【技术实现步骤摘要】
一种锑基光电探测器表面漏电流处理方法
本专利技术涉及红外探测器
，尤其涉及一种锑基光电探测器表面漏电流处理方法。
技术介绍
由于红外热成像具有抗干扰性强、识别距离远、热辐射探测等特点，所以被应用于多个领域。近年来，在安防、工业、医学和自动驾驶等方面被广泛采用。锑基材料体系具有的特殊物理性质非常适合制造红外光电器件。如锑化物超晶格红外探测器通过能带工程可以响应从近红外到短波红外、中波红外、长波红外和远红外的光辐射，并能有效抑制俄歇复合，提高红外探测器性能和工作温度。InAsSb红外探测器通过势垒设计，抑制多种暗电流，实现良好的高温工作性能。锑基红外探测器具有诸多优点，但制约其优良性能实现的关键是表面漏电流。锑化物表面极易被氧化，表面氧化层可以形成导电通道，产生漏电，影响器件性能。在制备焦平面阵列时，刻蚀形成的台面单元表面和侧壁存在悬挂键，造成能带弯曲，也会形成导电通道。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种锑基光电探测器表面漏电流处理方法，用以降低探测器暗电流，提高探测器性能。第一方面，本专...
【技术保护点】
1.一种锑基光电探测器表面漏电流处理方法，其特征在于，包括：/n将经过预处理之后的晶片通过预先设置好工艺参数的刻蚀设备进行刻蚀；/n对刻蚀后的晶片通过预先配制的腐蚀溶液进行腐蚀处理；/n在腐蚀处理后晶片的像元表面镀上预设电介质层，以完成器件表面漏电流处理。/n
【技术特征摘要】
1.一种锑基光电探测器表面漏电流处理方法，其特征在于，包括：
将经过预处理之后的晶片通过预先设置好工艺参数的刻蚀设备进行刻蚀；
对刻蚀后的晶片通过预先配制的腐蚀溶液进行腐蚀处理；
在腐蚀处理后晶片的像元表面镀上预设电介质层，以完成器件表面漏电流处理。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过预先设置好工艺参数的刻蚀设备进行刻蚀之前，还包括：
对光刻后的晶片表面进行清洁处理；
在将清洁处理之后的晶片装入刻蚀设备的进样室；
将所述刻蚀设备的进样室进行抽真空处理。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺参数至少包括如下之一：
刻蚀气体流量、刻蚀功率、工作压力、氦气压力和刻蚀时间。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对刻蚀后的晶片通过预先配制的腐蚀液进行腐蚀处理之前，还包括：
去除刻蚀后晶片上的冷却油；
通过紫外光以及臭氧对晶片进行氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：邢伟荣，温涛，刘铭，李海燕，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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