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本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在p型GaN层与p型接触层之间增加插入层，插入层包括依次层叠在p型GaN层上的Mg量子点层与第一GaN层。Mg量子点层包括多个分布在p型GaN层上的多个Mg量子点，多个M...
该专利属于华灿光电(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电(苏州)有限公司授权不得商用。

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