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本申请涉及一种半导体制备方法、半导体结构和半导体器件。本申请的半导体制造方法，包括：获取一晶体外延结构，其中晶体外延结构包括本体结构、设于本体结构表面的脊形成层及设于脊形成层表面的欧姆接触层；刻蚀脊形成层和欧姆接触层，令脊形成层形成至少一个...
该专利属于度亘激光技术(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过度亘激光技术(苏州)有限公司授权不得商用。

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