一种太阳能电池及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种太阳能电池及制备方法，涉及太阳能光伏技术领域。所述太阳能电池包括：晶体硅基底；发射极，沉积于所述晶体硅基底的正面；正面减反射层，沉积于所述发射极的正面；正面金属电极，所述正面金属电极包括：若干主栅线、若干细栅线；所述细栅线包括：若干栅线点和若干用于导通各个所述栅线点的导通栅线，所述栅线点的材质为穿透所述正面减反射层的银浆；所述栅线点穿透所述正面减反层并与所述发射极接触；所述导通栅线设置于所述正面减反层的正面，且未穿透所述正面减反层；所述导通栅线的材质为非穿透性银浆；本申请使得太阳能电池的成本降低，提升了钝化效果，减少了载流子符合，提升了光电转换效率，且利于电流的汇集。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及制备方法
本专利技术涉及太阳能光伏
，特别是涉及一种太阳能电池及制备方法。
技术介绍
太阳能电池能够减少对环境的影响，因此应用前景广泛。目前，太阳能电池中各条副栅线均采用能够穿透正面减反层的银浆，穿透正面减反层制成，以收集电流。然而由于穿透正面减反层的银浆成本高，而且采用穿透正面减反层的银浆制作副栅线工艺复杂，使得穿透正面减反层的银浆耗用量大，导致太阳能电池的成本居高不下，同时，上述穿透正面减反层的银浆通常会腐蚀正面减反层，与晶体硅基底形成欧姆接触，不仅降低了正面减反层的钝化效果，且会导致载流子复合，导致电池的光电转换效率降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种太阳能电池及制备方法、一种太阳能电池及制备方法生产方法、一种太阳能电池及制备方法生产设备、一种计算机可读存储介质，旨在解决太阳能电池成本高且光电转换效率低的问题。根据本专利技术的第一方面，提供了一种太阳能电池，包括：晶体硅基底；发射极，沉积于所述晶体硅基底的正面；正面减反射层，沉积于所述发射极的正面；正面金属电极，所述正面金属电极包括：若干主栅线、若干细栅线；所述细栅线包括：若干栅线点和若干用于导通各个所述栅线点的导通栅线，所述栅线点的材质为穿透所述正面减反射层的银浆；所述栅线点穿透所述正面减反层并与所述发射极接触；所述导通栅线设置于所述正面减反层的正面，且未穿透所述正面减反层；所述导通栅线的材质为非穿透性银浆；背面钝化层，沉积于所述晶体硅基底的背面；以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述晶体硅基底接触。可选的，与所述栅线点接触的主栅线为的实心主栅线，与所述栅线点未接触的主栅线为间断镂空的主栅线。可选的，所述导通栅线包括：第一导通栅线和第二导通栅线；所述第一导通栅线设置于所述栅线点的表面；所述第二导通栅线设置于所述正面减反层的表面且各个所述栅线点之间；远离所述正面减反层的一侧，所述第一导通栅线和所述第二导通栅线的表面平齐。可选的，所述导通栅线设置于所述正面减反层的表面且各个所述栅线点之间；远离所述正面减反层的一侧，所述栅线点和所述导通栅线的表面平齐。可选的，所述栅线点的宽度大于等于20微米小于等于25微米。根据本专利技术的第二方面，提供了一种太阳能电池制备方法，所述方法包括：在晶体硅基底的正面形成发射极；在所述发射极的正面，沉积形成正面减反层；在所述正面减反层的正面，印刷形成正面金属电极；所述正面金属电极包括：若干主栅线、若干细栅线；所述细栅线包括：若干栅线点和若干用于导通各个所述栅线点的导通栅线，所述栅线点的材质为穿透所述正面减反射层的银浆；所述栅线点穿透所述正面减反层并与所述发射极接触；所述导通栅线设置于所述正面减反层的正面，且未穿透所述正面减反层；所述导通栅线的材质为非穿透性银浆；在所述晶体硅基底的背面沉积形成背面钝化层；在所述背面钝化层的预设区域照射激光，形成至少一个开膜区域，露出所述晶体硅基底；在露出的所述晶体硅基底上，形成背面金属电极。可选的，所述在所述正面减反层的正面，印刷形成正面金属电极，包括：在所述正面减反层的正面，采用穿透所述正面减反射层的银浆，形成若干个栅线点；在所述正面减反层的正面，采用非穿透性银浆，形成若干个导通各个所述栅线点的导通栅线，得到细栅线；所述导通栅线未穿透所述正面减反层；在所述正面减反层的正面形成主栅线，得到正面金属电极。可选的，所述在所述正面减反层的正面形成主栅线，得到正面金属电极，包括：在所述正面减反层的正面且与所述栅线点接触的区域形成实心主栅线；在所述正面减反层的正面且与所述栅线点未接触的区域形成间断镂空的主栅线。可选的，所述在所述正面减反层的正面，采用非穿透性银浆，形成若干个导通各个所述栅线点的导通栅线，包括：在所述栅线点的表面形成第一导通栅线；在所述正面减反层的表面且各个所述栅线点之间形成第二导通栅线。可选的，所述在所述正面减反层的正面，采用非穿透性银浆，形成若干个导通各个所述栅线点的导通栅线，包括：在所述正面减反层的表面且各个所述栅线点之间，采用非穿透性银浆，形成若干个导通各个所述栅线点的导通栅线。根据本专利技术的第三方面，还提供一种太阳能电池及制备生产设备，所述太阳能电池生产设备包括：接口，总线，存储器与处理器，所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接，所述存储器用于存储可执行程序，所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如前所述的任一项所述的太阳能电池制备方法的步骤。根据本专利技术的第四方面，还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储可执行程序，所述可执行程序被处理器运行实现如前所述的任一项所述的太阳能电池制备方法的步骤。在本专利技术实施例中，太阳能电池包括：晶体硅基底；发射极，沉积于所述晶体硅基底的正面；正面减反射层，沉积于所述发射极的正面；正面金属电极，所述正面金属电极包括：若干主栅线、若干细栅线；所述细栅线包括：若干栅线点和若干用于导通各个所述栅线点的导通栅线，所述栅线点的材质为穿透所述正面减反射层的银浆；所述栅线点穿透所述正面减反层并与所述发射极接触；所述导通栅线设置于所述正面减反层的正面，且未穿透所述正面减反层；所述导通栅线的材质为非穿透性银浆；背面钝化层，沉积于所述晶体硅基底的背面；以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述晶体硅基底接触。相对于现有技术中，太阳能电池中各条副栅线均采用能够穿透正面减反层的银浆，穿透正面减反层制成而言，本申请中，只是采用能够穿透正面减反层的银浆形成栅线点，导通各个栅线点之间的导通栅线采用非穿透性银浆，导通栅线并没有采用穿透正面减反层的银浆，使得穿透正面减反层的银浆的用量大幅减少，而非穿透性银浆的成本低，使得太阳能电池的成本大幅度降低；同时只有栅线点穿透正面减反层，各个栅线点之间的导通栅线设置于正面减反层的表面并没有穿透正面减反层，也就是说只有栅线点会对正面减反层进行腐蚀，而导通栅线会对正面减反层的腐蚀较小，大幅度减弱了对正面减反层的破坏，提升了钝化效果，且减少了载流子符合，提升了太阳能电池的光电转换效率；而且采用非穿透性银浆制作导通栅线，由于非穿透性银浆粘性较大，使得形成的导通栅线塌陷程度减小，高宽比增大，能够降低细栅线的电阻，有利于电流的汇集。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出了本专利技术实施例中的第一种太阳能电池的结构示意图；图2示出了本专利技术实施例中的一种细栅线的结构示意图；图3示出了本专利技术实施例中的一种主栅线的结构示意图；图4示出了本专利技术实施例中的又一种细栅线的结构示意图；...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：晶体硅基底；/n发射极，沉积于所述晶体硅基底的正面；/n正面减反射层，沉积于所述发射极的正面；/n正面金属电极，所述正面金属电极包括：若干主栅线、若干细栅线；所述细栅线包括：若干栅线点和若干用于导通各个所述栅线点的导通栅线，所述栅线点的材质为穿透所述正面减反射层的银浆；所述栅线点穿透所述正面减反层并与所述发射极接触；所述导通栅线设置于所述正面减反层的正面，且未穿透所述正面减反层；所述导通栅线的材质为非穿透性银浆；/n背面钝化层，沉积于所述晶体硅基底的背面；/n以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述晶体硅基底接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：晶体硅基底；
发射极，沉积于所述晶体硅基底的正面；
正面减反射层，沉积于所述发射极的正面；
正面金属电极，所述正面金属电极包括：若干主栅线、若干细栅线；所述细栅线包括：若干栅线点和若干用于导通各个所述栅线点的导通栅线，所述栅线点的材质为穿透所述正面减反射层的银浆；所述栅线点穿透所述正面减反层并与所述发射极接触；所述导通栅线设置于所述正面减反层的正面，且未穿透所述正面减反层；所述导通栅线的材质为非穿透性银浆；
背面钝化层，沉积于所述晶体硅基底的背面；
以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述晶体硅基底接触。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，与所述栅线点接触的主栅线为的实心主栅线，与所述栅线点未接触的主栅线为间断镂空的主栅线。


3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述导通栅线包括：第一导通栅线和第二导通栅线；所述第一导通栅线设置于所述栅线点的表面；所述第二导通栅线设置于所述正面减反层的表面且各个所述栅线点之间；
远离所述正面减反层的一侧，所述第一导通栅线和所述第二导通栅线的表面平齐。


4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述导通栅线设置于所述正面减反层的表面且各个所述栅线点之间；
远离所述正面减反层的一侧，所述栅线点和所述导通栅线的表面平齐。


5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述栅线点的宽度大于等于20微米小于等于25微米。


6.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在晶体硅基底的正面形成发射极；
在所述发射极的正面，沉积形成正面减反层；
在所述正面减反层的正面，印刷形成正面金属电极；所述正面金属电极包括：若干主栅线、若干细栅线；所述细栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建波，吕俊，朱琛，仲春华，袁陨来，杨飞，张东威，申盼，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32