【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光器及其制造方法
本专利技术涉及具有半绝缘性填埋阻挡层的半导体激光器及其制造方法。
技术介绍
就现有的半导体激光器而言，设为如下结构，即，通过半绝缘性InP层和其之上的n型InP阻挡层将在n型InP衬底之上依次层叠了n型InP包覆层、有源层、第一p型InP包覆层而成的脊条构造的侧面填埋，并且，通过第二p型InP包覆层将脊条构造、半绝缘性InP层以及其之上的n型InP阻挡层填埋层填埋(例如，参照专利文献1)。如果电流流过该半导体激光器，则从第二p型InP包覆层供给空穴，该空穴向n型InP衬底方向流动。此时，空穴的一部分被位于第二p型InP包覆层与n型InP阻挡层的界面处的势垒阻挡，沿着n型InP阻挡层向在脊条内存在的有源层方向流动。在有源层，从n型InP包覆层供给的电子与从第二p型InP包覆层供给的空穴复合，能够得到光输出以及增益。为了高输出化，缩短n型InP阻挡层与有源层之间的距离(空穴泄漏通道宽度)、高效地将空穴注入至有源层是有效的。例如，在专利文献2中，在通过半绝缘性InP填埋层以及n型InP阻挡...
【技术保护点】
1.一种半导体激光器，其特征在于，具有：/n脊，其在n型衬底之上依次层叠了n型包覆层、有源层、第一p型包覆层、第二n型阻挡层，该脊是从比所述有源层靠近所述n型衬底的位置凸出而形成的；/n填埋层，其将所述脊的两侧填埋至比所述有源层高的位置；/n第一n型阻挡层，其在所述脊的两侧层叠于所述填埋层的表面侧；以及/n第二p型包覆层，其对所述脊的顶部以及所述第一n型阻挡层进行填埋，/n在处于所述脊的顶部的所述第二n型阻挡层的中央，设置有使空穴电流通过的电流狭窄窗。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体激光器，其特征在于，具有：
脊，其在n型衬底之上依次层叠了n型包覆层、有源层、第一p型包覆层、第二n型阻挡层，该脊是从比所述有源层靠近所述n型衬底的位置凸出而形成的；
填埋层，其将所述脊的两侧填埋至比所述有源层高的位置；
第一n型阻挡层，其在所述脊的两侧层叠于所述填埋层的表面侧；以及
第二p型包覆层，其对所述脊的顶部以及所述第一n型阻挡层进行填埋，
在处于所述脊的顶部的所述第二n型阻挡层的中央，设置有使空穴电流通过的电流狭窄窗。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，
所述电流狭窄窗由孔形状构成，所述孔形状被所述第二p型包覆层填埋。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，
所述孔形状不仅在处于所述脊的顶部的所述第二n型阻挡层形成，而是在直至所述有源层为止的范围形成。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，
所述电流狭窄窗是通过使p型掺杂剂在所述第二n型阻挡层的与所述电流狭窄窗对应的区域扩散而形成的。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光器，其特征在于，
所述电流狭窄窗的所述第二n型阻挡层被第三p型包覆层覆盖。
6.根据权利要求1或3所述的半导体激光器，其特征在于，
所述电流狭窄窗被载流子浓度比所述第二p型包覆层高的第四p型包覆层填埋。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体激光器，其特征在于，
所述第一n型阻挡层与所述第二n型阻挡层接触。
8.一种半导体激光器，其特征在于，具有：
...
【专利技术属性】
技术研发人员：渊田步，中村直干，境野刚，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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