一种微波射频芯片封装结构制造技术

技术编号:26952551 阅读:12 留言:0更新日期:2021-01-05 21:10
本实用新型专利技术公开了一种微波射频芯片封装结构,该一种微波射频芯片封装结构包括微波射频芯片、导热粘结剂和导热焊盘。导热焊盘具有容纳腔,微波射频芯片位于容纳腔内,且导热焊盘的顶面高于微波射频芯片的顶面。容纳腔的底面间隔排列有若干导热条,导热条的截面形状为半球状结构。微波射频芯片的底面与容纳腔的底壁以及导热条之间间隔设置且填充有导热粘结剂。微波射频芯片的侧面与容纳腔的侧壁之间间隔设置且填充有导热粘结剂。本实用新型专利技术的一种微波射频芯片封装结构能够提高微波射频芯片的散热效果。

【技术实现步骤摘要】
一种微波射频芯片封装结构
本技术涉及一种微波射频芯片封装结构。
技术介绍
微波射频芯片在封装的过程中,需要用导热粘结剂将微波射频芯片粘结至导热焊盘上。导热粘结剂将微波射频芯片的热量传递至导热焊盘,从而对微波射频芯片进行散热,延长微波射频芯片的使用寿命。传统的微波射频芯片与导热粘结剂之间以及导热粘结剂与导热焊盘之间的接触面积较小,从而导致微波射频芯片的散热效果较差。因此,有必要提供一种能够提高微波射频芯片散热效果的微波射频芯片封装结构。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种微波射频芯片封装结构,它能够提高微波射频芯片的散热效果。为实现上述目的,采用以下技术方案:一种微波射频芯片封装结构,包括微波射频芯片、导热粘结剂和导热焊盘;所述导热焊盘具有容纳腔,所述微波射频芯片位于所述容纳腔内,且所述导热焊盘的顶面高于所述微波射频芯片的顶面;所述容纳腔的底面间隔排列有若干导热条,所述导热条的截面形状为半球状结构;所述微波射频芯片的底面与所述容纳腔的底壁以及所述导热条之间间隔设置且填充有所述导热粘结剂;所述微波射频芯片的侧面与所述容纳腔的侧壁之间间隔设置且填充有所述导热粘结剂。优选地,在上述的一种微波射频芯片封装结构中,所述导热焊盘的顶面高于所述微波射频芯片的顶面1毫米—5毫米。优选地,在上述的一种微波射频芯片封装结构中,所述容纳腔的开口处形成有导向口,所述导向口在背离所述容纳腔的底壁的方向上,开口逐渐变大。优选地,在上述的一种微波射频芯片封装结构中,所述微波射频芯片的侧面与所述容纳腔的侧壁之间的最小距离大于2毫米。优选地,在上述的一种微波射频芯片封装结构中,相邻的两个所述导热条之间的距离为1毫米—3毫米。优选地,在上述的一种微波射频芯片封装结构中,所述导热粘结剂为银浆。优选地,在上述的一种微波射频芯片封装结构中,所述导热条与所述导热焊盘焊接连接。优选地,在上述的一种微波射频芯片封装结构中,所述导热条与所述容纳腔的侧壁之间间隔设置。采用上述方案,本技术的一种微波射频芯片封装结构有益效果是:所述容纳腔的底面间隔排列有若干导热条,从而能够增加导热粘结剂与导热条的接触面积,从而能够提高所述微波射频芯片的散热效果。所述导热焊盘具有容纳腔,所述微波射频芯片位于所述容纳腔内,且所述导热焊盘的顶面高于所述微波射频芯片的顶面,从而使得所述微波射频芯片的整个侧面均能够与所述导热焊盘之间通过导热粘结剂进行导热,从而进一步提高所述微波射频芯片的散热效果。综上所述,本技术的一种微波射频芯片封装结构能够提高微波射频芯片的散热效果。附图说明图1为本技术实施例一种微波射频芯片封装结构的立体图;图2为本技术实施例另一种微波射频芯片封装结构的立体图;图3为本技术实施例一种微波射频芯片封装结构的局部结构图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例,对本技术进行详细说明。如图1-3所示,一种微波射频芯片封装结构100,该一种微波射频芯片封装结构100包括微波射频芯片10、导热粘结剂20和导热焊盘30。导热焊盘30具有容纳腔31,微波射频芯片10位于容纳腔31内,且导热焊盘30的顶面高于微波射频芯片10的顶面,从而使得微波射频芯片10整体位于容纳腔31内。容纳腔31的底面间隔排列有若干导热条40,导热条40的截面形状为半球状结构。微波射频芯片10的底面与容纳腔31的底壁312以及导热条40之间间隔设置且填充有导热粘结剂20。微波射频芯片10的侧面与容纳腔31的侧壁313之间间隔设置且填充有导热粘结剂20。采用上述方案,本实施例的一种微波射频芯片封装结构100有益效果是:容纳腔31的底面间隔排列有若干导热条40,从而能够增加导热粘结剂20与导热条40的接触面积,从而能够提高微波射频芯片10的散热效果。导热焊盘30具有容纳腔31,微波射频芯片10位于容纳腔31内,且导热焊盘30的顶面高于微波射频芯片10的顶面,从而使得微波射频芯片10的整个侧面均能够与导热焊盘30之间通过导热粘结剂20进行导热,从而进一步提高微波射频芯片10的散热效果。综上,本实施例的一种微波射频芯片封装结构100能够提高微波射频芯片10的散热效果。如图3所示,导热焊盘30的顶面高于微波射频芯片10的顶面,且该高出的距离为a,a的数值为1毫米—5毫米。例如,a为1毫米或2毫米或4毫米或5毫米。容纳腔31的开口处形成有导向口311,导向口311在背离容纳腔31的底壁312的方向上,开口逐渐变大。方便微波射频芯片10的进入容纳腔31。如图3所示,微波射频芯片10的侧面与容纳腔31的侧壁313之间的最小距离为b,b大于2毫米。例如,b为3毫米。从而能够保证微波射频芯片10的侧面与容纳腔31的侧壁313之间填充有足够的导热粘结剂20,使得微波射频芯片10的位置固定得更加可靠,且散热效果好。相邻的两个导热条40之间的距离为c,c的数值为1毫米—3毫米。例如,c的数值为1毫米或2毫米或3毫米。导热粘结剂20为银浆。银浆具有良好的导热和粘结效果。导热条40与导热焊盘30焊接连接。连接方便,且能够保证导热条40与导热焊盘30之间的导热效果。其中,导热条40与导热焊盘30采用同种材质。导热条40与容纳腔31的侧壁313之间间隔设置,方便导热条40与导热焊盘30之间的连接。以上仅为本技术的较佳实施例而已,并不用于限制本技术,凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微波射频芯片封装结构,其特征在于,包括微波射频芯片、导热粘结剂和导热焊盘;/n所述导热焊盘具有容纳腔,所述微波射频芯片位于所述容纳腔内,且所述导热焊盘的顶面高于所述微波射频芯片的顶面;/n所述容纳腔的底面间隔排列有若干导热条,所述导热条的截面形状为半球状结构;/n所述微波射频芯片的底面与所述容纳腔的底壁以及所述导热条之间间隔设置且填充有所述导热粘结剂;所述微波射频芯片的侧面与所述容纳腔的侧壁之间间隔设置且填充有所述导热粘结剂。/n

【技术特征摘要】
1.一种微波射频芯片封装结构,其特征在于,包括微波射频芯片、导热粘结剂和导热焊盘;
所述导热焊盘具有容纳腔,所述微波射频芯片位于所述容纳腔内,且所述导热焊盘的顶面高于所述微波射频芯片的顶面;
所述容纳腔的底面间隔排列有若干导热条,所述导热条的截面形状为半球状结构;
所述微波射频芯片的底面与所述容纳腔的底壁以及所述导热条之间间隔设置且填充有所述导热粘结剂;所述微波射频芯片的侧面与所述容纳腔的侧壁之间间隔设置且填充有所述导热粘结剂。


2.根据权利要求1所述的一种微波射频芯片封装结构,其特征在于,所述导热焊盘的顶面高于所述微波射频芯片的顶面1毫米—5毫米。


3.根据权利要求1所述的一种微波射频芯片封装结构,其特征在于,所述容纳腔的开口处形成有...

【专利技术属性】
技术研发人员:全杰
申请(专利权)人:深圳市航泽电子有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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