太阳电池及生产方法、电池组件技术

本发明专利技术提供了太阳电池及生产方法、电池组件，涉及光伏技术领域。太阳电池包括：N型硅基底；第一过渡金属氧化物薄膜位于N型硅基底的向光面；金属薄膜位于第一过渡金属氧化物薄膜的向光面；金属薄膜的材料选自：钴、钌、铑、铟中的至少一种；在金属薄膜的材料选自钴的情况下，金属薄膜的厚度为11.8nm‑15nm；在金属薄膜的材料选自钌的情况下，金属薄膜的厚度为6.59nm‑15nm；在金属薄膜的材料选自铑的情况下，金属薄膜的厚度为6.88nm‑15nm；在金属薄膜的材料选自铟的情况下，金属薄膜的厚度为8.65nm‑15nm；第二过渡金属氧化物薄膜位于金属薄膜的向光面；正面电极位于第二过渡金属氧化物薄膜的向光面；背面电极位于N型硅基底的背光面。工艺简单、成本低、安全性能高、电阻率低。

【技术实现步骤摘要】
太阳电池及生产方法、电池组件
本专利技术涉及光伏
，特别是涉及一种太阳电池及生产方法、电池组件。
技术介绍
采用载流子选择接触的太阳电池能够降低加工温度，提升光电转换效率，因此应用广泛。目前，载流子选择接触的太阳电池通常采用自燃、爆炸性的硅烷和有毒的硼/磷气体前体，制作载流子选择接触部分。上述太阳电池的制作工程中，安全性能差，工艺复杂。
技术实现思路
本专利技术提供一种太阳电池及生产方法、电池组件，旨在解决制作载流子选择接触的太阳电池安全性能差，工艺复杂的问题。根据本专利技术的第一方面，提供了一种太阳电池，包括：N型硅基底；第一过渡金属氧化物薄膜，位于所述N型硅基底的向光面；金属薄膜，位于所述第一过渡金属氧化物薄膜的向光面；所述金属薄膜的材料选自：钴、钌、铑、铟中的至少一种；在所述金属薄膜的材料选自钴的情况下，所述金属薄膜的厚度为11.8nm-15nm；在所述金属薄膜的材料选自钌的情况下，所述金属薄膜的厚度为6.59nm-15nm；在所述金属薄膜的材料选自铑的情况下，所述金属薄膜的厚度为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳电池，其特征在于，包括：/nN型硅基底；/n第一过渡金属氧化物薄膜，位于所述N型硅基底的向光面；/n金属薄膜，位于所述第一过渡金属氧化物薄膜的向光面；所述金属薄膜的材料选自：钴、钌、铑、铟中的至少一种；在所述金属薄膜的材料选自钴的情况下，所述金属薄膜的厚度为11.8nm-15nm；在所述金属薄膜的材料选自钌的情况下，所述金属薄膜的厚度为6.59nm-15nm；在所述金属薄膜的材料选自铑的情况下，所述金属薄膜的厚度为6.88nm-15nm；在所述金属薄膜的材料选自铟的情况下，所述金属薄膜的厚度为8.65nm-15nm；/n第二过渡金属氧化物薄膜，位于所述金属薄膜的向光面；/n正面电极...

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池，其特征在于，包括：
N型硅基底；
第一过渡金属氧化物薄膜，位于所述N型硅基底的向光面；
金属薄膜，位于所述第一过渡金属氧化物薄膜的向光面；所述金属薄膜的材料选自：钴、钌、铑、铟中的至少一种；在所述金属薄膜的材料选自钴的情况下，所述金属薄膜的厚度为11.8nm-15nm；在所述金属薄膜的材料选自钌的情况下，所述金属薄膜的厚度为6.59nm-15nm；在所述金属薄膜的材料选自铑的情况下，所述金属薄膜的厚度为6.88nm-15nm；在所述金属薄膜的材料选自铟的情况下，所述金属薄膜的厚度为8.65nm-15nm；
第二过渡金属氧化物薄膜，位于所述金属薄膜的向光面；
正面电极，位于所述第二过渡金属氧化物薄膜的向光面；
背面电极，位于所述N型硅基底的背光面。


2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，还包括：位于所述N型硅基底的背光面的电子选择层；所述背面电极位于所述电子选择层的背光面；
所述电子选择层的材料选自：掺杂氢化非晶硅、氧化钛、氧化锌、氮化钽、氧化钽、氧化镓、氟化锂、氟化镁、氧化镁、氧化铌或碳酸铯中的至少一种。


3.根据权利要求2所述的太阳电池，其特征在于，所述电子选择层的厚度为1nm-10nm。


4.根据权利要求1或2所述的太阳电池，其特征在于，所述第一过渡金属氧化物薄膜、所述第二过渡金属氧化物薄膜均选自：氧化钼薄膜、五氧化二钒薄膜、氧化钨薄膜中的至少一种；
所述第一过渡金属氧化物薄膜的厚度为10nm-20nm，所述第二过渡金属氧化物薄膜的厚度为20nm-50nm。


5.根据权利要求1或2所述的太阳电池，其特征在于，还包括：位于所述第二过渡金属氧化物薄膜的背光面的透明导电层；所述透明导电层的厚度为30um-200um。

【专利技术属性】
技术研发人员：李华，刘继宇，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32