一种阵列基板及其制备方法技术

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括基板；感光单元，设置于基板上，所述感光单元包括存储电容、开关薄膜晶体管以及位于所述存储电容和所述开关薄膜晶体管之间的感光传感器；其中，所述感光传感器为感光二极管结构，所述感光二极管结构中的半导体结构包括层叠设置的N型重掺杂非晶硅层、非晶硅层以及P型重掺杂非晶硅层。本申请通过将阵列基板中的感光传感器采用感光二极管结构，所述感光二极管结构中的半导体结构包括N型重掺杂非晶硅层、非晶硅层以及P型重掺杂非晶硅层，能够在大尺寸设备上实现光传感器集成、提高设备灵敏度以及降低制造成本的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
液晶显示技术经过数十年的发展，已经十分成熟。在未来的发展中，光传感器集成是液晶显示技术发展的重要方向。通过在显示屏内集成光传感器，显示屏的应用场景将得到进一步扩展，例如指纹识别、掌纹识别、体感识别、激光交互等功能均可以通过光传感器得以实现。目前，如何提高光传感器的灵敏度以及提高光传感器与大尺寸显示工艺兼容性，成为了液晶显示技术发展的重要方向。
技术实现思路
本申请提供了一种阵列基板及其制备方法，用以能够有效提高光传感器的灵敏度以及提高光传感器与大尺寸显示工艺兼容性。为了实现上述效果，本申请提供的技术方案如下：一种阵列基板，包括：基板；感光单元，设置于所述基板上，所述感光单元包括存储电容、开关薄膜晶体管以及位于所述存储电容和所述开关薄膜晶体管之间的感光传感器；其中，所述感光传感器为感光二极管结构，所述感光二极管结构中的半导体结构包括层叠设置的N型重掺杂非晶硅层、非晶硅层以及P型重掺杂非晶硅层。本申请的阵列基板中，所述阵列基板还包括：第一电极层，设置于所述基板上，所述第一电极层包括间隔设置的第一电极、第二电极以及第三电极；栅极绝缘层，设置于所述第一电极层上方；半导体层，设置于所述栅极绝缘层上方，所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层；所述第一半导体层设置于所述第一电极和所述第三电极上方；所述第二半导体层设置于所述第二电极上方；>第二电极层，设置于所述第一半导体层上方，所述第二电极层包括第四电极、漏极以及源极；所述第四电极位于所述第一电极上方；所述漏极和所述源极位于所述第三电极两个相对的边缘区域上方；绝缘层，设置于所述半导体层上方；以及透明电极层，设置于所述绝缘层上方，所述透明电极层包括第一透明电极和第二透明电极；所述第一透明电极与所述第一电极相连接；所述第二透明电极与所述第二电极以及所述漏极相连接。本申请的阵列基板中，所述感光传感器包括层叠设置的所述第二电极、所述第二半导体层以及所述第一透明电极；其中，所述第二半导体层为多层结构，包括层叠设置的N型重掺杂非晶硅层、非晶硅层以及P型重掺杂非晶硅层。本申请的阵列基板中，所述存储电容包括层叠设置的所述第一电极、所述第一半导体层以及所述第四电极；其中，所述第一半导体层为多层结构，包括层叠设置的非晶硅层和N型重掺杂非晶硅层。本申请的阵列基板中，所述开关薄膜晶体管包括所述第三电极、所述第一半导体层、所述漏极和所述源极。本申请的阵列基板中，所述开关薄膜晶体管的第三电极接入扫描信号，源极接入读出信号，漏极接入所述感光传感器的第二电极和所述存储电容的第四电极；所述存储电容的第一电极接入低电位电源和所述感光传感器的第一透明电极，所述存储电容的第四电极接入所述开关薄膜晶体管的漏极和所述感光传感器的第二电极。本申请的阵列基板中，所述栅极绝缘层和所述绝缘层上开设有将所述第二电极部分暴露的开孔，所述第二半导体层通过所述开孔与所述第二电极相接触。本申请的阵列基板中，所述阵列基板还包括位于所述第一电极层上方的第一阻挡层，所述第一阻挡层包括位于所述第一电极上方的第一子阻挡层、位于所述第二电极上方的第二子阻挡层以及位于所述第三电极上方的第三子阻挡层。本申请还提供一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：步骤S10：在基板上形成第一金属层，对所述第一金属层图案化处理，形成第一电极层，所述第一电极层包括间隔设置的第一电极、第二电极以及第三电极；步骤S20：在所述第一电极层上制备栅极绝缘层、第一半导体层以及第二金属层；对所述第二金属层和所述第一半导体层图案化处理，形成第二电极层，所述第二电极层包括第四电极、漏极以及源极；所述第四电极位于所述第一电极上方，所述漏极和所述源极位于所述第三电极两个相对的边缘区域上方；步骤S30：在所述栅极绝缘层、所述第四电极、所述漏极以及所述源极上制备第一绝缘层；对所述第一绝缘层和所述栅极绝缘层图案化处理，形成将所述第二电极部分暴露的开孔；步骤S40：在所述第二电极暴露的部分上制备第二半导体层；步骤S50：在所述第一绝缘层和所述第二半导体层上形成第二绝缘层，对所述第二绝缘层、所述第一绝缘层以及所述栅极绝缘层图案化处理，形成位于所述第一电极上的过孔、位于所述第二电极上的过孔、位于所述漏极上的过孔以及将所述第二半导体层部分暴露的开孔；步骤S60：在所述第二绝缘层和所述第二半导体层上形成透明电极层，对所述透明电极层图案化处理，形成第一透明电极和第二透明电极；所述第一透明电极通过所述第一电极上的过孔与所述第一电极相连接；所述第二透明电极通过所述第二电极上的过孔与所述第二电极相连接，及通过所述漏极上的过孔与所述漏极相连接。本申请的制备方法中，所述步骤S40包括在所述第二电极暴露的部分上依次制备N型重掺杂非晶硅层、非晶硅层以及P型重掺杂非晶硅层。有益效果：本申请通过将阵列基板中的感光传感器采用感光二极管结构，所述感光二极管结构中的半导体结构包括N型重掺杂非晶硅层、非晶硅层以及P型重掺杂非晶硅层，能够在大尺寸设备上实现光传感器集成、提高设备灵敏度以及降低制造成本的效果。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其他有益效果显而易见。图1为本申请实施例所提供的阵列基板的结构示意图；图2为本申请实施例所提供的阵列基板电路图；图3为本申请实施例所提供的阵列基板的制备方法的步骤流程图；图4A～图4F为本申请实施例所提供的阵列基板的制备过程中的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。现有技术中，如何提高光传感器的灵敏度以及提高光传感器与大尺寸显示工艺兼容性，成为了液晶显示技术发展的重要方向。基于此，本申请提供了一种阵列基板及其制备方法，能够实现上述效果。现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。实施例一请参阅图1，本申请实施例所提供的阵列基板的结构示意图。在本实施例中，所述阵列基板包括基板10；设置在基板10上的感光单元，所述感光单元包括存储电容1100、开关薄膜晶体管1300以及位于所述存储电容1100和所述开关薄膜晶体管1300之间的感光传感器1200；其中，所述感光传感器1200为感光二极管结构。所述阵列基板还包括依次层叠设置于所述基板10上的第一电极层，栅极绝缘层30、半导体层、第二电极层、绝缘层60以及透明电极层70。在本实施例中，所述基板10为PI基板，主要为聚醯亚胺，PI材料可以有效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n基板；/n感光单元，设置于所述基板上，所述感光单元包括存储电容、开关薄膜晶体管以及位于所述存储电容和所述开关薄膜晶体管之间的感光传感器；/n其中，所述感光传感器为感光二极管结构，所述感光二极管结构中的半导体结构包括层叠设置的N型重掺杂非晶硅层、非晶硅层以及P型重掺杂非晶硅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
感光单元，设置于所述基板上，所述感光单元包括存储电容、开关薄膜晶体管以及位于所述存储电容和所述开关薄膜晶体管之间的感光传感器；
其中，所述感光传感器为感光二极管结构，所述感光二极管结构中的半导体结构包括层叠设置的N型重掺杂非晶硅层、非晶硅层以及P型重掺杂非晶硅层。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第一电极层，设置于所述基板上，所述第一电极层包括间隔设置的第一电极、第二电极以及第三电极；
栅极绝缘层，设置于所述第一电极层上方；
半导体层，设置于所述栅极绝缘层上方，所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层；所述第一半导体层设置于所述第一电极和所述第三电极上方；所述第二半导体层设置于所述第二电极上方；
第二电极层，设置于所述第一半导体层上方，所述第二电极层包括第四电极、漏极以及源极；所述第四电极位于所述第一电极上方；所述漏极和所述源极位于所述第三电极两个相对的边缘区域上方；
绝缘层，设置于所述半导体层上方；以及
透明电极层，设置于所述绝缘层上方，所述透明电极层包括第一透明电极和第二透明电极；所述第一透明电极与所述第一电极相连接；所述第二透明电极与所述第二电极以及所述漏极相连接。


3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述感光传感器包括层叠设置的所述第二电极、所述第二半导体层以及所述第一透明电极；其中，所述第二半导体层为多层结构，包括层叠设置的N型重掺杂非晶硅层、非晶硅层以及P型重掺杂非晶硅层。


4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容包括层叠设置的所述第一电极、所述第一半导体层以及所述第四电极；其中，所述第一半导体层为多层结构，包括层叠设置的非晶硅层和N型重掺杂非晶硅层。


5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管包括所述第三电极、所述第一半导体层、所述漏极和所述源极。


6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的第三电极接入扫描信号，源极接入读出信号，漏极接入所述感光传感器的第二电极和所述存储电容的第四电极；
所述存储电容的第一电极接入低电位电源和所述感...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭力，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44