一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用技术

本发明专利技术提供一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用，包括以下步骤：首先在硅片表面生长一层氧化硅层，然后在所述氧化硅层表面上沉积一层或多层掺杂的氮硅化物薄膜，并进行780‑1100

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用
本专利技术涉及太阳电池
，具体讲是一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法及其应用。
技术介绍
钝化接触也叫载流子选择性收集，是近年来硅太阳电池的热点研究方向。钝化接触结构能够在硅表面形成显著的能带弯曲，使一种载流子通过而另一种载流子无法通过，形成很好的载流子收集，同时又能抑制载流子在界面的复合。因此，钝化接触结构可以实现高效钝化和载流子收集，消除硅与金属的直接接触，因而能够提高钝化效果，使太阳电池获得很高的开路电压。隧穿氧化硅钝化接触晶硅太阳电池是一种典型的钝化接触电池，英文也称TOPCon，其典型的器件结构如图1所示。需要说明的是，其他一些技术如POLO、monoPoly、PERPoly等也是基于氧化硅/掺杂多晶硅的结构，只是名称有所不同而已。TOPCon技术具有结构简单、钝化效果好、可承受高温工艺、兼容现有产线、可有效提升电池效率等优点，因此被产业界和学术界关注。常规的TOPCon晶硅太阳电池的主要特征功能层由两部分组成：氧化硅钝化隧穿层、多晶硅载流子收集层。目前本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：首先在硅片表面生长一层氧化硅层，然后在所述氧化硅层表面上沉积一层或多层掺杂的氮硅化物薄膜，并进行780-1100

【技术特征摘要】
1.一种掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：首先在硅片表面生长一层氧化硅层，然后在所述氧化硅层表面上沉积一层或多层掺杂的氮硅化物薄膜，并进行780-1100oC的高温晶化处理，形成隧穿氧化硅钝化接触结构。


2.根据权利要求1所述的掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法，其特征在于：高温晶化处理前，在所述氮硅化物薄膜的表面上沉积一层或多层掺杂的非晶或多晶硅薄膜。


3.根据权利要求1所述的掺杂氮硅化物薄膜钝化接触结构的制备方法，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾俞衡，叶继春，廖明墩，闫宝杰，杨清，王志学，郭雪琪，芮哲，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：浙江;33