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本发明公开了一种锑基光电探测器表面漏电流处理方法，包括：将经过预处理之后的晶片通过预先设置好工艺参数的刻蚀设备进行刻蚀；对刻蚀后的晶片通过预先配制的腐蚀溶液进行腐蚀处理；在腐蚀处理后晶片的像元表面镀上预设电介质层，以完成器件表面漏电流处理。...
该专利属于中国电子科技集团公司第十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十一研究所授权不得商用。

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