具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法技术

本发明专利技术涉及光电子技术领域，尤其涉及一种具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法。所述具有脊波导结构的GePb激光器，包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的脊波导结构；其中，所述脊波导结构包括：下接触层，位于所述硅衬底表面；有源层，凸设于所述下接触层表面，所述有源层采用Pb掺杂的Ge材料构成；上接触层，位于所述有源层表面。本发明专利技术有效提高了激光器的发射效率。

【技术实现步骤摘要】
具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法
本专利技术涉及光电子
，尤其涉及一种具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法。
技术介绍
硅光子学致力于将光子学器件集成到硅芯片上，从而提高芯片的性能或者拓展芯片的功能。片间和片上光互连都是硅光子学研究的重要内容。硅光子学近年来在光通信、光互连、光传感等领域有着越来越广泛的应用。虽然光波导、光探测器、光调制器、光开关等硅基光子学器件都已经被成功研制出来，但是由于硅是间接带隙半导体材料，发光效率较低，所以很难实现硅基高效光源的制备，这也是目前硅光集成技术亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法，用于解决现有的硅基激光器发光效率较低的问题。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种具有脊波导结构的GePb激光器，包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的脊波导结构；其中，所述脊波导结构包括：下接触层，位于所述硅衬底表面；有源层，凸设于所述下接触层表面，所述有源层采用Pb掺杂的Ge材料构成；上接触层，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有脊波导结构的GePb激光器，其特征在于，包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的脊波导结构；其中，所述脊波导结构包括：/n下接触层，位于所述硅衬底表面；/n有源层，凸设于所述下接触层表面，所述有源层采用Pb掺杂的Ge材料构成；/n上接触层，位于所述有源层表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有脊波导结构的GePb激光器，其特征在于，包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的脊波导结构；其中，所述脊波导结构包括：
下接触层，位于所述硅衬底表面；
有源层，凸设于所述下接触层表面，所述有源层采用Pb掺杂的Ge材料构成；
上接触层，位于所述有源层表面。


2.根据权利要求1所述的具有脊波导结构的GePb激光器，其特征在于，所述下接触层呈台阶状，包括下台面以及凸设于所述下台面表面的上台面；所述有源层位于所述上台面。


3.根据权利要求2所述的具有脊波导结构的GePb激光器，其特征在于，还包括：
第一电极，位于所述下台面；
第二电极，位于所述上接触层表面。


4.根据权利要求1所述的具有脊波导结构的GePb激光器，其特征在于，所述下接触层的材料为Ge或者SiGe，且具有第一掺杂离子；所述上接触层的材料为Ge或者SiGe，且具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型相反。


5.根据权利要求1所述的具有脊波导结构的GePb激光器，其特征在于，所述有源层中Pb的组分为大于或等于1％。


6.一种具有脊波导结构的GePb激光器的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供硅衬底；
形成脊波导结构于所述硅衬底表面，所述脊波导结构包括位于所述硅衬底表面的下接触层、凸设于所述下接...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪巍，方青，涂芝娟，曾友宏，蔡艳，王庆，王书晓，余明斌，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31