一种均匀的超薄遂穿氧化层的制备方法及电池技术

本发明专利技术涉及一种均匀的超薄遂穿氧化层的制备方法及电池，涉及太阳能电池制造领域，解决现有技术中遂穿氧化层均匀性差的问题。所述超薄遂穿氧化层的制备方法在管式炉管内完成，氧化时炉管内的压力为常压或微正压或微负压状态。本发明专利技术的遂穿氧化钝化接触电池的遂穿氧化层采用上述的制备方法制备。本发明专利技术制备的超薄遂穿氧化层的均匀性好，能够实现背靠背装片的规模化量产，能极大地提高量产遂穿氧化钝化接触电池的产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种均匀的超薄遂穿氧化层的制备方法及电池
本专利技术涉及太阳能电池制造领域，尤其涉及一种均匀的超薄遂穿氧化层的制备方法及电池。
技术介绍
在晶体硅太阳能电池领域，硅片表面的氧化硅层有着重要的作用。对于高效N型遂穿氧化钝化接触结构的电池而言，它的背面钝化接触由遂穿氧化硅层和磷掺杂多晶硅层构成。电池片因吸收光能而产生的空穴在其受光面处被正面电极收集导通，而电池片内的电子在电池背面经遂穿作用通过氧化硅层再经过磷掺杂多晶硅层后被背电极收集导通。这种结构的电池最大的优点是电池的背表面都被高质量的钝化层所覆盖，没有形成载流子高复合的金属-硅接触区域，这样可以提高电池的电学性能。在遂穿氧化层钝化接触结构的电池中，其遂穿氧化硅层起着重要作用：其一、氧化硅层可以饱和部分硅片表面的硅原子悬挂键进行硅片表面的钝化；其二、能够允许电池内电子顺利的遂穿通过氧化层到达磷掺杂多晶硅层；其三、由于磷元素在氧化硅层中的扩散速率远小于其在硅和多晶硅中的扩散速率。这能产生两种有益效果：其一是保证了基体硅片内少数载流子的寿命不因掺杂而降低；其二是维持了多晶硅薄膜中磷原子的浓度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种均匀的超薄遂穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述超薄遂穿氧化层的制备方法在管式炉管内完成，氧化时炉管内的压力为常压或微正压或微负压状态。/n

【技术特征摘要】
1.一种均匀的超薄遂穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述超薄遂穿氧化层的制备方法在管式炉管内完成，氧化时炉管内的压力为常压或微正压或微负压状态。


2.根据权利要求1所述的超薄遂穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述氧化层为氧化硅层。


3.根据权利要求1所述的超薄遂穿氧化层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤101、对硅片进行前处理、清洗；
步骤102、硅片装舟：将硅片装载在石英舟上，其中，将两个硅片靠在一起装入石英舟的一个槽位中，将待氧化面暴露于炉管氛围中；
步骤103、进舟氧化：常压进舟，氮气吹扫，恒温，检漏，通气常压或微正压或微负压氧化，常压出舟。


4.根据权利要求3所述的超薄遂穿氧化层的制备方法，其特征在于，氧化时炉管内的压力范围为800-1200mbar。


5.根据权利要求3所述的超薄遂穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述常压进舟的步骤包括：设置炉管压力为常压，氧化管温区设置温度在550-660℃，炉内通入氮气流量为2200-2800sccm，进舟时间为5-10min。


6.根据权利要求3所述的超薄遂穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述氮气吹扫的步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈孝业，何自娟，蒋秀林，秦怡，尹海鹏，
申请(专利权)人：晶澳扬州太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32