阵列基板和显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板和显示面板，涉及显示技术领域。阵列基板包括：衬底基板，位于衬底基板一侧的第一功能部，位于第一功能部远离衬底基板一侧的第一连接部，第一功能部和第一连接部通过第一过孔电连接；位于第一连接部远离衬底基板一侧的第一信号部，第一连接部与第一信号部通过第二过孔电连接；第二功能部，位于第一信号部靠近衬底基板的一侧；第二信号部，位于第一信号部远离衬底基板的一侧；第二功能部与第二信号部电连接；沿第一方向第二功能部和第二信号部之间包括第三过孔，第三过孔的深度大于第一过孔的深度，第三过孔的深度大于第二过孔的深度。本发明专利技术解决了相邻的第一信号部和第二信号部容易短接的问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板和显示面板
本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种阵列基板和显示面板。
技术介绍
目前，显示技术渗透到了人们日常生活的各个方面，相应地，越来越多的材料和技术被用于显示屏。显示面板作为显示装置的重要组成部分用于实现显示装置的显示功能。当今，主流的显示屏主要有液晶显示面板以及有机发光显示面板(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)。液晶显示面板具有轻薄、功耗低和低辐射等优点，被广泛应用于各种领域。液晶显示面板通常包括相对设置的彩膜基板和阵列基板、以及彩膜基板和阵列基板之间的液晶层，彩膜基板靠近阵列基板的一侧设有黑矩阵和色阻层，显示面板中像素电极与公共电极之间的电场能够使液晶分子发生偏转，液晶分子发生偏转后背光组件产生的光线会透过显示面板，通过调整电场的大小，可以使液晶分子发生偏转的程度不同，而液晶分子发生偏转的程度不同时，显示面板的透光率不同，背光组件透过液晶显示面板的光量不同，由此实现图像的显示；有机发光二极管作为一种电流型发光器件已越来越多地被应用于高性能显示中，OLED显示显示面板具备自发光、广视角、响应速度快、对比度高、色域广、能耗低、面板薄、色彩丰富、可实现柔性显示、工作温度范围宽等诸多优异特性，因此被誉为下一代的“明星”平板显示技术。OLED显示显示面板包括阳极和阴极、以及设置在阳极和阴极之间的空穴传输层、有机发光层和电子传输层，阳极提供空穴注入，阴极提供电子注入，在外界电压的驱动下，由阴极和阳极注入的空穴和电子在有机发光层中复合，形成处于束缚能级的电子空穴对(即激子)，激子辐射退激发发出光子，产生可见光。现有技术中的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是OLED显示面板和LCD显示装置中的主要驱动元件，随着像素驱动电路越来越复杂，如出现7T1C、16T1C(T指薄膜晶体管、C指存储电容)等具有多个薄膜晶体管的像素驱动电路，需要在像素区域内排布多个信号传递点，现有技术中存在相邻近的信号传递点短路的问题，从而影响显示面板正常显示。因此，亟需提供一种能够改善相邻近的信号传递点容易短路的阵列基板和显示面板。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种阵列基板和显示面板，从而解决相邻的信号传递点容易短路的问题。一方面，本专利技术提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，位于衬底基板一侧的第一功能部，位于所述第一功能部远离所述衬底基板一侧的第一连接部，第一方向上位于所述第一功能部和所述第一连接部之间的第一绝缘层，所述第一功能部和所述第一连接部通过第一过孔电连接；所述第一方向垂直于所述衬底基板所在平面；位于所述第一连接部远离所述衬底基板一侧的第一信号部，所述第一方向上位于所述第一连接部和所述第一信号部之间的第二绝缘层，所述第一连接部与所述第一信号部通过第二过孔电连接；第二功能部，位于所述第一信号部靠近所述衬底基板的一侧；第二信号部，位于所述第一信号部远离所述衬底基板的一侧；所述第二功能部与所述第二信号部电连接；沿所述第一方向所述第二功能部和所述第二信号部之间包括第三过孔，其中，沿所述第一方向，所述第三过孔的深度大于所述第一过孔的深度，所述第三过孔的深度大于所述第二过孔的深度。另一方面，本专利技术还提供了显示面板，包括上述的阵列基板。与现有技术相比，本专利技术提供的阵列基板和显示面板，至少实现了如下的有益效果：本专利技术提供的阵列基板包括衬底基板，位于衬底基板一侧的第一功能部，位于第一功能部远离衬底基板一侧的第一连接部，第一功能部和第一连接部通过第一过孔电连接，还包括位于第一连接部远离衬底基板一侧的第一信号部，第一连接部与第一信号部通过第二过孔电连接；第二功能部，位于第一信号部靠近衬底基板的一侧；第二信号部，位于第一信号部远离衬底基板的一侧；第二功能部与第二信号部电连接；第二功能部和第二信号部之间包括第三过孔，第三过孔的深度大于第一过孔的深度，第三过孔的深度大于第二过孔的深度。由于第一功能部和第一连接部通过第一过孔电连接，而第二功能部和第二信号部之间包括第三过孔，在第一方向上第三过孔的深度大于第一过孔的深度，第三过孔的深度大于第二过孔的深度，即将第一信号部和第二信号部分别设置在不同的膜层，同一膜层中不会同时布设第一信号部和第二信号部，从而减少了同一膜层中设置过多的导电图案，在平行于衬底基板的方向上节省了空间，解决了相邻的第一信号部和第二信号部容易短接的问题。当然，实施本专利技术的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。图1是本专利技术提供的一种阵列基板的平面结构示意图；图2是图1中A-A’向的一种剖面图；图3是现有技术中阵列基板的一种剖面图；图4是图1中A-A’向的又一种剖面图；图5是图1中A-A’向的又一种剖面图；图6是图1中A-A’向的又一种剖面图；图7是图1中A-A’向的又一种剖面图；图8是图1中A-A’向的又一种剖面图；图9是本专利技术提供的一种像素驱动电路的等效电路图；图10是图1中P区域的局部放大图；图11是图10中N-N’向的一种剖面图；图12是图10中N-N’向的又一种剖面图；图13是本专利技术提供的一种显示面板的平面结构示意图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。图1是本专利技术提供的一种阵列基板的平面结构示意图，图2是图1中A-A’向的一种剖面图。参照图1和图2，本实施例提供了一种阵列基板100，包括：衬底基板1，位于衬底基板1一侧的第一功能部2，位于第一功能部2远离衬底基板1一侧的第一连接部3，第一方向X上位于第一功能部2和第一连接部3之间的第一绝缘层4，第一功能部2和第一连接部3通过第一过孔K1电连接；第一方向X垂直于衬底基板1所在平面；位于第一连接部3远离衬底基板1一侧的第一信号部5，第一方向X上位于第一连接部3和第一信号部5之间的第二绝缘层6，第一连接部3与第一信号部5通过第二过孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底基板，位于衬底基板一侧的第一功能部，位于所述第一功能部远离所述衬底基板一侧的第一连接部，第一方向上位于所述第一功能部和所述第一连接部之间的第一绝缘层，所述第一功能部和所述第一连接部通过第一过孔电连接；所述第一方向垂直于所述衬底基板所在平面；/n位于所述第一连接部远离所述衬底基板一侧的第一信号部，所述第一方向上位于所述第一连接部和所述第一信号部之间的第二绝缘层，所述第一连接部与所述第一信号部通过第二过孔电连接；/n第二功能部，位于所述第一信号部靠近所述衬底基板的一侧；/n第二信号部，位于所述第一信号部远离所述衬底基板的一侧；所述第二功能部与所述第二信号部电连接；沿所述第一方向所述第二功能部和所述第二信号部之间包括第三过孔，其中，沿所述第一方向，所述第三过孔的深度大于所述第一过孔的深度，所述第三过孔的深度大于所述第二过孔的深度。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板，位于衬底基板一侧的第一功能部，位于所述第一功能部远离所述衬底基板一侧的第一连接部，第一方向上位于所述第一功能部和所述第一连接部之间的第一绝缘层，所述第一功能部和所述第一连接部通过第一过孔电连接；所述第一方向垂直于所述衬底基板所在平面；
位于所述第一连接部远离所述衬底基板一侧的第一信号部，所述第一方向上位于所述第一连接部和所述第一信号部之间的第二绝缘层，所述第一连接部与所述第一信号部通过第二过孔电连接；
第二功能部，位于所述第一信号部靠近所述衬底基板的一侧；
第二信号部，位于所述第一信号部远离所述衬底基板的一侧；所述第二功能部与所述第二信号部电连接；沿所述第一方向所述第二功能部和所述第二信号部之间包括第三过孔，其中，沿所述第一方向，所述第三过孔的深度大于所述第一过孔的深度，所述第三过孔的深度大于所述第二过孔的深度。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一信号部为所述第一晶体管的源漏或漏极，所述第二信号部为所述第二晶体管的源极或漏极；
所述第一功能部为所述第一晶体管的有源结构，所述第二功能部为所述第二晶体管的有源结构，其中，所述第一功能部与所述第二功能部同层设置，或者，
所述第一功能部位于所述第二功能部靠近所述衬底基板的一侧。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一功能部包括硅或金属氧化物中的一者；
所述第二功能部包括硅或金属氧化物中的一者。


4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一方向，所述第二信号部和所述第二功能部之间包括第二连接部，所述第二信号部与所述第二连接部之间通过所述第三过孔电连接，所述第二连接部与所述第二功能部之间通过第四过孔电连接。


5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一方向，所述第二信号部和所述第二功能部之间通过所述第三过孔电连接。


6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括阻挡层，所述阻挡层包括第一阻挡层，所述第一阻挡层位于所述第一连接部远离衬底基板一侧，且沿所述第一方向，所述第一阻挡层覆盖所述第一连接部，所述第一阻挡...

【专利技术属性】
技术研发人员：何水，郑珊珊，李晓，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35