具有光场集中结构的半导体激光器制造技术

本发明专利技术属于半导体激光器领域，尤其涉及一种具有特殊光场集中结构的半导体激光器。本发明专利技术半导体激光器包含p面和n面电极、p型包覆层、p型光场集中结构、p型限制层、具有多量子阱可产生光子的有源层、n型限制层、n型光场集中结构、n型包覆层和衬底。其中n、p型光场集中结构为特殊光场集中结构，通过此特殊光场集中结构，光场能有效集中，增加光学限制因子，且可同时提高载流子注入效率避免产生载流子溢流效应，进而提升微分增益，使得激光二极管在光通信网络中的传输速率大幅提升。

【技术实现步骤摘要】
具有光场集中结构的半导体激光器
本专利技术属于半导体激光器领域，尤其涉及一种具有特殊光场集中结构的半导体激光器。
技术介绍
用于光通信网络的传输光源(半导体激光器，又称为激光二极管)分为边射型光源与面射型光源两类，边射型光源又可分为DFB激光二极管和FP激光二极管二种；其中，DFB激光二极管是利用光栅技术于光腔中选定特定波长共振，为单一纵向模态的发光，主要应用于高速与长距离传输，但其工艺较为复杂、价格较为高昂；而FP激光二极管为多纵模发光，因为有较大的输出光谱线宽，所以除了主要发光波长之外，还伴随着强度较弱的其他波长，因此在传输中会产生较严重的色散现象，因而仅适用于短距离与低速传输，但因其制作成本较低、价格相对低廉，所以被广泛应用在区域网络传输中。下面以边射型光源FP激光二极管为例进行说明。参阅图1，传统的FP激光二极管1，为脊状波导的结构形式，包含一衬底11、一层形成在该衬底11上的光限制结构2，及上下两电极12。该光限制结构2具有一层与该衬底11连接而使其他层体易于外延生长的缓冲层21、一层自该缓冲层21向上外延生长的n型包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有光场集中结构的半导体激光器，包含p面和n面电极(32)、p型包覆层(48)、p型光场集中结构(47)、p型限制层(46)、具有多量子阱可产生光子的有源层(45)、n型限制层(44)、n型光场集中结构(43)、n型包覆层(42)、包覆层(41)和衬底(31)；其特征在于：所述光场集中结构中同时包含了p型光场集中结构(47)和n型光场集中结构(43)。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有光场集中结构的半导体激光器，包含p面和n面电极(32)、p型包覆层(48)、p型光场集中结构(47)、p型限制层(46)、具有多量子阱可产生光子的有源层(45)、n型限制层(44)、n型光场集中结构(43)、n型包覆层(42)、包覆层(41)和衬底(31)；其特征在于：所述光场集中结构中同时包含了p型光场集中结构(47)和n型光场集中结构(43)。


2.如权利要求1所述的具有光场集中结构的半导体激光器，其特征在于：所述p型限制层(46)与n型限制层(44)能隙大于有源层(45)能隙，从而能够抑制载流子溢流。


3.如权利要求2所述的具有光场集中结构的半导体激光器，其特征在于：所述衬底(31)是以InP构成；所述p型光场集中结构(47)由三层不同x、y比例的In(1-x)Ga(x)As(y)P(1-y)材料构成，即p型第一层(471)、p型第二层(472)和p型第三层(473)，并通过不同掺杂形成p型光场集中结构(47)，其能隙介于0.9～1.3eV，其中p型第一层(471)、p型第三层(473)的In(1-x)Ga(x)As(y)P(1-y)...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国忠，吕一璁，
申请(专利权)人：创兆光有限公司，
类型：发明
国别省市：中国香港;81