制造阵列基板的方法、阵列基板、显示设备技术

提供了制造阵列基板的方法。所述方法包括：在基底基板上形成多个第一薄膜晶体管，多个第一薄膜晶体管中的对应一个形成为包括第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；以及，在基底基板上形成多个第二薄膜晶体管，多个第二薄膜晶体管中的对应一个形成为包括第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极。形成第一源电极包括在分开的构图步骤中形成第一源极子层和形成第二源极子层。形成第一漏电极包括在分开的构图步骤中形成第一漏极子层和形成第二漏极子层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造阵列基板的方法、阵列基板、显示设备
本专利技术涉及显示技术，更具体地，涉及制造阵列基板的方法、阵列基板和显示设备。
技术介绍
阵列基板通常包括位于其显示区域中的多个子像素，所述多个子像素中的每一个受薄膜晶体管控制以进行图像显示。阵列基板的各种驱动电路通常布置在阵列基板的周边区域中。这些驱动电路还包括其操作所需的薄膜晶体管。
技术实现思路
一方面，本专利技术提供了一种制造阵列基板的方法，包括：在基底基板上形成多个第一薄膜晶体管，所述多个第一薄膜晶体管中的对应一个形成为包括第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；以及，在基底基板上形成多个第二薄膜晶体管，所述多个第二薄膜晶体管中的对应一个形成为包括第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；其中，形成第一源电极包括在分开的构图步骤中形成第一源极子层和形成第二源极子层；形成第一漏电极包括在分开的构图步骤中形成第一漏极子层和形成第二漏极子层；利用单个掩模板在相同构图工艺中使用相同材料将第一源极子层和第一漏极子层形成在相同层；并且，利用单个掩模板在相同构图工艺中使用相同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造阵列基板的方法，包括：/n在基底基板上形成多个第一薄膜晶体管，所述多个第一薄膜晶体管中的对应一个形成为包括第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；以及/n在所述基底基板上形成多个第二薄膜晶体管，所述多个第二薄膜晶体管中的对应一个形成为包括第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；/n其中，形成所述第一源电极包括在分开的构图步骤中形成第一源极子层和形成第二源极子层；/n形成所述第一漏电极包括在分开的构图步骤中形成第一漏极子层和形成第二漏极子层；/n利用单个掩模板在相同构图工艺中使用相同材料将所述第一源极子层和所述第一漏极子层形成在相同层；并且/n利用单个掩模板在相同构图...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造阵列基板的方法，包括：
在基底基板上形成多个第一薄膜晶体管，所述多个第一薄膜晶体管中的对应一个形成为包括第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；以及
在所述基底基板上形成多个第二薄膜晶体管，所述多个第二薄膜晶体管中的对应一个形成为包括第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；
其中，形成所述第一源电极包括在分开的构图步骤中形成第一源极子层和形成第二源极子层；
形成所述第一漏电极包括在分开的构图步骤中形成第一漏极子层和形成第二漏极子层；
利用单个掩模板在相同构图工艺中使用相同材料将所述第一源极子层和所述第一漏极子层形成在相同层；并且
利用单个掩模板在相同构图工艺中使用相同材料将所述第二源极子层、所述第二漏极子层、所述第二源电极和所述第二漏电极形成在相同层。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一有源层和所述第二有源层形成在不同层；
所述第二有源层的整个表面在用于暴露所述第一有源层的第一源电极接触区域和第一漏电极接触区域的第一蚀刻处理期间受保护且未暴露；并且
所述第一有源层的整个表面在用于暴露所述第二有源层的第二源电极接触区域和第二漏电极接触区域的第二蚀刻处理期间受保护且未暴露。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一有源层的所述整个表面在所述第二蚀刻处理期间部分地通过所述第一源极子层和所述第一漏极子层而未暴露且受保护；并且
所述第二有源层的所述整个表面在所述第一蚀刻处理期间通过绝缘材料而未暴露且受保护。


4.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述第二蚀刻处理之前执行所述第一蚀刻处理。


5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其中，所述第一有源层和所述第二有源层形成为选自硅有源层和金属氧化物有源层的两个不同有源层；
通过用于将非晶硅材料转换为多晶硅材料的结晶化处理来形成所述硅有源层；并且
所述金属氧化物有源层的整个表面在所述结晶化处理期间受保护且未暴露。


6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其中，所述第一有源层和所述第二有源层形成在两个不同层；
所述方法还包括形成第一层间介电层和形成第二层间介电层；
所述第一层间介电层形成在所述第一有源层与所述第二有源层之间；并且
所述第二层间介电层形成在所述第一有源层和所述第二有源层的远离所述基底基板的一侧。


7.根据权利要求6所述的方法，包括：
在所述第一蚀刻处理期间形成第一过孔和第二过孔以暴露所述第一有源层的所述第一源电极接触区域和所述第一漏电极接触区域；
形成填充在所述第一过孔中的所述第一源极子层和填充在所述第二过孔中的所述第一漏极子层以保护所述第一有源层；
在形成所述第一源极子层和所述第一漏极子层之后，在所述第二蚀刻处理期间形成第三过孔和第四过孔以暴露所述第二有源层的所述第二源电极接触区域和所述第二漏电极接触区域；以及
在相同构图工艺中形成所述第二源极子层、所述第二漏极子层、所述第二源电极和所述第二漏电极，所述第二源电极形成为填充在所述第三过孔中，所述第二漏电极形成为填充在所述第四过孔中。


8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一层间介电层形成在所述第二有源层的远离所述基底基板的一侧；
所述第一有源层形成在所述第一层间介电层的远离所述基底基板的一侧；并且
所述第二层间介电层形成在所述第一有源层的远离所述基底基板的一侧。


9.根据权利要求8所述的方法，包括：
在所述第一蚀刻处理期间分别形成贯穿所述第二层间介电层的第一过孔和第二过孔以暴露所述第一有源层的所述第一源电极接触区域和所述第一漏电极接触区域；
形成填充在所述第一过孔中的所述第一源极子层和填充在所述第二过孔中的所述第一漏极子层以保护所述第一有源层；
在形成所述第一源极子层和所述第一漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈竹，尹正民，曹鑫，刘红灿，戴明，徐海峰，樊浩原，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，绵阳京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11