半导体制备方法、半导体结构和半导体器件技术

本申请涉及一种半导体制备方法、半导体结构和半导体器件。本申请的半导体制造方法，包括：获取一晶体外延结构，其中晶体外延结构包括本体结构、设于本体结构表面的脊形成层及设于脊形成层表面的欧姆接触层；刻蚀脊形成层和欧姆接触层，令脊形成层形成至少一个导电脊波导和至少一个耗损脊波导，且保留导电脊波导上的欧姆接触层；对耗损脊波导的侧壁进行粗糙化处理；在耗损脊波导上形成绝缘层。故本申请通过改善半导体制造工艺，来改善半导体器件的性能，且本申请通过在耗损脊波导的侧壁上进行粗糙化处理，加大了耗损脊波导的耗损。

【技术实现步骤摘要】
半导体制备方法、半导体结构和半导体器件
本申请涉及半导体器件的
，具体而言，涉及一种半导体制备方法、半导体结构和半导体器件。
技术介绍
半导体器件(semiconductordevice)是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。半导体器件的半导体材料是硅、锗、砷化镓或磷化铟等。其中，半导体器件中为实现高功率输出，需要考虑抑制高阶模的激射。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种半导体制备方法、半导体结构和半导体器件，其能够通过改善半导体制造工艺，来改善半导体器件的性能。为了实现上述目的，第一方面，本专利技术提供一种半导体制备方法，包括：获取一晶体外延结构，其中所述晶体外延结构包括本体结构、设于所述本体结构表面的脊形成层及设于所述脊形成层表面的欧姆接触层；刻蚀所述脊形成层和所述欧姆接触层，令所述脊形成层形成至少一个导电脊波导和至少一个耗损脊波导，且保留所述导电脊波导上的所述欧姆接触层；对所述耗损本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制备方法，其特征在于，包括：/n获取一晶体外延结构，其中所述晶体外延结构包括本体结构、设于所述本体结构表面的脊形成层及设于所述脊形成层表面的欧姆接触层；/n刻蚀所述脊形成层和所述欧姆接触层，令所述脊形成层形成至少一个导电脊波导和至少一个耗损脊波导，且保留所述导电脊波导上的所述欧姆接触层；/n对所述耗损脊波导的侧壁进行粗糙化处理；/n在所述耗损脊波导上形成绝缘层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体制备方法，其特征在于，包括：
获取一晶体外延结构，其中所述晶体外延结构包括本体结构、设于所述本体结构表面的脊形成层及设于所述脊形成层表面的欧姆接触层；
刻蚀所述脊形成层和所述欧姆接触层，令所述脊形成层形成至少一个导电脊波导和至少一个耗损脊波导，且保留所述导电脊波导上的所述欧姆接触层；
对所述耗损脊波导的侧壁进行粗糙化处理；
在所述耗损脊波导上形成绝缘层。


2.根据权利要求1所述的半导体制备方法，其特征在于，所述对所述耗损脊波导的侧壁进行粗糙化处理，包括：
对所述耗损脊波导的侧壁进行离子轰击、干法腐蚀或湿法腐蚀；
其中，所述耗损脊波导的宽度小于所述导电脊波导的宽度。


3.根据权利要求1所述的半导体制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述脊形成层和所述欧姆接触层，令所述脊形成层形成至少一个导电脊波导和至少一个耗损脊波导，且保留所述导电脊波导上的所述欧姆接触层，包括：
在所述欧姆接触层上形成第一掩模层；
在所述第一掩模层上形成光阻层；
光刻所述光阻层形成第二掩模层；
利用所述第二掩模层刻蚀所述第一掩模层形成第三掩模层；
利用所述第二掩模层和所述第三掩模层刻蚀所述脊形成层和所述欧姆接触层形成多个沟槽；
去除所述第二掩模层和所述第三掩模层；
其中，所述第一掩模层和所述光阻层的材质不同。


4.根据权利要求3所述的半导体制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述脊形成层和所述欧姆接触层，令所述脊形成层形成至少一个导电脊波导和至少一个耗损脊波导，且保留所述导电脊波导上的所述欧姆接触层，还包括：
对所述沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐松，杨国文，赵卫东，
申请(专利权)人：度亘激光技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32