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半导体激光器及其制造方法技术
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文档序号:26348935
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具有:有源层脊(6),其在n型InP衬底(1)之上依次层叠了n型包覆层(2)、有源层(3)、第一p型包覆层(4)、第二n型阻挡层(5),有源层脊(6)是从比有源层(3)低的位置凸出而形成的;填埋层(7),其将有源层脊(6)的两侧填埋至比有源...
该专利属于三菱电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三菱电机株式会社授权不得商用。
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