半导体光元件、半导体光集成元件、及半导体光元件的制造方法技术

半导体光元件具有第一包层、第二包层、光限制层(2、20)，该第二包层具有形成为脊形状的脊部(20)，该光限制层(2、20)位于第一包层和第二包层之间，对光进行传播，脊部(20)从接近光限制层(2、20)的一侧起依次具有脊下部(5)、脊中间部(6)、脊上部(8)，脊中间部(6)的与光限制层(2、20)中的光传播方向即光轴垂直的剖面处的宽度是比脊下部(5)及脊上部(8)宽的宽度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体光元件、半导体光集成元件、及半导体光元件的制造方法
本申请涉及脊型的半导体光元件。
技术介绍
作为光通信系统所使用的激光光源、或者作为光放大器，使用半导体光元件。作为半导体光元件，大多使用分布反馈型半导体激光器(DFB-LD：DistributedFeedbackLaserDiode，也称为DFB半导体激光器)。而且，就DFB半导体激光器而言，使用脊型的半导体光元件(例如专利文献1)。就DFB半导体激光器而言，需要将衍射光栅掩埋。脊型的DFB半导体激光器的衍射光栅的形成所需的掩埋部等半导体晶体再生长区域包含位错等晶体缺陷。就脊型DFB半导体激光器而言，如果来自绝缘膜、金属膜等膜的应力集中于掩埋部或活性层，则产生缓慢的特性变动(Ith变动、Iop变动)。不限于脊型的DFB半导体激光器，在具有脊型波导构造的半导体光元件的情况下，针对将光限制在内部而使光进行传播的层即光限制层的应力也存在相同的课题。当前针对该课题，通过绝缘膜、金属膜等的膜质(成膜方法、成膜条件等)的调整、或膜结构等使该区域的应力集中得到缓和而满足了可靠性。...

【技术保护点】
1.一种半导体光元件，其具有第一包层、第二包层、光限制层，该第二包层具有形成为脊形状的脊部，该光限制层位于所述第一包层和所述第二包层之间，对光进行传播，/n该半导体光元件的特征在于，/n所述脊部从接近所述光限制层的一侧起依次具有脊下部、脊中间部、脊上部，所述脊中间部的与所述光限制层中的光传播方向即光轴垂直的剖面处的宽度是比所述脊下部及所述脊上部宽的宽度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体光元件，其具有第一包层、第二包层、光限制层，该第二包层具有形成为脊形状的脊部，该光限制层位于所述第一包层和所述第二包层之间，对光进行传播，
该半导体光元件的特征在于，
所述脊部从接近所述光限制层的一侧起依次具有脊下部、脊中间部、脊上部，所述脊中间部的与所述光限制层中的光传播方向即光轴垂直的剖面处的宽度是比所述脊下部及所述脊上部宽的宽度。


2.根据权利要求1所述的半导体光元件，其特征在于，
所述脊上部和所述脊下部由相同的材料形成，所述脊中间部由与所述脊上部不同的材料形成。


3.根据权利要求1或2所述的半导体光元件，其特征在于，
在所述脊中间部的从所述脊下部伸出的部分和所述光限制层之间形成有空腔。


4.根据权利要求1或2所述的半导体光元件，其特征在于，
在所述脊中间部的从所述脊下部伸出的部分和所述光限制层之间形成有有机膜。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，
所述脊部的至少一部分被绝缘膜覆盖，所述绝缘膜的外侧被金属覆盖。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，
所述光限制层为使电子及空穴复合而放出光的活性层。


7.根据权利要求6所述的半导体光元件，其特征在于，
在所述脊中间部具有掩埋了衍射光栅的区域。


8.根据权利要求6所述的半导体光元件，其特征在于，
在所述光限制层和所述脊下部之间具有掩埋了衍射光栅的衍射光栅层。


9.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，
所述光限制层为通过施加电场而对光进...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口勉，佐久间仁，尾上和之，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP