电子设备制造技术

本公开提供一种半导体存储器，所述半导体存储器包括：第一线；第二线；第三线；第一存储单元，其设置在所述第一线和所述第二线之间处在所述第一线和所述第二线的相交区域，所述第一存储单元包括第一选择元件层和耦接到所述第一选择元件层的第一电极；以及第二存储单元，其设置在所述第二线和所述第三线之间处在所述第二线和所述第三线的相交区域，所述第二存储单元包括第二选择元件层和耦接到所述第二选择元件层的第二电极，其中，所述第一选择元件层的阈值电压大于所述第二选择元件层的阈值电压，并且所述第二电极的电阻大于所述第一电极的电阻。

【技术实现步骤摘要】
电子设备相关申请的交叉引用本申请要求于2019年6月27日提交的第10-2019-0077102号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。
该专利文件涉及存储电路或器件以及它们在电子设备或系统中的应用。
技术介绍
近来，随着电子装置趋向于小型化、低功耗、高性能、多功能等，在本领域中已经对能够在诸如计算机、便携式通信设备等的各种电子装置中存储信息的半导体器件有所需求，并且已经对该半导体器件进行了研究。这种半导体器件包括其中可以利用根据所施加的电压或电流而在不同的电阻状态之间切换的特性来存储数据的半导体器件，例如RRAM(电阻式随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、FRAM(铁电随机存取存储器)、MRAM(磁性随机存取存储器)、电熔丝(E-fuse)等。
技术实现思路
本专利文件中所公开的技术包括具有改善的操作特性的电子设备的各种实施方式。在一个实施方式中，一种电子设备包括半导体存储器，所述半导体存储器包括：第一线；与第一线间隔开的第二线，所述第二线沿与第一线交叉的第一方向延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子设备，包括半导体存储器，其中，所述半导体存储器包括：/n第一线；/n与所述第一线间隔开的第二线，所述第二线沿与所述第一线交叉的第一方向延伸；/n与所述第二线间隔开的第三线，所述第三线沿与所述第二线交叉的第二方向延伸；/n第一存储单元，所述第一存储单元设置在所述第一线和所述第二线之间处在所述第一线和所述第二线的相交区域，所述第一存储单元包括第一选择元件层和耦接到所述第一选择元件层的第一电极；以及/n第二存储单元，所述第二存储单元设置在所述第二线和所述第三线之间处在所述第二线和所述第三线的相交区域，所述第二存储单元包括第二选择元件层和耦接到所述第二选择元件层的第二电极，/n其中，所述第...

【技术特征摘要】
20190627 KR 10-2019-00771021.一种电子设备，包括半导体存储器，其中，所述半导体存储器包括：
第一线；
与所述第一线间隔开的第二线，所述第二线沿与所述第一线交叉的第一方向延伸；
与所述第二线间隔开的第三线，所述第三线沿与所述第二线交叉的第二方向延伸；
第一存储单元，所述第一存储单元设置在所述第一线和所述第二线之间处在所述第一线和所述第二线的相交区域，所述第一存储单元包括第一选择元件层和耦接到所述第一选择元件层的第一电极；以及
第二存储单元，所述第二存储单元设置在所述第二线和所述第三线之间处在所述第二线和所述第三线的相交区域，所述第二存储单元包括第二选择元件层和耦接到所述第二选择元件层的第二电极，
其中，所述第一选择元件层的阈值电压大于所述第二选择元件层的阈值电压，并且所述第二电极的电阻大于所述第一电极的电阻。


2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，当第一电流从所述第一线向所述第二线流过所述第一存储单元时，第二电流从所述第三线向所述第二线流过所述第二存储单元，以及
其中，当第三电流从所述第二线向所述第一线流过所述第一存储单元时，第四电流从所述第二线向所述第三线流过所述第二存储单元。


3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一电极是与所述第一选择元件层的第一表面接触的第一侧电极，所述第一选择元件层的第一表面面对所述第一线，以及
其中，所述第二电极是与所述第二选择元件层的第一表面接触的第二侧电极，所述第二选择元件层的第一表面面对所述第二线。


4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，所述第一存储单元还包括第三侧电极，所述第三侧电极与所述第一选择元件层的第二表面接触，所述第一选择元件层的第二表面面对所述第二线，
其中，所述第二存储单元还包括第四侧电极，所述第四侧电极与所述第二选择元件层的第二表面接触，所述第二选择元件层的第二表面面对所述第三线，以及
其中，所述第四侧电极的电阻大于所述第三侧电极的电阻。


5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一电极是与所述第一选择元件层的表面接触的第一侧电极，所述第一选择元件层的表面面对所述第二线，以及
其中，所述第二电极是与所述第二选择元件层的表面接触的第二侧电极，所述第二选择元件层的表面面对所述第三线。


6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一电极包括第一材料，所述第一材料与所述第二电极的第二材料不同。


7.根据权利要求6所述的电子设备，其中，所述第一电极和所述第二电极中的每一个包括选自碳、TiAlN、TiSiN、TaN、Ta、WN、TiN、Ti、W、Al和Cu中的一种或多种材料。


8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一电极包括第一材料，并且所述第二电极包括第二材料，所述第一材料和所述第二材料包括共同的元素，所述第一材料中的所述元素的含量与所述第二材料中的所述元素的含量不同。


9.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一电极的晶粒尺寸大于所述第二电极的晶粒尺寸。


10.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一电极和所述第二电极包括碳，所述第二电极的sp3/sp2比率大于所述第一电极的sp3/sp2比率。


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【专利技术属性】
技术研发人员：金明燮，金泰勋，崔惠晶，洪锡满，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR