一种具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法，属于半导体激光器制备技术领域，方法包括在外延片的表面腐蚀出脊型结构，将脊型结构以外区域的P限制层和欧姆接触层全部腐蚀，再将窗口区的脊型结构上面的欧姆接触层腐蚀掉，然后在窗口区域除去脊型结构以外四面腐蚀到波导层的区域，利用光刻、腐蚀等方法制备出规则形状的图形，再在脊型发光区域利用PECVD、光刻工艺制备电流注入窗口，最后将制备好的样品经过沉积电极、减薄、合金、封装等工步形成激光器。通过波导层折射率的变化对光斑图形的发散角进行改变，限制了腔面附近光的吸收，有效提高大功率半导体激光器的COD阈值，同时约束了发散角，提高了光斑质量。

【技术实现步骤摘要】
一种具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法
本专利技术涉及一种具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法，属于半导体激光器的

技术介绍
半导体激光器自问世以来，由于其体积小、功率高、寿命长、使用方便等优点，在各个领域备受青睐。大功率半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、覆盖的波段范围广、易集成等优点，受到广泛的应用，对其输出功率、光束质量性能也提出了更高的要求。在大功率半导体激光器输出功率提高的过程中，腔面光学灾变损伤(COD)得出现成为限制的主要因素之一。腔面光学灾变损伤(COD)由于激光器腔面位于热沉边缘，散热较差，在腔面附近由光吸收产生的电子空穴对产生非辐射复合,使腔面处温度升高，引起腔面光输出位置材料的带隙收缩，进一步加剧了其对光吸收，温度剧增，温度剧增反过来又增加了其光吸收，如此恶性循环下去，当温度足够高时,导致腔面烧毁，器件失效。抑制腔面光学灾变损伤的发生，有效地提高大功率半导体激光器的COD阈值，采用腔面非注入区域是一种比较重要的方法。腔面非注入区的实现方法主要包括一、腔面附近介质钝化限制电流直接流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法，激光器包括外延片，外延片包括自下至上依次设置的衬底、N限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、P限制层和欧姆接触层，其特征在于，制备包括步骤如下：/n步骤(1)、在外延片的上表面腐蚀出脊型结构，所述的脊型结构以外的区域均腐蚀到上波导层，脊型结构保留至欧姆接触层；/n步骤(2)、将脊型结构分为脊型发光区域和窗口区，窗口区位于脊型发光区域的两端，通过光刻、腐蚀将窗口区的脊型结构上面的欧姆接触层腐蚀掉，保留窗口区脊型结构的P限制层；/n步骤(3)、在窗口区两侧的脊型结构以外腐蚀到上波导层的区域，利用光刻、腐蚀制备出规则排列的图形；/n步骤...

【技术特征摘要】
1.一种具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法，激光器包括外延片，外延片包括自下至上依次设置的衬底、N限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、P限制层和欧姆接触层，其特征在于，制备包括步骤如下：
步骤(1)、在外延片的上表面腐蚀出脊型结构，所述的脊型结构以外的区域均腐蚀到上波导层，脊型结构保留至欧姆接触层；
步骤(2)、将脊型结构分为脊型发光区域和窗口区，窗口区位于脊型发光区域的两端，通过光刻、腐蚀将窗口区的脊型结构上面的欧姆接触层腐蚀掉，保留窗口区脊型结构的P限制层；
步骤(3)、在窗口区两侧的脊型结构以外腐蚀到上波导层的区域，利用光刻、腐蚀制备出规则排列的图形；
步骤(4)、利用PECVD进行镀膜；利用光刻工艺在脊型结构上方制备电流注入窗口；
步骤(5)、将制备好的样品再经过沉积电极、减薄、合金、封装工步形成激光器。


2.根据权利要求1所述的具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的脊型结构位于外延片的中心位置，或者所述的脊型结构位于偏向外延片的一边。


3.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈康，王金翠，苏建，任夫洋，殷方军，
申请(专利权)人：潍坊华光光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37