金属电迁移测试电路结构制造技术

本发明专利技术提供了一种金属电迁移测试电路结构，包括：由下至上的多层金属层；连接相邻所述金属层的通孔层；与所有所述金属层连通并向所有所述金属层和所述通孔层提供电流的引线端；以及，位于每层所述金属层上的测试线，通过测试所述测试线上的信号，以判断所述金属层或所述通孔层是否发生电迁移。在本发明专利技术提供的金属电迁移测试电路结构中，通过测试通孔层连接的相邻所述金属层上的测试线的信号，以判断所述金属层或所述通孔层是否发生电迁移，而多个测试线，可以同时测试到多个待测试失效问题的位置，并且测试后能根据不同测试线的位置精确定位到具体失效的位置。

【技术实现步骤摘要】
金属电迁移测试电路结构
本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种金属电迁移测试电路结构。
技术介绍
金属电迁移的检测对于半导体制程是非常关键的技术，对于提高产品的良率和可靠性非常重要。集成电路芯片内部采用金属互连线来引导工作电流，但是在电流和温度的长期作用下，这些互连线中可能出现电迁移，引起互连线的开路或短路，从而导致产品失效。为了提前发现或评估此类可靠性问题的风险大小，需要对产品或相关制造工艺进行针对电迁移测试。现有的金属电迁移测试结构如图1和图2所示，图1中，底层金属层111和上层金属层112通过通孔层113连接，测试线在底层金属层111上，图2中，底层金属层121和上层金属层122通过通孔层123连接，测试线在上层金属层122上。当金属电迁移测试结构某个位置在应力作用下出现缺陷,导致电阻变化达到一定量时,即可认定该结构失效。但是，由于电迁移失效有可能发生在金属互连线的不同位置,后续还需要通过失效分析定位失效位置,耗时费力。并且，这种金属电迁移测试结构还需要设置多个，才能测试后端各金属层的失效问题，然而电迁移的可靠性评估需要评测本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属电迁移测试电路结构，其特征在于，包括：/n由下至上的多层金属层；/n连接相邻所述金属层的通孔层；/n与所有所述金属层连通并向所有所述金属层和所述通孔层提供电流的引线端；/n以及，位于每层所述金属层上的测试线，通过测试所述测试线上的信号，以判断所述金属层或所述通孔层是否发生电迁移。/n

【技术特征摘要】
1.一种金属电迁移测试电路结构，其特征在于，包括：
由下至上的多层金属层；
连接相邻所述金属层的通孔层；
与所有所述金属层连通并向所有所述金属层和所述通孔层提供电流的引线端；
以及，位于每层所述金属层上的测试线，通过测试所述测试线上的信号，以判断所述金属层或所述通孔层是否发生电迁移。


2.如权利要求1所述的金属电迁移测试电路结构，其特征在于，所述引线端包括第一引线端和第二引线端，所述金属层包括底层金属层和顶层金属层，所述顶层金属层位于所述底层金属层上方，所述第一引线端连接所述底层金属层，所述第二引线端连接所述顶层金属层。


3.如权利要求2所述的金属电迁移测试电路结构，其特征在于，所述第一引线端和第二引线端中一个是电流输入端，另一个是电流输出端。


4.如权利要求3所述的金属电迁移测试电路结构，其特征在于，所述电流输入端输入的电流大于所述金属层和所述通孔层中的工作电流。


5.如权利要求2所述的金属电迁移测试电路结构，其特征在于，每层所述金属层上至少设置一根测试线。


6.如权利要求5所述的金属电迁移测试电路结构，其特征在于，所述多层金属层包括：第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层分别由下至上设置，所述第一金属层为底层金属层，所述第四金属层为顶层金属层。


7.如权利要求6所述的金属电迁移测试电路结构，其特征在于，所述通孔层包括：第一通孔层、第二通孔层和第三通孔层；所述第一通孔层连接所述第一金属层和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：周凤，曹巍，陈雷刚，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31