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本发明涉及一种具有非对称注入窗口的脊型GaAs基激光器的制备方法，属于半导体激光器制备技术领域，方法包括在外延片的表面腐蚀出脊型结构，将脊型结构以外区域的P限制层和欧姆接触层全部腐蚀，再将窗口区的脊型结构上面的欧姆接触层腐蚀掉，然后在窗口区...
该专利属于潍坊华光光电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过潍坊华光光电子有限公司授权不得商用。

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