,还包括:
设置在所述芯片安装区域的发光二极管芯片,所述发光二极管芯片适于发射第一光线;
设置在所述发光二极管芯片出光方向上的量子点层;
设置在所述发光二极管芯片与所述量子点层之间的功能层,所述功能层为第一功能层或第二功能层;所述第一功能层对入射角小于等于i的所述第一光线的反射率大于等于R,所述第一功能层对入射角大于i的所述第一光线的反射率小于R,其中R≤90%,i>0°;所述第二功能层为反射型偏光膜层,所述第二功能层反射所述第一光线中的第一偏振态的光,且透射所述第一光线中的第二偏振态的光,所述第一偏振态的光和所述第二偏振态的光正交。


2.根据权利要求1所述的量子点发光装置,其特征在于,所述第一功能层对可见光的吸收率低于10%,优选地,所述第一功能层对可见光的吸收率低于1%。


3.根据权利要求1所述的量子点发光装置,其特征在于,R≥30%,优选地,R≥60%。


4.根据权利要求1所述的量子点发光装置,其特征在于,0°<i≤45°,优选地,15°<i≤30°。


5.根据权利要求1所述的量子点发光装置,其特征在于,还包括设...

【专利技术属性】
技术研发人员:王海琳胡其乐
申请(专利权)人:纳晶科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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