一种中心导体组件及环形器和隔离器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种中心导体组件及环形器和隔离器，其中，中心导体组件，包括：依次布设并通过高频熔接工艺相熔接固定的上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体，中心结导体位于上旋磁铁氧体和下旋磁铁氧体的中心位置，上旋磁铁氧体和下旋磁铁氧体相对齐；中心结导体包括若干间隔布设的第一谐振体和第二谐振体，第一谐振体上连接有延伸出所述下旋磁铁氧体的连接引脚，连接引脚上设有连接孔。由于上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体由高频熔接工艺相熔接固定，因此在进行装配时中心结导体与上旋磁铁氧体、下旋磁铁氧体之间不会发生相对移动，从而提高了上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体的一致性，保证环形器和隔离器的产品性能。

【技术实现步骤摘要】
一种中心导体组件及环形器和隔离器
本技术涉及通讯配件
，特别涉及一种中心导体组件及环形器和隔离器。
技术介绍
目前微波与射频通讯器件的环行器和隔离器领域，在量产过程中，需要由人工去进行组装，组装一致性差，生产效率低且成本较高，随着5G产品小型化和高性能发展趋势，以往的指标远远不能满足当今要求。旋磁铁氧体与中心结导体是环形器和隔离器中的重要部件，旋磁铁氧体与中心结导体通过胶粘的方式相连接，在胶粘的过程中操作人员易使中心结导体发生偏移，导致旋磁铁氧体与中心结导体的一致性较差，影响产品的性能。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供了一种中心导体组件及环形器和隔离器，具有提高旋磁铁氧体与中心结导体的一致性的优点。为达到上述目的，本技术的技术方案如下：一种中心导体组件，包括：由上至下依次布设并通过高频熔接工艺相熔接固定的上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体，所述中心结导体位于所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体的中心位置，所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体相对齐；所述中心结导体包括若干间隔布设的第一谐振体和第二谐振体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中心导体组件，其特征在于，包括：由上至下依次布设并通过高频熔接工艺相熔接固定的上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体，所述中心结导体位于所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体的中心位置，所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体相对齐；所述中心结导体包括若干间隔布设的第一谐振体和第二谐振体，所述第一谐振体上连接有延伸出所述下旋磁铁氧体的连接引脚，所述连接引脚上设有连接孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种中心导体组件，其特征在于，包括：由上至下依次布设并通过高频熔接工艺相熔接固定的上旋磁铁氧体、中心结导体和下旋磁铁氧体，所述中心结导体位于所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体的中心位置，所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体相对齐；所述中心结导体包括若干间隔布设的第一谐振体和第二谐振体，所述第一谐振体上连接有延伸出所述下旋磁铁氧体的连接引脚，所述连接引脚上设有连接孔。


2.根据权利要求1所述的中心导体组件，其特征在于，所述第一谐振体的两侧还设有谐振扩展片。


3.根据权利要求1或2所述的中心导体组件，其特征在于，所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体的直径为4-30mm、厚度为0.4-1.5mm。


4.根据权利要求3所述的中心导体组件，其特征在于，所述中心结导体的厚度为0.1-0.3mm。


5.根据权利要求3所述的中心导体组件，其特征在于，所述上旋磁铁氧体和所述下旋磁铁氧体上设有镀银层。


6.一种环形器和...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛文斌，黄振新，叶辰健，
申请(专利权)人：苏州威洁通讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32