显示设备制造技术

本发明专利技术是关于一种显示设备，包括：一基板；一第一栅极及一第二栅极，设于基板上；一栅极绝缘层，设于第一栅极上；一第一有源层，设于栅极绝缘层上且与第一栅极对应，且包含一多晶硅层；一第一绝缘层，设于第一有源层上；一第二有源层，设于第一绝缘层上且与第二栅极对应，且包含一金属氧化物层；一第一源极、一第一漏极、一第二源极及一第二漏极，其中，第一源极及第一漏极设于第一绝缘层上且通过多个通孔以与第一有源层电性连接，而第二源极及第二漏极设于第二有源层上并与第二有源层电性连接；以及一导电层，覆盖第二源极和第二漏极。

【技术实现步骤摘要】
显示设备
本专利技术的主要目的在提供一种显示设备，尤指一种同时包含有低温多晶硅薄膜晶体管单元及金属氧化物薄膜晶体管单元的显示设备。
技术介绍
随着显示器技术不断进步，所有的显示面板均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展，故目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成薄型显示器，如液晶显示面板、有机发光二极管显示面板或无机发光二极管显示面板等。其中，薄型显示器可应用的领域相当多，举凡日常生活中使用的手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、移动导航装置、电视等显示面板，大多数均使用该些显示面板。虽然液晶显示设备或有机发光二极管显示设备已为市面上常见的显示设备，特别是液晶显示设备的技术更是相当成熟，但随着显示设备不断发展且消费者对显示设备的显示质量要求日趋提高，各家厂商无不极力发展出具有更高显示质量的显示设备。其中，除了显示区上的薄膜晶体管结构外，非显示区中的栅极驱动电路区域所使用的薄膜晶体管组件结构，也为影响显示设备整体效率的因素的一。若显示区与栅极驱动电路区域均使用薄膜晶体管组件，两者若为不同薄膜晶体管组件时，两者的工艺会相互影响，也会造成显示设备整体的工艺复杂化(例如：需更多次化学气相沉积工艺)。有鉴于此，目前仍需针对显示区与栅极驱动电路区域的薄膜晶体管组件结构进行改良，以在具有良好薄膜晶体管组件特性下，简化两者的工艺及结构。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在提供一种显示设备，其同时包含有低温多晶硅薄膜晶体管单元及金属氧化物薄膜晶体管单元。于本专利技术的一实施例中，显示设备可包括：一基板；一第一栅极及一第二栅极，设于该基板上；一栅极绝缘层，设于该第一栅极上；一第一有源层，设于该栅极绝缘层上且与该第一栅极对应，其中该第一有源层包含一多晶硅层；一第一绝缘层，设于该第一有源层上；一第二有源层，设于该第一绝缘层上且与该第二栅极对应，其中该第二有源层包含一金属氧化物层；一第一源极、一第一漏极、一第二源极及一第二漏极，其中，该第一源极及该第一漏极设于该第一绝缘层上且通过多个通孔以与该第一有源层电性连接，而该第二源极及该第二漏极设于该第二有源层上并与该第二有源层电性连接；以及一导电层，其中该导电层覆盖该第二源极和该第二漏极。由前述可知，本专利技术的显示设备同时包括第一有源层为多晶硅层的第一薄膜晶体管单元及第二有源层为金属氧化物层的第二薄膜晶体管单元。特别是，通过调整第一及第二有源层与栅极绝缘层及第一绝缘层的层与层间的关系，可使得基板上组件结构更加简化，并可简化形成第一及第二薄膜晶体管单元的工艺；同时，所制得的第一及第二薄膜晶体管单元，仍能保有良好的薄膜晶体管单元特性。附图说明图1A是本专利技术实施例1的显示设备的上视图；图1B是本专利技术实施例1的显示设备的剖面示意图；图2A至图2G是本专利技术实施例1的显示设备的基板上组件的制作流程剖面示意图；图3A至图3E是本专利技术实施例2的显示设备的基板上组件的制作流程剖面示意图；图4是本专利技术实施例2的显示设备的剖面示意图；图5A至图5H是本专利技术实施例3的显示设备的基板上组件的制作流程剖面示意图；图6A是本专利技术实施例4的显示设备的剖面示意图；图6B是本专利技术实施例4的显示设备的第二薄膜晶体管单元中的部分层别上视图；图7A至图7G是本专利技术实施例5的显示设备的基板上组件的制作流程剖面示意图；图8A是本专利技术实施例6的显示设备的剖面示意图；图8B是本专利技术实施例6的显示设备的第二薄膜晶体管单元中的部分层别上视图；图9是本专利技术实施例7的显示设备的剖面示意图；图10是本专利技术实施例8的显示设备的剖面示意图；图11是本专利技术实施例9的显示设备的剖面示意图；【符号说明】1第一基板11基板121第一栅极122,122’第二栅极123第一导电层124第二导电层125扫描线125a通孔13栅极绝缘层131底栅极绝缘层132顶栅极绝缘层14非晶硅层14’多晶硅层141源极区142漏极区143沟道区145非晶硅层146经掺杂的非晶硅层15第一绝缘层151第一底绝缘层152第一顶绝缘层16第二有源层171第一源极171a，172a通孔172第一漏极173第二源极174第二漏极175第四导电层18第二绝缘层19像素电极19a接触孔2第二基板21,21’，22掩模3显示介质层AA显示区B外围区H1，H2距离TFT1第一薄膜晶体管单元TFT2第二薄膜晶体管单元SL扫描线具体实施方式以下是通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术也可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可针对不同观点与应用，在不悖离本专利技术的精神下进行各种修饰与变更。再者，说明书与权利要求中所使用的序数例如”第一”、”第二”等的用词，以修饰权利要求的组件，其本身并不意含及代表该请求组件有任何之前的序数，也不代表某一请求组件与另一请求组件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求组件得以和另一具有相同命名的请求组件能作出清楚区分。实施例1图1A及图1B分别为本实施例的显示设备上视图及剖面示意图。其中，本实施例的显示设备包括：一第一基板1；一第二基板2，与第一基板1相对设置；以及一显示介质层3，设置于第一基板1与第二基板2间。其中，显示设备可包括：一显示区AA；以及一外围区B，围绕显示区AA设置。在此，所谓的外围区B即走线分布的区域，例如：栅极驱动电路区域；而所谓的显示区AA则为像素单元所分布的区域。图2A至图2G是本实施例的显示设备的基板上组件的制作流程剖面示意图，例如是第一基板1上的组件制作流程。首先，如图2A所示，提供一基板11，并于基板11上形成一第一栅极121及一第二栅极122。在此，基板11使用例如玻璃、塑料、可挠性材质等基材材料所制成；而第一栅极121及第二栅极122可使用如Cu或Al等金属材料所制成。而后，于基板11、第一栅极121及第二栅极122形成一栅极绝缘层13。于本实施例中，栅极绝缘层13包括一底栅极绝缘层131及一顶栅极绝缘层132，底栅极绝缘层131设于基板11与顶栅极绝缘层132间，且底栅极绝缘层131的材料为氮化硅，而顶栅极绝缘层132的材料为氧化硅。接着，再于栅极绝缘层13上形成一非晶硅层14。如图2B所示，通过一激光烧结工艺及一沟道掺杂工艺，而可将非晶硅层14转换成多晶硅层14’。接着，如图2C所示，利用以光刻胶制成的掩模21图案化多晶硅层14’，且所形成的多晶硅层14’对应第一栅极121。而后，如图2D所示，再另用掩模21′，进行n+或p+掺杂工艺，而可使图2C的多晶硅层14’转换成包括掺杂的源极区141、漏极区142及一沟道区143；其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示设备，其特征在于，包括：/n一基板；/n一第一栅极及一第二栅极，设于该基板上；/n一栅极绝缘层，设于该第一栅极上；/n一第一有源层，设于该栅极绝缘层上且与该第一栅极对应，其中该第一有源层包含一多晶硅层；/n一第一绝缘层，设于该第一有源层上；/n一第二有源层，设于该第一绝缘层上且与该第二栅极对应，其中该第二有源层包含一金属氧化物层；/n一第一源极、一第一漏极、一第二源极及一第二漏极，其中，该第一源极及该第一漏极设于该第一绝缘层上且通过多个通孔以与该第一有源层电性连接，而该第二源极及该第二漏极设于该第二有源层上并与该第二有源层电性连接；以及/n一导电层，其中该导电层覆盖该第二源极和该第二漏极。/n

【技术特征摘要】
20160408 US 62/319,9651.一种显示设备，其特征在于，包括：
一基板；
一第一栅极及一第二栅极，设于该基板上；
一栅极绝缘层，设于该第一栅极上；
一第一有源层，设于该栅极绝缘层上且与该第一栅极对应，其中该第一有源层包含一多晶硅层；
一第一绝缘层，设于该第一有源层上；
一第二有源层，设于该第一绝缘层上且与该第二栅极对应，其中该第二有源层包含一金属氧化物层；
一第一源极、一第一漏极、一第二源极及一第二漏极，其中，该第一源极及该第一漏极设于该第一绝缘层上且通过多个通孔以与该第一有源层电性连接，而该第二源极及该第二漏极设于该第二有源层上并与该第二有源层电性连接；以及
一导电层，其中该导电层覆盖该第二源极和...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冠锋，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71