温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于半导体激光器领域，尤其涉及一种具有特殊光场集中结构的半导体激光器。本发明半导体激光器包含p面和n面电极、p型包覆层、p型光场集中结构、p型限制层、具有多量子阱可产生光子的有源层、n型限制层、n型光场集中结构、n型包覆层和衬底。其中...
该专利属于创兆光有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过创兆光有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。