一种用于倒装芯片的界面金属结构制造技术

技术编号:23641053 阅读:47 留言:0更新日期:2020-04-01 03:14
本实用新型专利技术涉及一种用于倒装芯片的界面金属结构,依次包括薄金层、结合力提升层、金属缓冲层、填充金属层;所述薄金层的厚度为1‑5000

【技术实现步骤摘要】
一种用于倒装芯片的界面金属结构
本技术涉及芯片设计监测领域,特别是一种用于倒装芯片的界面金属结构。
技术介绍
倒装芯片是LED产业目前非常流行的一种新的芯片种类,其具备非常广阔的应用前景和巨大的发展空间。倒装芯片相对于传统的正装芯片其最主要的差别是倒装芯片通过焊接与基版结合并实现电路导通。其中结合的方法是将倒装芯片的电极与基板的基底进行对接焊接(常使用锡膏作为结焊接的结合剂)。目前,倒装芯片的电极以铝和金为主要材料,此种材料在与锡膏及基板结合后金属之间易形成脆性化合物,易断层,导致电极与基板的结合力不足。当芯片电极与基板的结合力不足时会导致芯片脱落或散热、导电不良。当芯片使用于柔性基板时,其对芯片与基板的结合力有更高要求,目前普通的芯片电极无法满足柔性基板的焊接结合力要求。
技术实现思路
有鉴于此,本技术的目的是提供一种用于倒装芯片的界面金属结构,能够提高芯片与基板通过锡膏的结合力。本技术采用以下方案实现:一种用于倒装芯片的界面金属结构,依次包括薄金层、结合力提升层、金属缓冲层、填充金属层;所述薄金层的厚度为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于倒装芯片的界面金属结构,其特征在于,依次包括薄金层、结合力提升层、金属缓冲层、填充金属层;所述薄金层的厚度为

【技术特征摘要】
1.一种用于倒装芯片的界面金属结构,其特征在于,依次包括薄金层、结合力提升层、金属缓冲层、填充金属层;所述薄金层的厚度为所述结合力提升层为Ni层,厚度为用以加强与锡膏的结合力。


2.根据权利要求1所述的一种用于倒装芯片的界面金属结构,其特征在于,所述金属缓冲层为一层或多层结构,采用Ti层、Cr层或Ti层与Cr层。


3.根据权利要求1所述的一种用于倒装芯片的界面金属结构,其特征在于,所述填充金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员:张帆吴永胜
申请(专利权)人:福建兆元光电有限公司
类型:新型
国别省市:福建;35

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