一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器，包括设置在总熔体空间内的器壁，所述器壁所围成的空间形成晶体生长区，所述晶体生长区与所述总熔体空间同轴，所述器壁上加工有至少一个通孔，所述通孔用于所述总熔体空间内的熔体进入所述晶体生长区内，所述通孔位于所述晶体生长区内的熔体液面以下，所述通孔的横截面积0.1mm

【技术实现步骤摘要】
一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器
本技术涉及连续直拉单晶
，具体而言是一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器。
技术介绍
连续直拉单晶(CCz)工艺技术的明显特点是一边长晶一边化料，从而可以节约普通直拉单晶所需要的化料时间。但同时，在化料过程中，可能会有一些未能充分融化的杂质点，进入熔体中，并随熔体流动带到晶体的长晶界面，并造成单晶体的晶体结构破坏。CCz技术中，晶体生长时熔体一般分为3个区域：化料区、缓冲区以及晶体生长区域。为了实现单晶的无位错生长，需要保障杂质颗粒从化料区进入长晶区的时间内能够融化。已有技术阐明了熔体中杂质点从融化到碰触晶体所需的时间必须要足够长，已使得该颗粒点能够在熔体中融化，如增加一些堰、环形、缓冲区等。如：专利US2018/012320和专利US2011002835A1等。但现有技术中采用增加一些堰、环形、缓冲区等结构对现有容器的修改较大，生产成本较高。
技术实现思路
根据上述提出的技术问题，而提供一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器及孔的设计方法。本技术采用的技术手段如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器，包括设置在总熔体空间内的器壁，所述器壁所围成的空间形成晶体生长区，所述晶体生长区与所述总熔体空间同轴，其特征在于：/n所述器壁上加工有至少一个通孔；/n所述通孔用于所述总熔体空间内的熔体进入所述晶体生长区内；/n所述通孔位于所述晶体生长区内的熔体液面以下；/n当只具有一个所述通孔时，所述通孔的横截面积0.1mm

【技术特征摘要】
1.一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器，包括设置在总熔体空间内的器壁，所述器壁所围成的空间形成晶体生长区，所述晶体生长区与所述总熔体空间同轴，其特征在于：
所述器壁上加工有至少一个通孔；
所述通孔用于所述总熔体空间内的熔体进入所述晶体生长区内；
所述通孔位于所述晶体生长区内的熔体液面以下；
当只具有一个所述通孔时，所述通孔的横截面积0.1mm2≤S≤5024mm2；
当具有多个所述通孔时，所有所述通孔的横截面积之和0.1mm2≤S总≤5024mm2。


2.根据权利要求1所述的一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器，其特征在于：
所述通孔的上...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎志欣，逯占文，李军，孔德东，曹玉宝，
申请(专利权)人：连城凯克斯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32