一种阵列基板及其制备方法技术

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括基板；感光单元，设置于基板上，所述感光单元包括存储电容、开关薄膜晶体管以及位于所述存储电容和所述开关薄膜晶体管之间的感光传感器；其中，所述感光传感器为感光二极管结构，所述感光二极管结构中的半导体结构包括层叠设置的N型重掺杂非晶硅层、非晶硅层以及P型重掺杂非晶硅层。本申请通过将阵列基板中的感光传感器采用感光二极管结构，所述感光二极管结构中的半导体结构包括N型重掺杂非晶硅层、非晶硅层以及P型重掺杂非晶硅层，能够在大尺寸设备上实现光传感器集成、提高设备灵敏度以及降低制造成本的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
液晶显示技术经过数十年的发展，已经十分成熟。在未来的发展中，光传感器集成是液晶显示技术发展的重要方向。通过在显示屏内集成光传感器，显示屏的应用场景将得到进一步扩展，例如指纹识别、掌纹识别、体感识别、激光交互等功能均可以通过光传感器得以实现。目前，如何提高光传感器的灵敏度以及提高光传感器与大尺寸显示工艺兼容性，成为了液晶显示技术发展的重要方向。
技术实现思路
本申请提供了一种阵列基板及其制备方法，用以能够有效提高光传感器的灵敏度以及提高光传感器与大尺寸显示工艺兼容性。为了实现上述效果，本申请提供的技术方案如下：一种阵列基板，包括：基板；感光单元，设置于所述基板上，所述感光单元包括存储电容、开关薄膜晶体管以及位于所述存储电容和所述开关薄膜晶体管之间的感光传感器；其中，所述感光传感器为感光二极管结构，所述感光二极管结构中的半导体结构包括层叠设置的N型重掺杂非晶硅层、非晶硅层以及P型重掺杂非晶硅层。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n基板；/n感光单元，设置于所述基板上，所述感光单元包括存储电容、开关薄膜晶体管以及位于所述存储电容和所述开关薄膜晶体管之间的感光传感器；/n其中，所述感光传感器为感光二极管结构，所述感光二极管结构中的半导体结构包括层叠设置的N型重掺杂非晶硅层、非晶硅层以及P型重掺杂非晶硅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
感光单元，设置于所述基板上，所述感光单元包括存储电容、开关薄膜晶体管以及位于所述存储电容和所述开关薄膜晶体管之间的感光传感器；
其中，所述感光传感器为感光二极管结构，所述感光二极管结构中的半导体结构包括层叠设置的N型重掺杂非晶硅层、非晶硅层以及P型重掺杂非晶硅层。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第一电极层，设置于所述基板上，所述第一电极层包括间隔设置的第一电极、第二电极以及第三电极；
栅极绝缘层，设置于所述第一电极层上方；
半导体层，设置于所述栅极绝缘层上方，所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层；所述第一半导体层设置于所述第一电极和所述第三电极上方；所述第二半导体层设置于所述第二电极上方；
第二电极层，设置于所述第一半导体层上方，所述第二电极层包括第四电极、漏极以及源极；所述第四电极位于所述第一电极上方；所述漏极和所述源极位于所述第三电极两个相对的边缘区域上方；
绝缘层，设置于所述半导体层上方；以及
透明电极层，设置于所述绝缘层上方，所述透明电极层包括第一透明电极和第二透明电极；所述第一透明电极与所述第一电极相连接；所述第二透明电极与所述第二电极以及所述漏极相连接。


3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述感光传感器包括层叠设置的所述第二电极、所述第二半导体层以及所述第一透明电极；其中，所述第二半导体层为多层结构，包括层叠设置的N型重掺杂非晶硅层、非晶硅层以及P型重掺杂非晶硅层。


4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容包括层叠设置的所述第一电极、所述第一半导体层以及所述第四电极；其中，所述第一半导体层为多层结构，包括层叠设置的非晶硅层和N型重掺杂非晶硅层。


5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管包括所述第三电极、所述第一半导体层、所述漏极和所述源极。


6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的第三电极接入扫描信号，源极接入读出信号，漏极接入所述感光传感器的第二电极和所述存储电容的第四电极；
所述存储电容的第一电极接入低电位电源和所述感...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭力，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44