用于制备太阳能电池的半导体片及其制备方法技术

本发明专利技术实施例涉及太阳能光伏电池制造领域，公开了一种用于制备太阳能电池的半导体片及其制备方法，所述半导体片包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面均位于所述半导体片的同一侧，且所述第一表面的粗糙度大于所述第二表面粗糙度；所述第一表面的反射率小于所述第二表面的反射率，且所述第二表面上设有追溯码，所述追溯码用于被读码设备读取，以追溯所述半导体片的信息。本发明专利技术提供的用于制备太阳能电池的半导体片及其制备方法能够追溯半导体片的信息，且确保追溯码清晰，提高追溯码的可识别度。

【技术实现步骤摘要】
用于制备太阳能电池的半导体片及其制备方法
本专利技术实施例涉及太阳能光伏电池制造领域，特别涉及一种用于制备太阳能电池的半导体片及其制备方法。
技术介绍
随着清洁能源技术和太阳能行业近年来的快速发展，人们对太阳能电池的品质和性能要求越来越高。为了提高太阳能电池的品质和性能，在太阳能电池的生产过程中，需要对太阳能电池的每一个制备环节进行有效的监控。在现有技术中，为了实现对太阳能电池的每一个制备环节的监控，会在太阳能电池表面附着二维码，以用于太阳能电池生产过程中的信息化追溯。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：太阳能电池表面的反射率较低，并且太阳能电池表面的二维码区域(即附着有二维码的区域)与非二维码区域(即没有附着二维码的区域)的对比度不高，使得二维码较为模糊，进而导致二维码识别困难。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种用于制备太阳能电池的半导体片及其制备方法，其能够追溯半导体片的信息，且确保追溯码清晰，提高追溯码的可识别度。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供了一种用于制备太阳能电池的半导体片，包括：所述半导体片包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面均位于所述半导体片的同一侧，且所述第一表面的粗糙度大于所述第二表面粗糙度；所述第一表面的反射率小于所述第二表面的反射率，且所述第二表面上设有追溯码，所述追溯码用于被读码设备读取，以追溯所述半导体片的信息。另外，所述第一表面上具有第一结构，所述第二表面上具有第二结构；所述第一结构的最高点到所述第一表面的距离为第一距离；所述第二结构的最高点到所述第二表面的距离为第二距离，所述第二距离小于所述第一距离。另外，所述第二距离小于或等于1微米，所述第一距离大于等于3微米且小于等于5微米。通过将第二距离设置在此种范围内，能够确保第二表面的反射率远大于第一表面的反射率，以便于识标；通过将第一距离设置在此种范围内，能够确保第一表面的反射率较低，从而有利于光线的吸收另外，所述第一表面的反射率小于或等于12％。另外，所述第二表面的反射率大于或等于30％且小于或等于60％。另外，所述追溯码包括以下一个或多个：二维码、条形码、标识字符。另外，所述二维码由多个凹槽构成，所述凹槽的深度在大于或等于0.2微米且小于或等于0.5微米。由于凹槽的深度过浅会导致二维码的识别度不高，造成识标困难，凹槽的深度过深会影响半导体片结构的稳定性，通过将凹槽的深度设置在此种范围内，能够在提高二维码的识别度、以便于二维码能够被识别的同时，确保半导体片的结构强度。另外，还包括减反射膜，所述减反射膜设置在所述第一结构上。由于外界的光射入第一结构时，会有部分光发生反射，从而导致半导体片的吸光效率不高，通过设置减反射膜，能够减少或消除第一结构的反射光，增加第一结构的透光量，从而进一步提高半导体片的吸光效率。另外，所述减反射膜包括在所述第一结构上层叠设置的第一膜层和第二膜层；所述第一膜层的折射率大于所述第二膜层的折射率。相应的，本实施例还提供了一种半导体片的制备方法，包括：提供半导体片，其中，所述半导体片包括第一区域和第二区域；在所述第二区域形成追溯码；在带有所述追溯码的半导体片进入后续工序时，后续工序读取追溯码并记录到对应的工序中，其中，所述后续工序至少包括制绒工序；在所有后续工序完成后，在所述第二区域内涂覆刻蚀液，以使所述第二区域的粗糙程度小于所述第一区域的粗糙程度。与现有技术相比，本专利技术实施例提供的技术方案具有以下优点：在第二表面上设置追溯码，且追溯码能够被读码设备读取，以追溯所述半导体片的信息。通过此种方式，可以在需要监控半导体片工艺流程的站点加配读码设备，实现在线读取追溯码和解析追溯码，还可以与系统相连接以实现信息(如某个工序中的各类参数)的实时传递，形成完整的管理系统，从而提高半导体片质量，提升生产效率，增加半导体片的可追溯性。此外，由于第一表面的粗糙度大于第二表面粗糙度，且第一表面的反射率小于第二表面的反射率，一方面由于第一表面的反射率较低，能够提高半导体片的光吸收率，从而提高使用本实施例提供的半导体片制备的太阳能电池的工作效率；另一方面，由于第二表面反射率的提高，使得追溯码所在区域(即第二表面对应的区域)与背景区域(即第一表面对应的区域)具有较佳的对比度，即使得追溯码清晰，提高了追溯码的可识别度，从而避免了“追溯码所在区域与背景区域的对比度不高，造成识标困难”的情况的发生。附图说明一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。图1是根据本专利技术第一实施例提供的半导体片的结构示意图；图2是根据本专利技术第一实施例提供的半导体片的立体结构示意图；图3是根据本专利技术第一实施例提供的半导体片的另一种立体结构示意图；图4是根据本专利技术第一实施例提供的半导体片的又一种立体结构示意图；图5是根据本专利技术第二实施例提供的半导体片的制备方法的流程图；图6是根据本专利技术第二实施例提供的硅片接触装置的结构示意图。具体实施例为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本专利技术各实施例中，为了使读者更好地理解本专利技术而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本专利技术所要求保护的技术方案。本专利技术的第一实施例涉及一种用于制备太阳能电池的半导体片100，具体结构如图1所示，包括：第一表面1和第二表面2，第一表面1和第二表面2均位于半导体片100的同一侧，且第一表面1的粗糙度大于第二表面2的粗糙度；第一表面1的反射率小于第二表面2的反射率，且第二表面2上设有追溯码20，追溯码20用于被读码设备读取，以追溯半导体片100的信息。具体的说，本实施例中的半导体片100优选为硅片，硅片是太阳能电池的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池转换效率的高低。值得一提的是，本实施例中实现第一表面1的粗糙度和第二表面2的粗糙度不同的方式可以是制绒后对第二表面2对应的区域(即追溯码20所在的区域)进行物理的打磨、激光或等离子体的抛光、化学抛光(局部化学腐蚀，通过耐腐蚀的材料把药液限定在二维码区域，类似ECV的测试结构)、以及制绒前使用掩膜板保护追溯码20所在的区域等，上述方式在后续方法的实施例中有详细描述，为了避免重复，此处不再赘述。可以理解的是，本实施例实现第一表面1的粗糙度和第二表面2的粗糙度不同的方式并不局限于上述例举的几种方式，其他能够实现第一表面1的粗糙度和第二表面2的粗糙度不同的方式均在本实施例的保护范围之内。在本专利技术的实施例中，在第二表面2上设置追溯码20，且追溯码20能够被读码设备读取，以追溯半导体片100的信息。通过此种方式，可以在需要监控半导体片工艺流程的站点加配读码设备，实现在线读取本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制备太阳能电池的半导体片，其特征在于，所述半导体片包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面均位于所述半导体片的同一侧，且所述第一表面的粗糙度大于所述第二表面的粗糙度；/n所述第一表面的反射率小于所述第二表面的反射率，且所述第二表面上设有追溯码，所述追溯码用于被读码设备读取，以追溯所述半导体片的信息。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于制备太阳能电池的半导体片，其特征在于，所述半导体片包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面均位于所述半导体片的同一侧，且所述第一表面的粗糙度大于所述第二表面的粗糙度；
所述第一表面的反射率小于所述第二表面的反射率，且所述第二表面上设有追溯码，所述追溯码用于被读码设备读取，以追溯所述半导体片的信息。


2.根据权利要求1所述的用于制备太阳能电池的半导体片，其特征在于，所述第一表面上具有第一结构，所述第二表面上具有第二结构；
所述第一结构的最高点到所述第一表面的距离为第一距离；所述第二结构的最高点到所述第二表面的距离为第二距离，所述第二距离小于所述第一距离。


3.根据权利要求2所述的用于制备太阳能电池的半导体片，其特征在于，所述第二距离小于或等于1微米，所述第一距离大于等于3微米且小于等于5微米。


4.根据权利要求1所述的用于制备太阳能电池的半导体片，其特征在于，所述第一表面的反射率小于或等于12％。


5.根据权利要求1所述的用于制备太阳能电池的半导体片，其特征在于，所述第二表面的反射率大于或等于30％且小于或等于60％。
<...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴君立，张昕宇，黄纪德，夏志鹏，王卉，刘长明，金浩，
申请(专利权)人：晶科能源科技海宁有限公司，浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33